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氮化鎵（GaN）的最新技術進展

  • 本文要點? 氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。? 氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。? 氮化鎵技術可實現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導體，徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術。氮化鎵技術使移動設備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經(jīng)常用于一些轉換器和驅動器應用氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。通過氮化鎵材料的電流比通過硅半導體的電流速度更快，因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術如何顛覆整個行業(yè)。氮化
  • 關鍵字： GaN  

Guerrilla RF宣布收購Gallium GaN技術

  • 近期，Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產品組合。Guerrilla RF表示，通過此次收購，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現(xiàn)有的元件、正在開發(fā)的新內核以及相關知識產權(IP)。公司將為無線基礎設施、軍事和衛(wèi)星通信應用開發(fā)新的GaN器件產品線并實現(xiàn)商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷商Telcom International的一位員工表示，公司計劃向韓國市場供應Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
  • 關鍵字： Guerrilla RF  Gallium GaN  

純晶圓代工廠格芯收獲一家GaN研發(fā)商

  • 7月1日，純晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）宣布已收購Tagore專有且經(jīng)過生產驗證的功率氮化鎵（GaN）技術及IP產品組合，以突破汽車、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心等廣泛電源應用的效率和性能界限。資料顯示，無晶圓廠公司Tagore成立于2011年1月，旨在開拓用于射頻和電源管理應用的GaN-on-Si半導體技術，在美國伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設有設計中心。格芯表示，此次收購進一步鞏固公司對大規(guī)模生產GaN技術的決心，該技術提供多種優(yōu)勢，可幫助數(shù)據(jù)中心滿足不斷增長的電力需求，
  • 關鍵字： 晶圓代工  格芯  GaN  

臺達電子與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，瞄準GaN

  • 6月21日，臺達電子宣布與全球半導體領導廠商德州儀器（TI）成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室。臺達表示，此舉不僅深化雙方長期合作關系，亦可憑借TI在數(shù)字控制及氮化鎵（GaN）等半導體相關領域多年的豐富經(jīng)驗及創(chuàng)新技術，強化新一代電動車電源系統(tǒng)的功率密度和效能等優(yōu)勢，增強臺達在電動車領域的核心競爭力。臺達交通事業(yè)范疇執(zhí)行副總裁及電動車方案事業(yè)群總經(jīng)理唐修平表示：“透過與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，運用TI在數(shù)位控制及GaN領域豐富經(jīng)驗與技術優(yōu)勢，提升電動車電源系統(tǒng)的功率密度和效能，期盼雙方達到更緊密的技術交流及合作，以更具前瞻
  • 關鍵字： 臺達電子  TI  GaN  

GaN“上車”進程加速，車用功率器件市場格局將改寫

  • 根據(jù)Yole機構2024 Q1的預測，氮化鎵 (GaN) 功率半導體器件市場2023至2029年平均復合年增長 (CAGR) 將高于45%，其中表現(xiàn)最為搶眼的是汽車與出行市場（automotive & mobility），“從無到有”，五年后即有望占據(jù)三分之一的GaN應用市場（圖1）。而相比之下，碳化硅（SiC）應用市場成長則顯得比較溫和，CAGR遠低于GaN（圖1）。隨著GaN“上車”進程加速，功率器件器件市場競爭格局或將被改寫。圖1：在GaN市場份額變化中，汽車與出行市場 “從無到有”，五年后
  • 關鍵字： GaN  車用功率器件  Transphorm  SiC  

德州儀器推出先進的GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機

  • ●? ?650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術，助力家電和暖通空調（HVAC）系統(tǒng)逆變器達到99%以上效率?！? ?得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。德州儀器 (TI)近日推出了適用于 250W 電機驅動器應用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設計大型家用電器及加熱、通風和空調 (HVAC) 系統(tǒng)時通常面臨的許多設
  • 關鍵字： 德州儀器  GaN IPM  高壓電機  

