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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> ?半導(dǎo)體

英國(guó)開發(fā)低成本塑料太陽(yáng)能電池

  • 　　英國(guó)科學(xué)家的一項(xiàng)最新研究或能加速塑料太陽(yáng)能電池的應(yīng)用步伐，使其在5年到10年內(nèi)實(shí)現(xiàn)商用。這種太陽(yáng)能電池以可循環(huán)使用的塑料薄膜為原料，能通過(guò)“卷對(duì)卷印刷”技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)，其成本低廉、環(huán)保，可大規(guī)模應(yīng)用。有專家認(rèn)為，或?qū)?duì)傳統(tǒng)晶硅類太陽(yáng)能電池造成沖擊。
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國(guó)際半導(dǎo)體業(yè)并購(gòu)成風(fēng) 國(guó)內(nèi)并購(gòu)能力存在差距

  • 　　近期全球手機(jī)晶片5大供應(yīng)商之一的展訊通信，接連購(gòu)并半導(dǎo)體公司MobilePeak與手機(jī)晶片商泰景，外電表示，雖然購(gòu)并與整合在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已稀松平常，但大陸半導(dǎo)體業(yè)者既無(wú)雄厚資本，又無(wú)完善產(chǎn)業(yè)鏈與市場(chǎng)，對(duì)于啟動(dòng)購(gòu)并以擴(kuò)大實(shí)力上，與國(guó)際半導(dǎo)體大廠仍有不小差距。
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東芝在巴西建立芯片設(shè)計(jì)合資公司

  • 東芝公司說(shuō)，它與巴西東芝子公司SEMP東芝信息公司（STIL）合資建立一家半導(dǎo)體設(shè)計(jì)機(jī)構(gòu)，STI半導(dǎo)體設(shè)計(jì)巴西公司。
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東芝將削減50%半導(dǎo)體產(chǎn)品種類 借此提升效率

  • 　　北京時(shí)間8月13日下午消息，全球第二大閃存制造商?hào)|芝將于本財(cái)年末，把多達(dá)6000種的半導(dǎo)體產(chǎn)品線削減一半，借此提升效率。 　　東芝目前的審查重點(diǎn)集中在汽車和電子產(chǎn)品中使用的芯片。除此之外，東芝還將減少為每類用戶設(shè)計(jì)的芯片種類，并增加可編程芯片的種類，讓用戶自己添加必要的功能。
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東芝強(qiáng)推功率半導(dǎo)體 登頂世界第一

  • 　　作為進(jìn)行功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的東芝公司在近期發(fā)布會(huì)上表示，奪取市場(chǎng)份額首位寶座的決心。因認(rèn)為面向社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施和汽車等的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將大幅增長(zhǎng)，因此東芝首席常務(wù)執(zhí)行董事、半導(dǎo)體和存儲(chǔ)器社長(zhǎng)小林清志表示，“我們將向功率半導(dǎo)體投入大量資源，希望在幾年之內(nèi)登上業(yè)界首位的寶座，領(lǐng)先于其他公司”。目前，該公司的市場(chǎng)份額在業(yè)界位居第三。東芝準(zhǔn)備將自主開發(fā)的元器件工藝技術(shù)及大口徑化等作為競(jìng)爭(zhēng)力的源泉，以提高市場(chǎng)份額。
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今年無(wú)線半導(dǎo)體開支554億美元 超過(guò)PC

  • 　　IHS iSuppli今天發(fā)布報(bào)告稱，科技產(chǎn)業(yè)由PC向移動(dòng)通信、無(wú)線領(lǐng)域大轉(zhuǎn)移有了新的跡象，2011年，在原始設(shè)備制造商(OEM)半導(dǎo)體采購(gòu)中，來(lái)自移動(dòng)通信、無(wú)線領(lǐng)域的采購(gòu)額將超過(guò)PC。由于智能手機(jī)和平板銷量激增，2011年，OEM共購(gòu)買價(jià)值554億美元的半導(dǎo)體用于無(wú)線設(shè)備，比2010年的501億美元增長(zhǎng)10.7%。作為對(duì)比，OEM花了531億美元采購(gòu)電腦半導(dǎo)體，只比2010年525億美元微增1.2%。
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半導(dǎo)體沖擊 三星李健熙會(huì)長(zhǎng)進(jìn)行緊急檢查

