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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?nand flash

傳韓系三位元型MLC NAND芯片新品質(zhì)量存穩(wěn)定性問題

  • 　　據(jù)業(yè)者透露，韓國廠商生產(chǎn)的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩(wěn)定性和耐用性方面不如現(xiàn)有兩位元型產(chǎn)品，不過消息來源不愿意透露這家韓國廠商的具體名稱。據(jù)消息來源透露，這家韓國廠商首批推出 的三位元MLC NAND閃存芯片只面向大陸以及美國地區(qū)的市場發(fā)售，不過目前部分銷往美國市場的產(chǎn)品已經(jīng)由于產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定而遭到客戶的退貨。 　　據(jù)閃存控制芯片的廠商表示，三位元型MLC NAND閃存芯片技術目前還處在初級發(fā)展階段，由于可能存在一些兼容性等方面的問題，因此需要3個月的時間對這種新產(chǎn)品進行充分的測試。
  • 關鍵字： NAND  閃存芯片  

NAND閃存芯片價格本月逐步趨于平穩(wěn)

  • 　　根據(jù)市場調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計，12月后半個月的MLC NAND閃存芯片價格和前半月相比持平，高密度芯片價格則將下降1-5%。 　　其中，16Gb芯片期貨價格下降2-7%，32Gb芯片價格持平或下降3%，兩種芯片后半個月的平均銷售價格預計為4.42美元和7.18美元，8Gb芯片的平均價格依舊保持在4.02美元。 　　盡管受到季節(jié)性銷售規(guī)律的影響，NAND閃存12月份的銷售價格依舊保持穩(wěn)定?？紤]到一些芯片制造商將重點轉(zhuǎn)移到了工藝升級上，產(chǎn)能上或受影響，很多下游廠商已經(jīng)開始存貨為即
  • 關鍵字： 閃存  NAND  

聚焦2010電子產(chǎn)業(yè)10大機遇

  • 　　經(jīng)歷了09年初的低糜，IC產(chǎn)業(yè)正逐步從危機中復蘇，觀望其2010年的發(fā)展趨勢，可以說是機遇與挑戰(zhàn)并存。本文將對于2010年電子產(chǎn)業(yè)市場的有利與不利因素分別敍述，供業(yè)界探討與分析。 　　10大機遇 　　1. IC行業(yè)的季節(jié)性需求好于預期。FBR分析師Craig Berger說：“亞洲芯片分銷商的最新訂單顯示，第4季度芯片銷售將環(huán)比下降4到8個百分點，比起上個月我們調(diào)查得出的環(huán)比下降10個百分點情況更好，這是由11月份的工業(yè)、消費和智能手機芯片的強勁需求推動的的出貨量下降4%-8%，跌幅較
  • 關鍵字： Altera  LED  IC  NAND  

FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應用

  • FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應用, NAND Flash是采用NAND結(jié)構(gòu)技術的非易失存儲器，具有ROM存儲器的特點，存儲在該芯片中的數(shù)據(jù)可在斷電情況下維持10年不丟失，而芯片的引腳與訪問又具有類似于RAM的特點。NAND FLASH 存儲器將數(shù)據(jù)線與地址線復用為8條線
  • 關鍵字： 系統(tǒng)  應用  嵌入式  MSP430F149  K9F1G08U0M  FLASH  

張汝京下課 中芯大漲

  • 　　為中芯解開多年無法突破的經(jīng)營困境，而與臺積電未來如能合作，將會是個雙贏的局面。張汝京的下臺，為臺積電、中芯國際都找到下一個春天。 　　11月11日，臺灣有四家報紙的頭版頭條報道了同一則新聞：中芯國際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長張汝京宣布辭職;董事會即刻宣布由王寧國接任執(zhí)行董事兼集團總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠臺積電入股中芯半導體10%的股份。 　　中芯將分5年賠償臺積電2億美元，并且無償授予臺積電8%的中芯股權，且臺積電另可在3年內(nèi)以每股1.3港幣的價格認購2%的中芯股權。 　　這件事情所以在臺灣
  • 關鍵字： 中芯國際  晶圓  NOR  NAND  

Intel-鎂光發(fā)起反擊,2xnm制程NAND芯片將投入試制

  • 　　在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品，并對其進行取樣測試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規(guī)格數(shù)字，但外界認為他們很可能會于明年初公布有關的細節(jié)信 息。這樣，鎂光及其NAND技術的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術，甩開對手三星和東芝，重新回到領先全球NAND制作技術的寶 座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創(chuàng)立有一家專門負責NAND業(yè)務的IM閃存技術公司。 　　除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基
  • 關鍵字： 鎂光  NAND  閃存  

海力士：2010年DRAM供不應求

  • 　　據(jù)華爾街日報(WSJ)報導，韓國半導體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場表現(xiàn)，將提升資本支出并擴張產(chǎn)能。 　　海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價在11月后并未下滑，此外，預期2010年全球個人計算機(PC)市場需求將增加10%、全球DRAM存儲器芯片將缺貨，半導體市場已走出過去3年的谷底，前景相當穩(wěn)定。 　　隨著景氣逐漸回升，海力士計劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術水平，及擴張目前的NAND
  • 關鍵字： Hynix  存儲器  NAND   

基于eCos操作系統(tǒng)的FLASH驅(qū)動程序分析與移植

  • 基于eCos操作系統(tǒng)的FLASH驅(qū)動程序分析與移植,0 引 言
    嵌入式系統(tǒng)需要支持的外部設備種類繁多，如何構(gòu)造運行良好的嵌入式設備的驅(qū)動程序，對嵌入式操作系統(tǒng)的實際應用有重要意義。eCos是一種源代碼公開的實時嵌人式操作系統(tǒng)，對嵌入式應用具有良好的支持，內(nèi)
  • 關鍵字： 分析  移植  驅(qū)動程序  FLASH  eCos  操作系統(tǒng)  驅(qū)動  

