首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?nand flash

使用NAND門的基本邏輯門

  • 邏輯門主要有三種類型,即 AND 門、OR 門和 NOT 門。每種邏輯門都有自己不同的邏輯功能。因此,在這些基本邏輯門的幫助下,我們可以得到任何邏輯函數(shù)或任何布爾或其他邏輯表達(dá)式?;具壿嬮T的真值表:了解每個(gè)邏輯門的功能對熟悉轉(zhuǎn)換非常重要。1.NOT 邏輯門:這種邏輯門是數(shù)字邏輯電路中最簡單的一種。該邏輯門只有兩個(gè)端子,一個(gè)用于輸入,另一個(gè)用于輸出。門的輸入是二進(jìn)制數(shù),即只能是 1 或 0。邏輯門輸出端的輸出總是與輸入端相反,也就是說,如果輸入端為 1,則輸出端為 0,反之亦然。可能出現(xiàn)的級數(shù)由 2a 計(jì)
  • 關(guān)鍵字: NAND  邏輯門  

NAND 原廠過夠了「苦日子」,有晶圓合約成功漲價(jià) 10%

  • 廠家期待觸底后的反彈早日到來。
  • 關(guān)鍵字: NAND Flash  

采用NAND和NOR門的SR觸發(fā)器

  • 在本教程中,我們將討論數(shù)字電子學(xué)中的基本電路之一--SR 觸發(fā)器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門的 SR 觸發(fā)器的基本電路、其工作原理、真值表、時(shí)鐘 SR 觸發(fā)器以及一個(gè)簡單的實(shí)時(shí)應(yīng)用。電路簡介我們迄今為止看到的電路,即多路復(fù)用器、解復(fù)用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗(yàn)發(fā)生器和校驗(yàn)器等,都被稱為組合邏輯電路。在這類電路中,輸出只取決于輸入的當(dāng)前狀態(tài),而不取決于輸入或輸出的過去狀態(tài)。除了少量的傳播延遲外,當(dāng)輸入發(fā)生變化時(shí),組合邏輯電路的輸出立即發(fā)生變化。還有一類電路,其輸出不僅取決于當(dāng)前的輸入,還取決
  • 關(guān)鍵字: NAND  NOR門  SR觸發(fā)器  

三星明年將升級NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈

  • 據(jù)媒體報(bào)道,三星作為全球最大的NAND閃存供應(yīng)商,為了提高新一代NAND閃存的競爭力,將在2024年升級其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈,各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設(shè)備運(yùn)行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產(chǎn)線將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進(jìn)的第8代V-NAND,同時(shí)正在將日本東京電子(TEL)的最新設(shè)備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線,此次采購的TEL設(shè)備是用于整個(gè)半導(dǎo)體工藝的蝕刻設(shè)備。三星的半導(dǎo)體產(chǎn)品庫存在今年上半年都有一定程度的增加,在上半年結(jié)束時(shí),三星旗下設(shè)備解決方案部門的庫存已增至
  • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  閃存  

3D NAND還是卷到了300層

  • 近日,三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存,據(jù)爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu),并超過 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存,并計(jì)劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份,據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道,西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知,固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價(jià)和容量還
  • 關(guān)鍵字: V-NAND  閃存  3D NAND  

基于FPGA的NAND Flash的分區(qū)續(xù)存的功能設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

  • 傳統(tǒng)的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開始存儲數(shù)據(jù),會覆蓋上次存儲的數(shù)據(jù),無法進(jìn)行數(shù)據(jù)的連續(xù)存儲。針對該問題,本文設(shè)計(jì)了一種基于FPGA的簡單方便的NAND Flash分區(qū)管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲空間,記錄最新分區(qū)信息,將剩余的NAND Flash空間劃成多個(gè)分區(qū)。本文給出了分區(qū)工作機(jī)理以及分區(qū)控制的狀態(tài)機(jī)圖,并進(jìn)行了驗(yàn)證。
  • 關(guān)鍵字: 202308  NAND Flash  FPGA  分區(qū)  起始地址  

因業(yè)務(wù)低迷,消息稱三星計(jì)劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產(chǎn)

  • IT之家 8 月 16 日消息,據(jù)韓國電子時(shí)報(bào)報(bào)道,為了克服低迷的存儲器市場狀況,三星電子計(jì)劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產(chǎn)設(shè)備。業(yè)內(nèi)人士透露,三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產(chǎn)線部分設(shè)備的生產(chǎn),該生產(chǎn)區(qū)主要負(fù)責(zé)生產(chǎn) 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND,其中的設(shè)備將停產(chǎn)至少一個(gè)月。外媒表示,鑒于市場持續(xù)低迷,業(yè)界猜測三星的 NAND Flash 產(chǎn)量可能會減少 10% 左右,而三星在近來 4 月份發(fā)布的 2023 年第一季度財(cái)報(bào)中也正式
  • 關(guān)鍵字: 三星電子  V-NAND  

基于NAND門的行李安全警報(bào)

