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VxWorks文件系統(tǒng)、Flash的TFFS設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- VxWorks文件系統(tǒng)、Flash的TFFS設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),0 引言
在VxWorks的應(yīng)用系統(tǒng)中，基于flash的文件系統(tǒng)通常都采用DOS+FAT+FTL的結(jié)構(gòu)。
一般情況下，磁盤文件系統(tǒng)大多是基于sector的文件系統(tǒng)，磁盤按照物理上分為柱面、磁盤、扇區(qū)，扇區(qū)是基于塊的文件系統(tǒng)操作的 - 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) TFFS Flash 文件 系統(tǒng) VxWorks
U-Boot從NAND Flash啟動的實(shí)現(xiàn)
- 摘要：U-Boot不能從NAND Flash啟動給應(yīng)用帶來些不便，因此修改U-Boot使其支持從NAND Flash啟動。分析了U-Boot啟動流程的兩個(gè)階段及實(shí)現(xiàn)從NAND Flash啟動的原理和思路，并根據(jù)NAND Flash的物理結(jié)構(gòu)和存儲特點(diǎn)，增加U-
- 關(guān)鍵字： 實(shí)現(xiàn) 啟動 Flash NAND U-Boot
日本半導(dǎo)體企業(yè)1Q財(cái)報(bào)喜憂參半
- 日本半導(dǎo)體廠2010年度第1季(4~6月)財(cái)報(bào)表現(xiàn)明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(dá)(Elpida)拜內(nèi)存事業(yè)表現(xiàn)亮眼之賜，獲利從谷底攀升;瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統(tǒng)芯片事業(yè)拖累，該季仍難揮別虧損陰霾。 東芝半導(dǎo)體事業(yè)的營業(yè)利益皆為NANDFlash所挹注。副社長村岡富美雄表示，受惠于蘋果(Apple)iPhone等智能型手機(jī)需求帶動，加上 NANDFlash均價(jià)跌幅趨緩，東芝半導(dǎo)體事業(yè)表現(xiàn)遠(yuǎn)超過預(yù)期。小幅虧損的系統(tǒng)芯片事業(yè)亦因NANDFlash的豐沛獲利得以
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VLSI提高半導(dǎo)體預(yù)測 但CEO們?nèi)允侵?jǐn)慎的樂觀
- VLSI提高IC預(yù)測，但是該公司看到雖然很多產(chǎn)品供不應(yīng)求，但是有一種可能DRAM市場再次下跌。 同時(shí)由于經(jīng)濟(jì)大環(huán)境可能對于產(chǎn)業(yè)的影響，目前對于產(chǎn)業(yè)抱謹(jǐn)慎的樂觀，如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同樣的看法。 VLSI在它的最新看法中發(fā)現(xiàn)各種數(shù)據(jù)是交叉的，按VLSI的最新預(yù)測，2010年IC市場可能增長30%，但是2011年僅增長3.7%。而2010年半導(dǎo)體設(shè)備增長96%。 而在之前的預(yù)測中認(rèn)為2010年全球IC市場增長28.1%，其它預(yù)測尚未改變。
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分析師認(rèn)為閃存熱 但是供應(yīng)鏈不配套
- 無疑2009年對于閃存市場是可怕之年。 要感謝產(chǎn)業(yè)的很快復(fù)蘇，預(yù)測2010年全球閃存市場已經(jīng)很熱，然而按Web-Feet Research報(bào)告，其供應(yīng)鏈部分卻遭受困境。 按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報(bào)告，NOR及NAND市場都很熱。NOR市場由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場與2009年相比增長33.4%，達(dá)215億美元。 這是好的消息而壞消息在供應(yīng)鏈中也開始傳了出來。 Apple及其它OEM釆購大量的閃存，使得市場中有些購買者采
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蘋果砸中閃存
- iPhone、iPad等蘋果i家族產(chǎn)品的熱銷，正引發(fā)連鎖反應(yīng)。 7月28日，閃存企業(yè)SanDisk全球高級副總裁兼零售業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Shuki Nir在上海接受本報(bào)記者專訪時(shí)表示，蘋果產(chǎn)品的熱銷消耗了整個(gè)閃存芯片市場不少庫存，目前行業(yè)正處于供不應(yīng)求的局面。 受此拉動，閃存芯片巨頭們普遍迎來了一個(gè)靚麗的財(cái)季。 近期陸續(xù)出爐的最新一季財(cái)報(bào)顯示，在iPhone以及iPad的拉動下，閃存芯片近期需求及價(jià)格大幅上升，英特爾、三星、美光、海力士、東芝、SanDisk等閃存芯片主要提供商在當(dāng)季的銷售
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三星電子第二季度凈利潤36億美元 同比增83%
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，三星電子周五發(fā)布了該公司2010年第二季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，受芯片業(yè)務(wù)大幅增長的推動，公司第二季度凈利潤同比增長83%。 在截至6月30日的第二季度，三星電子凈利潤為4.28萬億韓元(約合36億美元)。這一業(yè)績好于上年同期，2009年第二季度，三星電子的凈利潤為2.33萬億韓元。三星電子第二季度運(yùn)營利潤為5萬億韓元(約合41億美元)，創(chuàng)公司季度運(yùn)營利潤歷史新高，同比增長87.5%。三星電子第二季度營收為37.9萬億韓元，較去年同期增長17%。三星電子本月初發(fā)布的初步財(cái)報(bào)顯示，公司第
