磁盤式存儲(chǔ)技術(shù)還有十年風(fēng)光：閃存硬盤前景不容樂觀

　　那些鼓吹基于閃存的SSD硬盤技術(shù)的人可能要感到失望了，因?yàn)閾?jù)最新的研究結(jié)果表明，如果磁盤技術(shù)按現(xiàn)有的速度發(fā)展下去，那么到2020年，雙碟2.5寸 硬盤的容量將能達(dá)到14TB左右，價(jià)格則會(huì)降到40美元的水平(目前500GB硬盤普遍售價(jià)為100美元左右),仍然具有相當(dāng)?shù)母偁幜?。而盡管基于閃存的SSD硬盤產(chǎn)品由于在讀寫性能，省 電性能方面更為優(yōu)秀，正在日漸流行，但其每GB折算價(jià)格卻接近磁盤式硬盤的10倍,另外，閃存技術(shù)在2020年之前很可能會(huì)遇到性能發(fā)展上的瓶頸，這使基 于閃存的SSD硬盤即使在10年或更久的未來也很難取代磁盤式硬盤的地位。

　　在最近IEEE《磁盤技術(shù)學(xué)報(bào)》期刊中(IEEE Transactions on Magnetics, Vol. 45, No. 10, October 2009.

　　)，刊登了希捷公司前CTO Mark Kryder教授，以及卡內(nèi)基梅隆大學(xué)的博士學(xué)位研究生Chang Soo Kim的一篇文章《磁盤式硬盤技術(shù)的接班人》( “After Hard Drives - What Comes Next?” )。文中兩位研究者調(diào)查分析了13款新興的NVM(非易失性存儲(chǔ))固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)，分析基于其中哪種技術(shù)的產(chǎn)品能在2020年之前在每TB價(jià)格上能與磁盤式硬盤競爭。研究結(jié)果顯示，有兩項(xiàng)固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)有望取代現(xiàn)有的磁盤以及閃存技術(shù)，它們分別是相變內(nèi)存技術(shù)(phase change random access memory (PCRAM))以及自旋極化內(nèi)存技術(shù)(spin transfer torque random access memory (STTRAM)).