  • 在乘坐火車和公共汽車的旅途中,我們會攜帶許多重要的物品,而且總是擔(dān)心有人會偷走我們的行李。因此,為了保護(hù)我們的行李,我們通常會用老辦法,借助鏈條和鎖來鎖住行李。但鎖了這么多把鎖之后,我們還是會擔(dān)心有人會割斷鎖鏈,拿走我們的貴重物品。為了克服這些恐懼,這里有一個(gè)基于 NAND 門的簡易電路。在這個(gè)電路中,當(dāng)有人試圖提起你的行李時(shí),它就會發(fā)出警報(bào),這在你乘坐公共汽車或火車時(shí)非常有用,即使在夜間也是如此,因?yàn)樗€能在繼電器上產(chǎn)生聲光指示。這種電路的另一個(gè)用途是,您可以在家中使用這種電路,以便在這種報(bào)警電路的幫助
  • 關(guān)鍵字: NAND  邏輯門  

ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么?一次性搞清楚!

  • 簡單解釋ROMROM:只讀存儲器,內(nèi)容寫入后就不能更改了,制造成本比較低,常用于電腦中的開機(jī)啟動如啟動光盤bios,在系統(tǒng)裝好的電腦上時(shí),計(jì)算機(jī)將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存,然后通過cpu調(diào)用各種配件進(jìn)行工作這時(shí)系統(tǒng)存放存儲器為RAM。PROM:可編程程序只讀存儲器,但是只可以編寫一次。EPROM:可抹除可編程只讀存儲器,可重復(fù)使用。EEPROM:電子式可抹除可編程只讀存儲器,類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM:隨機(jī)存取存儲器,也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器
  • 關(guān)鍵字: ROM  RAM  FLASH  DDR  EMMC  

被壟斷的NAND閃存技術(shù)

  • 各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
  • 關(guān)鍵字: NAND  3D NAND  

三季度DRAM和NAND閃存價(jià)格跌幅放緩

  • 今年 Q3,存儲產(chǎn)品價(jià)格有望迎來拐點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

6月中國市場NAND Flash Wafer部分容量合約價(jià)有望小幅翻揚(yáng)

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后,已見到部分供應(yīng)商開始調(diào)高wafer報(bào)價(jià),對于中國市場報(bào)價(jià)均已略高于3~4月成交價(jià)。因此,TrendForce集邦咨詢預(yù)估6月在模組廠啟動備貨下,主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈,結(jié)束自2022年5月以來的猛烈跌勢,預(yù)期今年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲,漲幅約0~5%,第四季漲幅將再擴(kuò)大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫存仍待促銷去化,現(xiàn)階段價(jià)格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至,盡管今
  • 關(guān)鍵字: NAND Flash  Wafer  TrendForce  

傳鎧俠/西數(shù)合并進(jìn)入最終階段 NAND Flash營收或超三星?

  • 近日,據(jù)日本共同社消息,日本存儲器大廠鎧俠與合作方美國西部數(shù)據(jù)的合并經(jīng)營已經(jīng)進(jìn)入最終收尾調(diào)整階段。目前,作為全球知名的存儲器廠商,鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競爭對手又是合作伙伴,目前兩家公司正在共同運(yùn)營巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報(bào)道引用相關(guān)人士消息稱,鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設(shè)立新公司、統(tǒng)一開展半導(dǎo)體生產(chǎn)及營銷的方案等,未來雙方將進(jìn)行經(jīng)營合并,擬由鎧俠掌握主導(dǎo)權(quán),關(guān)于出資比率等將繼續(xù)探討。報(bào)道稱,由于面向智能手機(jī)等的半導(dǎo)體行情疲軟、業(yè)績低迷,鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經(jīng)營效率并提高競爭力。資料顯示,鎧俠
  • 關(guān)鍵字: 鎧俠  西數(shù)  NAND Flash  三星  

DDR5 重新下跌,內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格未見回暖

  • 業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場預(yù)期不太樂觀。
  • 關(guān)鍵字: NAND Flash  NAND  DDR5  

需求持續(xù)下修,第一季NAND Flash總營收環(huán)比下跌16.1%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,第一季NAND Flash買方采購動能保守,供應(yīng)商持續(xù)透過降價(jià)求售,但第一季NAND Flash位元出貨量僅微幅環(huán)比增長2.1%,平均銷售(ASP)單價(jià)季減15%,合計(jì)NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收約86.3億美元,環(huán)比減少16.1%。SK集團(tuán)(SK hynix & Solidigm)及西部數(shù)據(jù)(WDC)量價(jià)齊跌,沖擊營收表現(xiàn),環(huán)比下降均逾兩成。SK集團(tuán)受淡季及削價(jià)競爭影響,第一季NAND Flash營收僅13.2億美元,環(huán)比減少24.8%
  • 關(guān)鍵字: 集邦  NAND Flash  
共1455條 6/97 |‹ « 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 » ›|

?nand flash介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條?nand flash!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對?nand flash的理解,并與今后在此搜索?nand flash的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473