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EUV要加大投資強(qiáng)度
- 未來半導(dǎo)體制造將越來越困難已是不爭的事實(shí)。巴克萊的C J Muse認(rèn)為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰(zhàn)階段，在4x，3x節(jié)點(diǎn)時(shí)發(fā)現(xiàn)了許多問題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒有)，是黃金時(shí)刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及l(fā)ogic中)，高k金屬柵等。由此，在未來的2011-2012年，甚至更長一段時(shí)期內(nèi)必須要加大投資強(qiáng)度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時(shí)間，它是在牛/熊市小組座談會上發(fā)表此看法) 。另一位會議
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三星明年將量產(chǎn)次世代NAND Flash
- 三星電子(Samsung Electronics)宣布，2011年將開始量產(chǎn)較既有快閃存儲器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開始量產(chǎn)后，采用該產(chǎn)品的智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)中所儲存的影片、照片、音樂等再生速度將更上一層樓。 三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規(guī)格NAND Flash開發(fā)作業(yè)，并計(jì)劃于2011年投入量產(chǎn)。三星計(jì)劃20奈米制程以下的NAND Flash產(chǎn)品將
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三星與東芝聯(lián)合 加快NAND Flash速度
- 三星和東芝公司已經(jīng)宣布了一個(gè)合作計(jì)劃，旨在制定新規(guī)范推動NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來說，兩家公司致力于發(fā)展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術(shù)，這比目前版本的NAND閃存接口技術(shù)快了十倍，這項(xiàng)技術(shù)將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開發(fā)的ONFI接口進(jìn)行直接競爭，主要面向高性能產(chǎn)品例如SSD以及智能手機(jī)和消費(fèi)電子產(chǎn)品。 三星和東芝公司目前供應(yīng)NAND快閃記憶體市場70%的貨源，因此它們在行業(yè)內(nèi)具有相當(dāng)大的話語權(quán)，這對他們的新規(guī)范計(jì)劃將非常有利。 三星上個(gè)月
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爾必達(dá)與Spansion簽署NAND Flash代工協(xié)議
- 日廠爾必達(dá)(Elpida)將與飛索半導(dǎo)體(Spansion)擴(kuò)大合作范圍，雙方除共同研發(fā)NAND Flash制程技術(shù)與產(chǎn)品外，爾必達(dá)將為飛索半導(dǎo)體代工生產(chǎn)NAND Flash。另外，爾必達(dá)亦在研擬雙方合作研發(fā)NOR Flash，并為其代工的可能性。 據(jù)悉，爾必達(dá)已取得飛索的NAND IP技術(shù)的授權(quán)，該項(xiàng)技術(shù)乃是以其稱為MirrorBit的獨(dú)家技術(shù)為基礎(chǔ)。此外，爾必達(dá)計(jì)劃自2011年起透過旗下的廣島12寸廠，為飛索代工生產(chǎn)高階NAND Flash，而雙方亦將各自進(jìn)行客戶營銷。 路透(Reut
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) NAND
三星東芝支持高速DDR 2.0 NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)
- 三星和東芝今天共同宣布，雙方將協(xié)力支持新一代高性能NAND閃存技術(shù)：擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存，即toggle DDR 2.0規(guī)范。兩家公司將支持這一規(guī)范成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，被業(yè)界廣泛接受使用。 最初的SDR NAND閃存架構(gòu)接口速度僅為40Mbps，現(xiàn)行的DDR 1.0標(biāo)準(zhǔn)將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動的toggle DDR 2.0規(guī)范則進(jìn)一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND閃存的10倍。 高速閃存接口的優(yōu)勢不言而喻，未來將
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 東芝
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