FSI國(guó)際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲(chǔ)器制造

　　美國(guó)明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國(guó)際有限公司(納斯達(dá)克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲(chǔ)器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR™全濕法無(wú)灰化清洗技術(shù)的ZETA®清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對(duì)采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成過(guò)程所帶來(lái)的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺(tái)在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評(píng)估?？蛻魧?duì)制造過(guò)程中無(wú)灰化光刻膠剝離法、實(shí)現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機(jī)臺(tái)能力給予肯定。除了減少缺陷外，用戶們還受益于通過(guò)一步工藝縮短了總的工廠生產(chǎn)流轉(zhuǎn)周期。

　　“NAND 技術(shù)持續(xù)引領(lǐng)器件尺寸縮化的步伐”FSI總裁兼首席執(zhí)行官Don Mitchell說(shuō)道。“ZETA ViPR 擴(kuò)展到NAND制造，驗(yàn)證了先進(jìn)工藝中的全濕法去除的關(guān)鍵增值點(diǎn)——其價(jià)值只會(huì)隨著器件尺寸的不斷縮小而增加。我們?yōu)榭蛻籼峁┑倪@一種真正的差異化工藝是卓有成效的，它能夠?qū)崿F(xiàn)縮短生產(chǎn)周期、減少資本支出以及降低運(yùn)作成本。

　　對(duì)ZETA ViPR技術(shù)不斷提高的認(rèn)可度，源自其在大多數(shù)光刻膠去除工序中免去灰化工藝和自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝之后能有效去除殘留金屬的能力。對(duì)于光刻膠的去除, 除了最極端注入情況以外，ZETA ViPR工藝實(shí)現(xiàn)的獨(dú)有化學(xué)反應(yīng)都可以單獨(dú)通過(guò)濕法化學(xué)反應(yīng)完成光刻膠去除。ViPR技術(shù)的應(yīng)用不僅省去了灰化所需時(shí)間和成本，還免除了由灰化爐造成的損傷和摻雜劑/底材損耗。對(duì)于自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝之后的金屬去除，ZETA ViPR工藝可有效去除未反應(yīng)的金屬，同時(shí)不損壞自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物。特別是通過(guò)與非常先進(jìn)的NiPt自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝成功結(jié)合，可采用更低退火溫度來(lái)減少接面漏電，從而提高了工藝的良品率。