?半導體 文章 進入?半導體技術(shù)社區(qū)
ITC調(diào)查聯(lián)發(fā)科技侵權(quán)
- 美國國際貿(mào)易委員會(ITC)就美商飛思卡爾(Freescale)控告聯(lián)發(fā)科技侵犯專利權(quán)案展開調(diào)查,聯(lián)發(fā)科技對此低調(diào)不愿評論。 飛思卡爾與聯(lián)發(fā)科專利紛爭不斷,飛思卡爾今年7月向ITC控告聯(lián)發(fā)科及日本電視大廠船井(Funai)電視相關(guān)產(chǎn)品侵犯其專利權(quán);聯(lián)發(fā)科一度在美國反控飛思卡爾。 飛思卡爾去年12月再向ITC控告聯(lián)發(fā)科及瑞軒科技電視相關(guān)產(chǎn)品侵權(quán);ITC在5日表示,就侵權(quán)案立案展開調(diào)查。 聯(lián)發(fā)科表示,目前訴訟案已進入法律程序,不予置評,因法院尚未做出判決,對聯(lián)發(fā)科短期營運并不會造成任何影
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南韓半導體業(yè)者積極在3D影像市場展開布局
- 綜合外電南韓業(yè)者選定3D立體影像作為2012年智慧型手機的關(guān)鍵字,南韓半導體業(yè)者也積極在3D市場展開布局。 根據(jù)南韓電子時報引述南韓IT業(yè)界人士透露,NexusChips、NexiaDevice、ECT等南韓無晶圓半導體IC設計公司,都全神貫注于研發(fā)智慧型手機晶片和智慧財產(chǎn)權(quán)。 2011年也曾有3D智慧型手機在市面上流通,卻未能獲得消費者的青睞,主要是因為現(xiàn)在3D數(shù)位內(nèi)容的數(shù)量仍不多,使用手機觀賞不如想像中便利。2012年南韓智慧型手機大廠決定改變策略,將研發(fā)重點放在開發(fā)3D電視和3D智慧
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中國希望并將擁有自己的半導體生產(chǎn)廠
- 中國沒有自己的硬盤、DRAM和閃存生產(chǎn)廠,但是這種情況可能會發(fā)生變化。中國正在進入硬盤組件生產(chǎn)領(lǐng)域,華為和創(chuàng)新科存儲技術(shù)有限公司生產(chǎn)的是使用硬盤、DRAM和閃存的服務器和存儲陣列。然而中國本身并沒有為企業(yè)級設備生產(chǎn)核心基本存儲技術(shù)的廠商。 創(chuàng)立和運營生產(chǎn)硬盤所需的半導體生產(chǎn)廠和綜合性生產(chǎn)廠需要數(shù)十億美元的資金和世界級專業(yè)技術(shù)。但是這些情況可能會發(fā)生變化,中國已經(jīng)開始生產(chǎn)源自DEC的Alpha芯片的處理器和基于MIPS級體系結(jié)構(gòu)的其他產(chǎn)品,這或許可以說明情況正在發(fā)生變化。 這些產(chǎn)品都是用于超
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中微在泛林科技專利訴訟中第四次獲勝
- 中微半導體設備有限公司(AMEC)宣布,中微在由美國泛林科技在臺灣針對中微關(guān)聯(lián)公司提起的訴訟中再次取得勝利。 去年12月29日,臺灣智慧財產(chǎn)法院(IP Court)作出判決,維持了由臺灣經(jīng)濟部智慧財產(chǎn)局(TIPO)作出的不利于泛林科技的決定。臺灣智慧財產(chǎn)法院在判決中支持了臺灣經(jīng)濟部智慧財產(chǎn)局的立場,宣布泛林科技的專利號為126873的臺灣專利(聚焦環(huán)裝置專利)由于缺乏新穎性和創(chuàng)造性而無效,因而無法構(gòu)成指控中微侵權(quán)的依據(jù)。 法庭的宣判標志著中微在泛林科技指控中微專利侵權(quán)的糾紛案中第四次取得了
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半導體市場在挑戰(zhàn)下生機盎然