PC DRAM容量提升至2.92GB　DRAM現(xiàn)貨價大漲3%　

  • 　　沈寂已久的DRAM價格再度動起來，存儲器廠對于DRAM產(chǎn)業(yè)后市看法相當樂觀，DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài)，目前個人計算機(PC)搭載存儲器 平均容量成長16%至2.92GB，未來消費性PC機種搭載DRAM容量可望升級至4GB，市場對于后市看法相當樂觀，原本外界預期12月合約價格會開始下跌，反應淡季效應，但目前開出是持平，反映市場供給不多，而22日現(xiàn)貨價格又開始蠢蠢欲動，一口氣大漲3%;此外，下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場表現(xiàn)將優(yōu)于NAND Flash市場。 　　存儲器模塊廠一致看好2010
  • 關鍵字： 南亞科  DRAM  存儲器  NAND   

東芝等日本半導體廠紛紛取消年底假期持續(xù)生產(chǎn)

  • 　　隨著薄型電視等產(chǎn)品需求呈現(xiàn)增長，東芝(Toshiba)等日本半導體大廠也紛紛取消或縮短今年年底的新年假期持續(xù)進行生產(chǎn)，有別于去(2008)年年底動輒停工近20天的嚴峻局面。 　　報導指出，東芝旗下生產(chǎn)NAND型閃存的四日市工廠去年年底12吋產(chǎn)線停工達13天，惟因今年春天以后智慧型手機訂單增加，故四日市工廠今年年底假期將持續(xù)進行生產(chǎn)不停工。 　　報導指出，NEC電子(NEC Electronics)旗下子公司所屬的熊本川尻工廠原先計劃于元旦期間停工2天，惟因使用于薄型電視和環(huán)保車的微控制器(MCU)
  • 關鍵字： Toshiba  NAND  MCU  

JTAG模式下的MPC5554外部FLASH編程的設計與實現(xiàn)

  • 0 引 言
    隨著信息技術的發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)越來越廣泛地應用于手機通信、汽車、航空航天、工業(yè)控制等領域。在這些電子產(chǎn)品中，大多以嵌人式微處理器為核心，配套相關的外圍輔助設備，對控制對象進行軟硬件的功能
  • 關鍵字： 編程  設計  實現(xiàn)  FLASH  外部  模式  MPC5554  JTAG  

基于DM642的FLASH分頁二級引導程序設計

  • 0 引 言
    TMS320DM642是TI公司推出的一款高性能的數(shù)字多媒體處理器，具有二級存儲器和高速緩沖器，以及超長指令字結(jié)構(gòu)。其運算速度快、體積小、功耗低的優(yōu)點使得它在多媒體處理領域得到了廣泛的應用。開發(fā)基于
  • 關鍵字： FLASH  642  DM  二級    

東芝等日本半導體巨頭恢復增產(chǎn)投資

  • 　　據(jù)國外媒體報道，日本國內(nèi)的半導體巨頭重新開啟了增產(chǎn)投資的大門。東芝公司一直生產(chǎn)手機等設備上使用的閃存，并在該領域排名全球第二，該公司計劃與美國公司共同出資1500億日元，以提高這方面的產(chǎn)能，增產(chǎn)程度約為4成。爾必達公司主要生產(chǎn)PC的內(nèi)存，該公司計劃在2010財年向主要生產(chǎn)廠投資600億日元，將出貨量提高3成。 　　自今年夏天以來，全球半導體市場呈現(xiàn)堅挺的走勢，PC銷售等在需求的刺激下得到恢復。全球經(jīng)濟危機后，日本IT業(yè)大公司一改過去的謹慎投資的態(tài)度而變?yōu)榉e極投資，以期待與韓國三星公司展開競爭。 　
  • 關鍵字： 東芝  NAND  

東芝、爾必達提高半導體事業(yè)資本支出

  • 　　自2009年夏季起全球半導體市場需求回溫，日本半導體大廠增資動作亦轉(zhuǎn)趨積極。日本經(jīng)濟新聞報導指出，東芝(Toshiba)將與美國業(yè)者共同投資1,500億日圓(約16億美元)于NAND Flash事業(yè)，提高約4成產(chǎn)能;爾必達(Elpida)亦計劃在2010年度中，投資600億日圓于主力據(jù)點，以增加3成出貨量。 　　報導指出，東芝擬于2010年度初期在三重縣四日市NAND Flash廠導入尖端設備，此亦為2007年來東芝在NAND Flash事業(yè)上的大舉投資。據(jù)悉，增設新生產(chǎn)線后，整廠生產(chǎn)規(guī)模將由26萬
  • 關鍵字： 東芝  NAND   

傳東芝投資22億美元擴大NAND閃存產(chǎn)能

  • 　　據(jù)國外媒體報道，消息人士周一透露，東芝可能將投資2000億日元(約合22億美元)擴大NAND閃存芯片生產(chǎn)。到2010年4月底，東芝的閃存芯片生產(chǎn)規(guī)模將擴大40%。 　　報道稱，東芝當前還計劃在2012年3月之前，為半導體產(chǎn)業(yè)投資總計5000億日元。市場調(diào)研公司iSuppli上周發(fā)布研究數(shù)據(jù)顯示，今年第三季度全球NAND閃存市場業(yè)績強勁，東芝表現(xiàn)最為搶眼，營收環(huán)比增長近50%。 　　iSuppli的報告稱，全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達39.4億美元。
  • 關鍵字： 東芝  NAND  閃存芯片  
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