  • 　　據(jù)外電報(bào)道，隨著D儲(chǔ)存器的價(jià)格降到世上最低值，三星電子會(huì)長(zhǎng)李健熙親自出面對(duì)半導(dǎo)體事業(yè)進(jìn)行了檢查。8月11日，李會(huì)長(zhǎng)在首爾瑞草洞的公司大樓中主持召開了三星集團(tuán)半導(dǎo)體社長(zhǎng)團(tuán)會(huì)議。會(huì)議中，三星電子負(fù)責(zé)Device Solution(DS)的社長(zhǎng)權(quán)五鉉、儲(chǔ)存體事業(yè)部社長(zhǎng)全東守、系統(tǒng)LSI事業(yè)部社長(zhǎng)禹南星等人悉數(shù)出席，崔志成副會(huì)長(zhǎng)因正在中國(guó)出差而缺席了會(huì)議。
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常用半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)

  • 常用半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)表13 部分半導(dǎo)體二極管的參數(shù)類型普通 ...
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推動(dòng)450mm硅片迅速過(guò)渡的成因分析

  • 推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步的兩個(gè)輪子，一個(gè)是特征尺寸縮小，今年己是22nm；另一個(gè)是硅片直徑增大。毋庸置疑，尺寸縮小總是占先。近日英特爾公布22nm的3D（三維）技術(shù)開發(fā)成功，表明一直前景不明的16nm技術(shù)可能會(huì)提前導(dǎo)入市場(chǎng)。
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半導(dǎo)體庫(kù)存調(diào)整收尾 張忠謀看好第四季度

  • 　　外資周一賣超臺(tái)積電4.5萬(wàn)張，引起市場(chǎng)關(guān)切，臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，盡管第3季仍面臨庫(kù)存修正的壓力，不過(guò)庫(kù)存調(diào)整快近尾聲，投資人要對(duì)臺(tái)積電未來(lái)發(fā)展前景有信心。臺(tái)積電發(fā)言體系強(qiáng)調(diào)，上月28日的法說(shuō)會(huì)，臺(tái)積電已給法人很明確的訊號(hào)，下半年將是先蹲后跳，本季營(yíng)收雖季減6%到8%，但預(yù)估庫(kù)存修正已近尾聲，第4季訂單就會(huì)回升。 　
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半導(dǎo)體培養(yǎng)箱的ARM嵌入式控制系統(tǒng)研制

  • 半導(dǎo)體培養(yǎng)箱的ARM嵌入式控制系統(tǒng)研制,針對(duì)傳統(tǒng)培養(yǎng)箱加熱制冷器件能耗高、體積大且溫控精度不高的特點(diǎn)，應(yīng)用熱電半導(dǎo)體對(duì)培養(yǎng)箱的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)。采用ARM920T架構(gòu)的S3C2440AL處理器并配合外圍設(shè)備，在Linux嵌入式操作系統(tǒng)上進(jìn)行核心程序研發(fā)，并加入模糊自適應(yīng)PID算法，以實(shí)現(xiàn)對(duì)培養(yǎng)箱溫度的精確控制。試驗(yàn)結(jié)果表明,該培養(yǎng)箱的控溫相對(duì)誤差達(dá)到±1.1%。
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IC Insights下修2011年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)

  • 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) IC Insights 基于全球經(jīng)濟(jì)景氣衰弱，調(diào)降了對(duì) 2011年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)。該機(jī)構(gòu)將原先對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)2011年?duì)I收成長(zhǎng)率的10%預(yù)測(cè)值，下修為5%；此外將2011年IC出貨成長(zhǎng)率由原先預(yù)測(cè)的10%，下修為4%。
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中星微第二季凈虧損630萬(wàn)美元

  • 　　美國(guó)東部時(shí)間8月8日16:00(北京時(shí)間8月9日4:00)消息，中星微(Nasdaq:VIMC)今天發(fā)布了截至6月30日的2011財(cái)年第二季度未經(jīng)審計(jì)財(cái)報(bào)。報(bào)告顯示，中星微第二季度凈營(yíng)收1520萬(wàn)美元，比上一季度的1300萬(wàn)美元增長(zhǎng)16.5%，比去年同期的2430萬(wàn)美元下滑37.7%。按照美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則，第二季度歸屬于中星微的凈虧損為630萬(wàn)美元，去年同期歸屬于中星微的凈虧損為350萬(wàn)美元。
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全球芯片銷售額出現(xiàn)整體下跌

  • 　　根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)統(tǒng)計(jì)數(shù)字，與第一季度相比，第二季度全球芯片銷售額下降2%，與2010年第二季度相比下降了0.5%。
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半導(dǎo)體“中端”領(lǐng)域存在商機(jī)

  • 　　法國(guó)元件調(diào)查公司Yole Developpement公司MEMS及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的分析師Jerome Baron這樣指出：在處于半導(dǎo)體前工序和后工序中間位置的“中端”領(lǐng)域，具有代表性的技術(shù)包括晶圓級(jí)封裝(WLP)及采用TSV(硅通孔)的硅轉(zhuǎn)接板等，潛藏著新的商機(jī)。
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