磁盤式存儲(chǔ)技術(shù)還有十年風(fēng)光：閃存硬盤前景不容樂觀

　　相變內(nèi)存技術(shù)(phase change random access memory (PCRAM)):

　　據(jù)文章的作者解釋，PCRAM相變內(nèi)存技術(shù)基于相變化材料的相變屬性。對(duì)這種材料適當(dāng)加熱后，相變化材料的形態(tài)將在結(jié)晶和非結(jié)晶兩種相上發(fā)生變化，從而衍生出不同的電阻值，這樣便可以用于記錄“1”“0”兩種數(shù)值。這種技術(shù)的存儲(chǔ)單元體積小，每個(gè)存儲(chǔ)單元能存儲(chǔ)多位數(shù)據(jù)，因此存儲(chǔ)密度以及容量成本方面均比磁盤式硬盤優(yōu)越，不過這種技術(shù)的劣勢在于功耗較大。目前，Intel與Microelectronics的合資公司Numonyx已經(jīng)將基于這種技術(shù)的產(chǎn)品推向了市場，因此在實(shí)際應(yīng)用方面相變內(nèi)存技術(shù)比STTRAM技術(shù)要優(yōu)越許多。

　　自旋極化內(nèi)存技術(shù)(spin transfer torque random access memory (STTRAM)).