- 在科技革命的推動下,人類社會開啟了工業(yè)化革命的進程,這客觀上促進了經(jīng)濟全球化及城市化的進一步發(fā)展,而半導體技術(shù)的快速發(fā)展將在應對這些變化所帶來的挑戰(zhàn)中扮演重要角色。 全球化的進程拉近了每個人之間的距離,這對未來的通訊電子提出了更高的需求。隨著3G向LTE技術(shù)的過渡,減少延遲、提高資料速率和系統(tǒng)容量等要求對從運放到轉(zhuǎn)換器、甚至射頻技術(shù)及產(chǎn)品都有大量的需求。而城市化的進程在給城市面貌帶來驚人變化的同時,城市區(qū)域的擴張、核心區(qū)域人口的高密度無疑都給城市交通帶來了巨大的壓力。 現(xiàn)代化的城市交通系統(tǒng)
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2012年十大新興產(chǎn)業(yè)為半導體市場注入增長因素
- 2012年對于半導體產(chǎn)業(yè)無疑將是具有挑戰(zhàn)性的一年。若干全球宏觀經(jīng)濟問題不僅影響半導體產(chǎn)業(yè),還會對全球經(jīng)濟產(chǎn)生負面影響。失業(yè)率居高不下,對經(jīng)濟衰退的擔憂,目前的歐洲債務危機,中國、印度和巴西的通脹,這些經(jīng)濟問題將會使半導體市場增長速度放緩。 好消息是,十大新興產(chǎn)業(yè)(LED照明、智能電網(wǎng)、新能源、LTE通信、智能手機、智能電視、平板電腦、云計算、電動汽車和個人醫(yī)療電子)為2012年的半導體市場注入了不少推動需求增長的因素。 LED照明將變得像白熾燈一樣普及今天已經(jīng)是業(yè)界的一個廣泛共識,美國、歐
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半導體制程技術(shù)邁入3D 2013年可視為量產(chǎn)元年
- 時序即將進入2012年,半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)持續(xù)進行變革,其中3DIC便為未來芯片發(fā)展趨勢,將促使供應鏈加速投入3DIC研發(fā),其中英特爾(Intel)在認為制程技術(shù)將邁入3D下,勢必激勵其本身的制程創(chuàng)新。另外在半導體業(yè)者預期3DIC有機會于2013年出現(xiàn)大量生產(chǎn)的情況下,預估2013年也可視為是3DIC量產(chǎn)元年。 3DIC為未來芯片發(fā)展趨勢,其全新架構(gòu)帶來極大改變,英特爾即認為,制程技術(shù)將邁入3D,未來勢必激勵技術(shù)創(chuàng)新。英特爾實驗室日前便宣布與工研院合作,共同合作開發(fā)3DIC架構(gòu)且具低功耗特性的內(nèi)存技
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半導體資本支出將減 大和證估將少9%
- 半導體產(chǎn)業(yè)今年下半年同樣受到終端需求疲弱、供應鏈庫存修正影響業(yè)績表現(xiàn),迎接2012年的到來,市場預期供應鏈庫存去化完成后將有望帶起新的一波備庫存動能,第一季將是落底時機;大和證券也在最新報告中針對半導體設備與DRAM族群提出看法,認為由行動裝置推升的高階制程需求將是設備業(yè)明年表現(xiàn)主軸,而DRAM價格預料將在明年第一季后才有機會出現(xiàn)反彈狀況。 針對明年半導體設備族群表現(xiàn),大和證券認為,在臺積電與英特爾等大廠資本支出都可能減少的情況下都可能減少的情況下,預估明年半導體大廠資本支出將較今年減少9%,不
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2012半導體產(chǎn)業(yè)僅個位數(shù)成長
- 2012年全球半導體產(chǎn)業(yè)僅個位數(shù)成長似乎已成業(yè)界共識,成長率分別從2~8%不等,雖然產(chǎn)業(yè)維持成長態(tài)勢,但也將面臨許多挑戰(zhàn),產(chǎn)業(yè)界需要更多合作創(chuàng)新。以封裝業(yè)而言,矽品副總經(jīng)理馬光華便表示,已有不少跨產(chǎn)業(yè)合作的例子,包括封裝業(yè)與太陽能合作,也有封裝業(yè)跨足LED領(lǐng)域的情況。此外,他認為產(chǎn)業(yè)不會有獨大的情況,存在2個以上的主要廠商才是正常。 2011年景氣不如年初所預期,呈現(xiàn)虎頭蛇尾走勢,主要受到日本311地震、歐債問題及
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