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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?nand flash

三星預計今年全球芯片商仍將艱難度日

  • 　　全球最大的存儲芯片制造商--韓國三星電子公司11日預計，由于全球經(jīng)濟形勢惡化，2009年對于芯片商而言是艱難的一年。 　　據(jù)道瓊斯新聞網(wǎng)報道，三星電子公司半導體業(yè)務總裁權五鉉當天對投資者說，很難預測全球芯片市場何時回暖。他說，隨著企業(yè)壓縮信息技術產(chǎn)品開支以及消費者收緊“腰包”，今年以來全球個人電腦和手機市場需求正在持續(xù)萎縮。 　　不過，他指出，今年三星公司的存儲芯片出貨量仍將繼續(xù)增加，預計今年該公司DRAM芯片的出貨量最高將增加15%，NAND閃存芯片出貨量最高將增加30%
  • 關鍵字： 三星  NAND  存儲芯片  

為功耗敏感應用選擇最佳的低功耗、低成本FPGA

  • 功耗敏感應用的設計人員如今面對前所未有嚴格的系統(tǒng)總體功耗限制、規(guī)范和標準。與此同時，這類應用所要求的功...
  • 關鍵字： FPGA  低功耗  Flash  

恒憶聯(lián)合群聯(lián)電子海力士開發(fā)閃存控制器

  • 　　恒憶半導體(Numonyx)、群聯(lián)電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開發(fā)協(xié)議，三方將按照JEDEC新發(fā)布的JEDEC eMMC™ 4.4產(chǎn)業(yè)標準，為下一代managed-NAND解決方案開發(fā)閃存控制器。 預計此項合作將加快當前業(yè)內最先進的eMMC標準的推廣，有助于管理和簡化大容量存儲需求，提高無線設備和嵌入式應用的整個系統(tǒng)級性能。 　　根據(jù)這項協(xié)議，恒憶、群聯(lián)電子和海力士將利用各自的技術，開發(fā)能夠支持各種NAND閃存
  • 關鍵字： Numonyx  NAND  閃存控制器  

內存行業(yè)或已觸底 現(xiàn)貨漲價但復蘇道路漫長

  • 　　《華爾街日報》撰文稱，從上周末三星和海力士發(fā)布的財報可以看出，內存芯片行業(yè)似乎已經(jīng)觸底，這對整個半導體行業(yè)來說是一個積極的信號。 　　雖然內存芯片行業(yè)收入只占全球半導體行業(yè)2600億美元總收入的14%，但作為使用廣泛的芯片，其地位類似芯片行業(yè)中的日用商品，很難與其他芯片部門區(qū)分開來，因此是芯片行業(yè)整體表現(xiàn)的主要指標。內存行業(yè)下滑開始于2007年初，隨后芯片行業(yè)在2008年就開始了全面衰退。 　　上周五，兩家全球最大的內存芯片商三星電子和海力士都在發(fā)布第一季度報告時稱，與芯片有關的虧損低于上年同期。
  • 關鍵字： 海力士  NAND  內存  

iSuppli：存儲芯片市場恢復盈利還為時過早

  • 　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼 　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
  • 關鍵字： NAND  存儲芯片  

TDK推出兼容串行ATA II的GBDriver RS2系列NAND閃存控制器

  • 　　TDK公司日前宣布開發(fā)出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計劃于五月份開始銷售。 　　TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達95MB/S的高速訪問。該產(chǎn)品支持2KB/頁和4KB/頁結構的SLC(單層單元)內存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應用領域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲器，到視聽設
  • 關鍵字： TDK  NAND  

內存晴雨表：聲稱內存市場復蘇的報告過于夸張

  • 　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。 　　繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產(chǎn)品市場將在今年剩余時間內增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業(yè)收入合計將增長3.6%，第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。 　　圖4所示為iSuppli公
  • 關鍵字： iSuppli  NAND  DRAM  

自動圖像報警系統(tǒng)研究及單片機實現(xiàn)

瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器MCU

  • 　　瑞薩科技公司（以下簡稱“瑞薩”）于2009年4月7日宣布推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器微控制器（Flash微控制器）。這個系列是32位SuperH™ RISC系列*1的新成員，它為AC伺服、FA（工廠自動化）設備、樓宇自動化（空調和電力監(jiān)控設備）和各種通信設備等工業(yè)應用實現(xiàn)了200 MHz操作和大量內置式外設及通信功能。SH7216系列包含12個產(chǎn)品群的36款器件，其片上存儲器容量和封裝類型各有不同。 這些產(chǎn)品的主要特性如下： (1) 達到
  • 關鍵字： 瑞薩  RISC  32MCU  Flash  SuperH  

集邦：海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位

  • 　　針對NAND閃存產(chǎn)業(yè)，研究機構集邦科技最新研究報告指出，三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產(chǎn)，市場占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。 　　集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術、產(chǎn)能、營運狀況分析指出，三星因擁有較大產(chǎn)能，同時制程持續(xù)轉往42納米及3x納米，預期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降，但制程技術也將轉往 43納米及32納米，預期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。 　　集邦科技表示，市場占有率第三和第
  • 關鍵字： 海力士  NAND  晶圓  

易用性是FPGA在更多領域獲得成功的關鍵

  • 以提供多種基于Flash和反熔絲技術的低功耗、高可靠性單芯片F(xiàn)PGA而著稱的Actel公司，在全球經(jīng)濟出現(xiàn)下滑的2008...
  • 關鍵字： FPGA  Flash  LCD  

三星和海力士獲得蘋果7000萬NAND大單

  • 　　4月15日消息 據(jù)韓國媒體報道 蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單，要求供應7000萬顆NAND型閃存芯片，用于生產(chǎn)iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發(fā)蘋果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想 　　韓國時報指出，有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果，而海力士也將供應2000萬顆。” 　　部分分析師認為，蘋果這次大規(guī)模訂單，將刺激韓國芯片廠商業(yè)績，同時，也有助于全球芯片產(chǎn)業(yè)早日復蘇。 　　分析師還指出，N
  • 關鍵字： 三星  NAND  芯片  

三維NAND內存技術將讓固態(tài)存儲看到希望

  • 　　IBM的技術專家Geoff Burr曾說過，如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場那么大，而且還要配備自己的發(fā)電廠的話，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而，如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術平臺的話，那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。 　　這并非危言聳聽，過去的解決方案現(xiàn)在已經(jīng)顯露出存儲性能和容量不足的現(xiàn)象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了，而且那樣做也很方便?，F(xiàn)在，Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
  • 關鍵字： IBM  NAND  固態(tài)存儲  

Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲器在E5中的應用

  • 1． E5的特點及體系結構
    E5是位于美國硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU，它是基于8051的內核，但將微處理器的內核，ASCI及可重構邏輯陣列集成與一體，構成一款CSOC（可配置系統(tǒng)）芯片。Triscend E5的主要特點
  • 關鍵字： E5  應用  存儲器  數(shù)據(jù)  Memory  作為  Flash  Triscend E5  閃存  映射  

FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術擴展到NAND存儲器制造

  • 　　美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無灰化清洗技術的ZETA?清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估?？蛻?/li>
  • 關鍵字： FSI  NAND  存儲器  
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