海力士半導(dǎo)體放緩NAND Flash工藝轉(zhuǎn)換速度

　　南韓半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群，近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量，以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。

　　海力士相關(guān)人員表示，26納米制程NAND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品，成為海力士主力產(chǎn)品。

　　NAND Flash為非揮發(fā)性內(nèi)存芯片，即使中斷供電也能儲存信息，是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動裝置的主要內(nèi)存。若采用26納米制程生產(chǎn)的NAND Flash，可縮減單一晶圓生產(chǎn)的半導(dǎo)體尺寸，生產(chǎn)性較32納米制程提升60%以上。

　　尤其26納米制程在生產(chǎn)32Gb和64Gb等高容量NAND Flash產(chǎn)品時，較32納米制程更有利，可積極應(yīng)對近來以行動裝置為中心暴增的內(nèi)存需求趨勢。

　　海力士目前正在忠清北道清州廠增建NAND Flash專用廠M11，而M11大部分為26納米制程設(shè)備。海力士相關(guān)人員表示，海力士2011年將會致力強(qiáng)化NAND Flash競爭力，在轉(zhuǎn)換至26納米制程后，計(jì)劃2011年下半開始投入20納米制程N(yùn)AND Flash量產(chǎn)。另一方面，海力士2010年第3季到第4季，在NAND Flash市場的市占率從9.4%攀升至10.4%，2011年第1季擴(kuò)大至10.7%。