?nand flash 文章 進入?nand flash技術(shù)社區(qū)
車窗控制系統(tǒng)的LIN2.1協(xié)議應(yīng)用
- 引言LIN協(xié)會于1999年發(fā)布了第一版LIN協(xié)議,至今已有十幾年了,在這十幾年中,LIN總線不斷發(fā)展,已經(jīng)在以車身控制為...
- 關(guān)鍵字: LIN2.1協(xié)議 定時器 Flash
嵌入式系統(tǒng)中Flash存儲管理策略
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: Flash 存儲管理策略 嵌入式系統(tǒng)
半導(dǎo)體需求回溫 東芝元旦假期將加班趕工
- 日本媒體報導(dǎo),全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商東芝(Toshiba)于21日宣布,因半導(dǎo)體需求回溫,故旗下日本半導(dǎo)體工廠將于今年年末的元旦假期期間加班趕工。東芝表示,于去年元旦假期停工8天的姬路半導(dǎo)體工廠今年將不停工持續(xù)進行生產(chǎn);大分工廠今年元旦假期期間的停工天數(shù)則將自去年的6天減半至3天。 東芝姬路半導(dǎo)體工廠主要生產(chǎn)馬達/PC用電源控制晶片、大分工廠主要生產(chǎn)影像感測器及系統(tǒng)整合晶片(SystemLSI)。 東芝于10月31日將今年度(2012年4月-2013年
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12月上旬主流NAND Flash合約價小跌1-2%
- ? 市調(diào)機構(gòu)集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查,雖然系統(tǒng)產(chǎn)品年底銷售旺季備貨高峰期已過,然在NAND Flash原廠持續(xù)對于零售市場減量供貨的情況下,12月上旬NAND Flash合約價較11月下旬僅小跌1-2%,預(yù)估緩跌走勢將持續(xù)至明年1月份。 集邦表示,SK海力士在12月11日遇到產(chǎn)線短暫跳電,但相關(guān)NAND Flash的營運沒有受到影響,現(xiàn)貨價格雖因此有微幅上漲,但整體需求偏弱格局不變。市場面觀察,智慧型手機與平板電腦廠商圣誕假期鋪貨高峰大多落在11月底與12月初
- 關(guān)鍵字: SK NAND Flash 手機
提高 MSP430G 系列單片機的 Flash 擦寫壽命的方法
- 在嵌入式設(shè)計中,許多應(yīng)用設(shè)計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù),由于成本原因,某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器,在MSP430G 系列單片機中并不具備EEPROM。為了存儲非易失性數(shù)據(jù),MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了256 字節(jié)的Flash 空間作為信息Flash,可用于存儲非易失性數(shù)據(jù),但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距,所以在實際應(yīng)用中,這種應(yīng)用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本
- 關(guān)鍵字: 擦寫 壽命 方法 Flash 單片機 MSP430G 系列 提高
蘋果再勝訴 三星特定Galaxy產(chǎn)品在荷蘭禁售
- 11月29日消息,據(jù)國外媒體報道,荷蘭一家法庭周三作出了有利于蘋果的判決,責(zé)令禁止出售特定的三星Galaxy平板電腦和智能手機,因為這些產(chǎn)品侵犯了蘋果的專利。 據(jù)悉,這項禁令適用于版本較老的三星Android設(shè)備,這些產(chǎn)品使用了通過觸摸屏將圖片拖入相冊的蘋果專利技術(shù)。法庭表示,這些2.2.1版本及以上的Galaxy設(shè)備并未使用三星更新后的“藍色閃光”(blue flash)相冊技術(shù)。 這家荷蘭法庭在今周三作出裁決稱,如果三星拒絕執(zhí)行這項判決,那么就必須向蘋果支付每天
- 關(guān)鍵字: 蘋果 Galaxy blue flash
探索TLC閃存壽命:區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)
- 三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個新時代,TLC NAND閃存首次用于消費級產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù),以及三星840的性能、可靠性,我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹,今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。 遺憾的是,沒有任何廠商公開談?wù)撨^TLC閃存的可靠程度,只能猜測編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次),而且三星不像Intel那樣會告訴你具體的閃存寫入量,再加上寫入放大的緣故,根本無從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。 不過還是有個變通方法
- 關(guān)鍵字: 三星 閃存 TLC NAND
大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系統(tǒng)中的設(shè)計與實現(xiàn)
- 1 引 言 隨著嵌人式系統(tǒng)在數(shù)碼相機、數(shù)字攝像機、移動電話、mp3音樂播放器等移動設(shè)備中越來越廣泛的應(yīng)用 ...
- 關(guān)鍵字: NAND FLASH ARM 嵌入式系統(tǒng)
?nand flash介紹
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