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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> ?nand flash

第一季度NAND閃存領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)加劇

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND閃存領(lǐng)域爭(zhēng)奪頭號(hào)排名的競(jìng)爭(zhēng)加劇，排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長(zhǎng)期以來(lái)，三星一直是最大的NAND閃存廠商?！?/li>
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一種基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口設(shè)計(jì)

  • 摘要：從一種軍用板卡的實(shí)際需求出發(fā)，對(duì)SPI接口在設(shè)計(jì)中有諸如FPGA資源和管腳等限制的情況下，快速加栽配置數(shù)據(jù)的方法進(jìn)行了分析。并基于ATMEL公司的AT25F1024 FLASH器件，描述了高速SPI接口的設(shè)計(jì)原理和方法，具有
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Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì),引言
    嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫(xiě)入次數(shù)的壽命限制，因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理的、針對(duì)嵌入式應(yīng)用
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Q2平板出貨恐拖累NAND Flash價(jià)格走勢(shì)

  • 　　根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange表示，截自六月十六日6:00pm為止，由于大部分買(mǎi)方與賣(mài)方就六月上旬NAND Flash合約價(jià)格的談判尚未告一段落，因此六月份NAND Flash合約價(jià)將等到各家廠商價(jià)格談定后DRAMeXchange才會(huì)公布。
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Mobile RAM防線恐失守

  • 　　行動(dòng)裝置風(fēng)潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等，儼然已成為DRAM廠最佳避風(fēng)港，然在各家存儲(chǔ)器大廠一窩蜂搶進(jìn)下，Mobile RAM已率先發(fā)難，出現(xiàn)供過(guò)于求警訊，日廠爾必達(dá)(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產(chǎn)能將轉(zhuǎn)回作PC DRAM，加上近日PC DRAM價(jià)格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn)，DRAM廠12寸廠產(chǎn)能陷入苦尋不到避風(fēng)港困境。 　　存儲(chǔ)器業(yè)者表示，PC市場(chǎng)成長(zhǎng)趨緩是 DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷，而平板計(jì)算機(jī)崛起讓每臺(tái)系統(tǒng)DRAM
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Hynix成功開(kāi)發(fā)出20nm制程64Gbit密度MLC NAND閃存芯片

  • 　　Hynix半導(dǎo)體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發(fā)出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片，Hynix稱這款產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首款基于20nm制程的大容量MLC NAND閃存芯片。 　　
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海力士半導(dǎo)體放緩NAND Flash工藝轉(zhuǎn)換速度

  • 　　南韓半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群，近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級(jí)制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量，以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。 　　海力士相關(guān)人員表示，26納米制程N(yùn)AND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品，成為海力士主力產(chǎn)品。 　　NAND Flash為非揮發(fā)性內(nèi)存芯片，即使中斷供電也能儲(chǔ)存信息，是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)裝
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臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)集成是唯一之道

  • 　　存儲(chǔ)器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲(chǔ)器景氣波動(dòng)，2010年全球獨(dú)立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關(guān)，NAND Flash市場(chǎng)布局也成功跨足固態(tài)硬盤(pán)(SSD)市場(chǎng)，面對(duì)臺(tái)灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當(dāng)下，金士頓創(chuàng)辦人之一的杜紀(jì)川表示，認(rèn)同孫大衛(wèi)認(rèn)為臺(tái)灣 DRAM產(chǎn)業(yè)要集成才有活路的策略，唯有計(jì)畫(huà)性地將各方力量做結(jié)合，才能讓臺(tái)灣DRAM廠免受全球經(jīng)濟(jì)、市場(chǎng)波動(dòng)沖擊?！?/li>
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需求趨緩致NAND閃存芯片價(jià)格下降

  • 　　由于蘋(píng)果等大型企業(yè)的需求不夠強(qiáng)勁，導(dǎo)致5月的NAND閃存芯片合約價(jià)格“快速”降低。 　　今年5月的NAND芯片價(jià)格的降幅已經(jīng)超過(guò)15%，現(xiàn)貨市場(chǎng)的降幅則在20%左右。蘋(píng)果仍是NAND閃存芯片的最大買(mǎi)家，但需求提升不像往年的第二季度那么強(qiáng)勁?！　?/li>
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終端需求疲軟 NAND Flash合約價(jià)大跌

  • 　　第2季NAND Flash終端需求太差，新出爐合約報(bào)價(jià)大跌超過(guò)10%，內(nèi)存模塊廠表示，合計(jì)整個(gè)5月現(xiàn)貨報(bào)價(jià)跌幅達(dá)20%，合約價(jià)合計(jì)跌幅也超過(guò)15%，反映終端需求確實(shí)需要新刺激，目前市場(chǎng)是底部已臨，靜待反彈階段;展望第3季，市場(chǎng)認(rèn)同威剛董事長(zhǎng)陳立白的基調(diào)，預(yù)期第3季仍會(huì)比第2季好一些，但市場(chǎng)不至于會(huì)有缺貨或價(jià)格飆漲的情況發(fā)生。
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flash接口電路的實(shí)現(xiàn)

  • flash接口電路的實(shí)現(xiàn),0引言

    　　我們?cè)谶M(jìn)行嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，根據(jù)需求，要設(shè)計(jì)出特定的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)，而嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)包含硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)和軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)兩個(gè)部分，并且這兩部分設(shè)計(jì)是互相關(guān)聯(lián)、密不可分的，嵌入式應(yīng)用系
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NAND Flash需求急凍 模組廠瀕臨警戒線

  • 　　全球NANDFlash市場(chǎng)需求在5月進(jìn)入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機(jī)大廠亦出現(xiàn)砍單情況，記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫，市場(chǎng)五窮六絕跡象顯現(xiàn)，使得記憶體模組廠營(yíng)收恐再次探底，部分廠商傳出力守2月?tīng)I(yíng)收低點(diǎn)的警戒線。不過(guò)，以毛利率角度來(lái)看，由于NANDFlash價(jià)格并沒(méi)有出現(xiàn)急跌，因此，模組廠5月毛利率仍可暫時(shí)守穩(wěn)在水準(zhǔn)之上。
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基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

  • 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì),摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù)，它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫(xiě)頻率限制，提供更好的讀寫(xiě)速度，以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲(chǔ)要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法。
    關(guān)鍵詞：DDR NAN
  • 關(guān)鍵字： 嵌入式  接口  設(shè)計(jì)  高性能  閃存  DDR  NAND  基于  

基于NAND FLASH的高速大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 摘要：為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲(chǔ)速度低的問(wèn)題，采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲(chǔ)介質(zhì)，大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心，通過(guò)使用并行處理技術(shù)和流水線技術(shù)實(shí)現(xiàn)了多片低速FLASH時(shí)高速數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，提高了整
  • 關(guān)鍵字： FLASH  NAND  大容量  存儲(chǔ)    

存儲(chǔ)器思謀發(fā)展

  • 　　存儲(chǔ)器是隨著計(jì)算機(jī)而發(fā)展起來(lái)的一種專(zhuān)用電子部件，用于保存數(shù)據(jù)和程序，傳統(tǒng)上計(jì)算機(jī)的主存儲(chǔ)器稱Memory，外部設(shè)備用存儲(chǔ)器稱Storage(常用磁盤(pán)、磁帶)。上世紀(jì)50年代中期，主存曾用磁芯存儲(chǔ)器，60年代中期以來(lái)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器開(kāi)始取代磁芯存儲(chǔ)器。隨著時(shí)間的前進(jìn)，存儲(chǔ)器獲得了長(zhǎng)足的發(fā)展。 　　
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  NAND  201105  
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?nand flash介紹

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