漲知識！氮化鎵（GaN）器件結構與制造工藝

  • 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構，再對增強型和耗盡型的氮化鎵HEMT結構進行對比，總結結構不同決定的部分特性。此外，對氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進行描述，加深對氮化鎵功率器件的工藝技術理解。在理解氮化鎵功率器件結構和工藝的基礎上，對不同半導體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進行對比說明。一、器件結構與制造工藝（一）器件結構對比GaN HEMT是基于AlGaN/GaN異質結，目前市面上還未出現(xiàn)G
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  結構  制造工藝  

純化合物半導體代工廠推出全新RF GaN技術

  • 6月14日，純化合物半導體代工廠穩(wěn)懋半導體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴大了其RF GaN技術組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術測試版NP12-0B平臺。目前，NP12-0B鑒定測試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預計將于2024年8月完成，并計劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產版本。據(jù)穩(wěn)懋半導體介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術，該技術結合了多項改進，以增強直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0
  • 關鍵字： 純化合物  半導體  RF GaN  

CGD為電機控制帶來GaN優(yōu)勢

  • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司，開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN） 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克股票代碼：QRVO）合作開發(fā) GaN 在電機控制應用中的參考設計和評估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無刷直流電機（BLDC）和永磁同步電機（PMSM）應用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統(tǒng)。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLD
  • 關鍵字： CGD  電機控制  GaN  

CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

  • 無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過充分驗證的 DFN 封裝，堅固可靠。DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10 mm，并采用側邊可濕焊盤技術，便于光學檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側冷卻方式運行，
  • 關鍵字： CGD  數(shù)據(jù)中心  逆變器  GaN  功率IC  

CGD與中國臺灣工業(yè)技術研究院簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄

  • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與與中國臺灣工業(yè)技術研究院（ITRI）簽署了諒解備忘錄，以鞏固為USB-PD適配器開發(fā)高性能GaN解決方案的合作伙伴關系、并共享市場信息、實現(xiàn)對潛在客戶的聯(lián)合訪問和推廣。Andrea Bricconi   | CGD 首席商務官“我們很高興能與ITRI合作，ITRI擁有一個電力解決方案研究團隊，在開發(fā)電力解決方案方面有著非常豐富的經(jīng)驗
  • 關鍵字： CGD  GaN  電源開發(fā)  

Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations近日宣布達成協(xié)議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies的資產。這項交易預計將于2024年7月完成，屆時Odyssey的所有關鍵員工都將加入Power Integrations的技術部門。此次收購將為該公司專有的PowiGaN?技術的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術已廣泛應用于該公司的眾多產品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
  • 關鍵字： Power Integrations  Odyssey  氮化鎵  GaN  

Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件

  • 近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統(tǒng)級封裝GaN產品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
  • 關鍵字： 功率半導體  氮化鎵  GaN  

GaN FET讓您實現(xiàn)高性能D類音頻放大器

  • D類音頻放大器參考設計(EPC9192)讓模塊化設計具有高功率和高效，從而可實現(xiàn)全定制、高性能的電路設計。宜普電源轉換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設計，可實現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設計中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢，在4Ω負載時，每聲道輸出功率達700 W。EPC9192是可擴展的模塊化設計，其主板配有兩個PWM調制器和兩個半橋功率級子板，實現(xiàn)具備輔助管理電源和保護功能的雙通道放大器。這種設計的靈活性高，使
  • 關鍵字： GaN FET  D類音頻放大器  

氮化鎵器件讓您實現(xiàn)具成本效益的電動自行車、無人機和機器人

  • 基于氮化鎵器件的逆變器參考設計(EPC9193)讓您實現(xiàn)具有更高性能的電機系統(tǒng)，其續(xù)航里程更長、精度更高、扭矩更大，而且同時降低了系統(tǒng)的總成本。宜普電源轉換公司（EPC）近日宣布推出EPC9193，它是使用EPC2619 eGaN?FET的三相BLDC電機驅動逆變器，具有14V~65V的寬輸入直流電壓范圍和兩種配置，分別為標準和高電流版本：●? ?EPC9193 是標準參考設計，在每個開關位置使用單個FET，可提供高達30ARMS 的最大輸出電流。●? ?EPC91
  • 關鍵字： 氮化鎵器件  電動自行車  無人機  機器人  EPC  GaN  宜普  
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