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EVLVIPGAN100PD是一款100w USB Type-C?3.0電源適配器參考設(shè)計(jì)。它是一個(gè)帶有獨(dú)立USB PD控制器的隔離電源。評(píng)估板在初級(jí)側(cè)實(shí)現(xiàn)了準(zhǔn)諧振反激電路，這個(gè)轉(zhuǎn)換器基于意法半導(dǎo)體的VIPerGaN?高......
Diodes 公司 （Diodes） 獲得專利的 ACF 拓?fù)浞桨福糜陉P(guān)鍵效率改進(jìn)方法高性價(jià)比的高效實(shí)現(xiàn)，適用于高功率密度充電器 高壓?jiǎn)?dòng)和低待機(jī)功率 （<80mW） 符合 DOE VI 和 COC Tier......
2021 年5月份 USB-IF 協(xié)會(huì)正式發(fā)布 USB PD3.1規(guī)范 , 輸出電壓由原5V、9V、15V和20V新增28V、36V及48V三種固定電壓 , 最大功率由100W 擴(kuò)展至240W.使原本USB PD ......
近年直流電產(chǎn)品應(yīng)用越來(lái)越廣泛，一方面隨著應(yīng)用技術(shù)不斷推陳出新，另一方面終端應(yīng)用的功率需求越來(lái)越大，例如: 音訊放大器、直流無(wú)線吸塵器、直流工具機(jī)、車用電子產(chǎn)品等。這些直流電產(chǎn)品都需要一個(gè)穩(wěn)定的直流電壓輸入，且可以......
1932年，研究人員在George Herbert Jones實(shí)驗(yàn)室，將金屬鎵和氨在900℃至1000℃的高溫下進(jìn)行反應(yīng)，成功合成了GaN材料。近一個(gè)世紀(jì)的時(shí)間里，氮化鎵逐漸引領(lǐng)著功率變換領(lǐng)域的新一輪變革。特別是Powe......
美蓓亞三美株式會(huì)社(MinebeaMitsumi Inc.) 旗下的艾普凌科有限公司（總裁：田中誠(chéng)司，總部地址：東京都港區(qū)，下稱“ABLIC”）今天推出車載3節(jié)~6節(jié)電池監(jiān)視用保護(hù)IC「S-19193系列」。今天推出的車......
系統(tǒng)架構(gòu)師和電路硬件設(shè)計(jì)人員針對(duì)最終應(yīng)用（如測(cè)試和測(cè)量、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療健康）需求，往往要耗費(fèi)大量研發(fā)資源來(lái)開(kāi)發(fā)高性能、分立式精密線性信號(hào)鏈模塊，以實(shí)現(xiàn)測(cè)量和保護(hù)、調(diào)節(jié)和采集或合成和驅(qū)動(dòng)。本文將重點(diǎn)討論精密數(shù)據(jù)采集子系統(tǒng)......
近年來(lái)，高度依賴在線資源的混合辦公模式加速普及，電子系統(tǒng)成為了必不可少的工具，效率的重要性愈發(fā)凸顯。這要求我們不僅在現(xiàn)場(chǎng)操作期間，更要在生產(chǎn)制造過(guò)程中，采取各種措施提升能效。利用開(kāi)關(guān)控制器促進(jìn)能效提升高效利用資源對(duì)于實(shí)現(xiàn)......
前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章......
/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章將比較系......
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