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Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET

  • 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護器件，如今更進一步，Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運用到MOSFET產(chǎn)品組合中，成為行業(yè)競爭的領跑者。該系列小型MOSFET包括： ?新一代可穿戴設備和可聽戴設備正在融入新的人工智能(AI)和機器學習(ML)技術(shù)，這為產(chǎn)品設計帶來了若干挑戰(zhàn)。首先，隨著功能的增加，可供使用的電路板空間變得十分寶貴，另外，隨著
  • 關鍵字： Nexperia  MOSFET  

Nexperia推出全新電平轉(zhuǎn)換器以支持傳統(tǒng)和未來的手機SIM卡

  • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出其電平轉(zhuǎn)換器系列的新晉產(chǎn)品：NXT4557GU和NXT4556UP。新器件可實現(xiàn)下一代低壓手機基帶處理器與用戶身份模塊(SIM)卡的無縫連接。隨著處理器的幾何尺寸向個位數(shù)納米節(jié)點發(fā)展，先進SOC的核心電壓也正逐漸下降。此發(fā)展趨勢導致對電壓轉(zhuǎn)換器的需求日益增加，以將SOC連接到其他標準處理設備和I/O端口（如傳統(tǒng)的Class B和Class C SIM卡）。  NXT4557GU和NXT4556UP是雙電源轉(zhuǎn)換器，支持主機處理器側(cè)1.08 V至1
  • 關鍵字： Nexperia  電平轉(zhuǎn)換器  手機SIM卡   

Nexperia的USB4 ESD二極管件實現(xiàn)了保護和性能的出色平衡

  • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出兩款經(jīng)優(yōu)化的靜電放電(ESD)保護二極管件，適用于高速數(shù)據(jù)線中的重定時器和信號中繼器。PESD2V8Y1BSF專為保護USB4 (Thunderbolt)接口而設計，而PESD4V0Y1BCSF可適用于USB4以及HDMI 2.1。這兩款產(chǎn)品均使用Nexperia的成熟TrEOS技術(shù)，集低鉗位、低電容和高穩(wěn)健性優(yōu)勢于一身。 重定時器和信號中繼器是設計高速USB4接口常用的器件。它們需要電路板走線變更短，從而降低寄生電感，但也會意外地降低整體系統(tǒng)
  • 關鍵字： Nexperia  USB4  ESD  二極管件  

Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg就車規(guī)氮化鎵功率模塊達成合作

  • 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia近日宣布與國際著名的為汽車行業(yè)提供先進電子器件的供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關系，攜手研發(fā)車規(guī)氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長期保持著緊密的聯(lián)系，此次進一步合作的目標是共同開發(fā)GaN功率器件在電動汽車(EV)上的應用。隨著客運車輛日益電氣化，市場對功率半導體的要求也在不斷提高，需要在越來越高的功率密度下提供高效的功率轉(zhuǎn)換。高壓功率氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)與創(chuàng)新型封裝技術(shù)相結(jié)合，可以滿
  • 關鍵字： Nexperia  KYOCERA  氮化鎵  功率模塊  

Nexperia推出全新汽車級CFP2-HP二極管,進一步擴展銅夾片粘合FlatPower封裝二極管產(chǎn)品范圍

  • 基礎半導體領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia近日宣布推出適用于電力應用的14款整流二極管，采用其新型CFP2-HP（銅夾片粘合FlatPower）封裝。提供標準版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二極管（帶1 A和2 A選項），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二極管。針對要求超快速恢復的應用，Nexperia還在產(chǎn)品組合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二極管。在現(xiàn)代汽車架構(gòu)中，
  • 關鍵字： Nexperia  CFP2-HP  二極管  FlatPower  

Nexperia推出全新汽車級CFP2-HP二極管

  • 基礎半導體領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出適用于電力應用的14款整流二極管，采用其新型CFP2-HP（銅夾片粘合FlatPower）封裝。提供標準版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二極管（帶1 A和2 A選項），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二極管。針對要求超快速恢復的應用，Nexperia還在產(chǎn)品組合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二極管。  在現(xiàn)
  • 關鍵字： Nexperia  CFP2-HP  二極管  

Nexperia推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合

  • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia推出了用于自動化安全氣囊應用的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合，重點發(fā)布的BUK9M20-60EL為單N溝道60 V、13 mOhm導通內(nèi)阻、邏輯控制電平MOSFET，應用于LFPAK33封裝。ASFET是專門為用于某一應用而設計并優(yōu)化的MOSFET。此產(chǎn)品組合是Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應用提供的一系列ASFET中的最新產(chǎn)品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增強安全工作區(qū)(SOA)技術(shù)
  • 關鍵字： Nexperia  自動安全氣囊  MOSFET  

Nexperia公布2021年營收數(shù)據(jù)

  • 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日公布2021年財務業(yè)績，數(shù)據(jù)顯示公司在所有領域均實現(xiàn)強勁增長。這家半導體制造公司專門供應分立器件、功率器件和邏輯IC，2021年總營收同比增長49%，達到21.4億美元。這意味著Nexperia的業(yè)績表現(xiàn)優(yōu)于整個半導體市場，公司市場份額得以提高1%，達到9.4%。 過去五年，Nexperia的制造能力不斷提升，目前已經(jīng)處于行業(yè)前沿，完全符合汽車行業(yè)的最高標準，且能提供全面的產(chǎn)品組合。Nexperia首席財務官Stefan Tilger表示：“我們公司自
  • 關鍵字： Nexperia  

Nexperia繼續(xù)擴充采用小型DFN封裝、配有側(cè)邊可濕焊盤的分立器件產(chǎn)品

  • 基礎半導體元器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia，今日宣布其分立式器件系列推出新品，新器件采用無引腳DFN封裝，配有側(cè)邊可濕焊盤 (SWF)。這些器件堅固耐用，節(jié)省空間，有助于滿足下一代智能電動汽車的應用需求。Nexperia的所有產(chǎn)品系列都符合AEC-Q101標準，包括： ·       采用DFN1110D-3封裝的BC817QBH-Q和BC807QBH-Q系列45V 500mA NPN/NPN通用三極管?！?nbsp;&nbs
  • 關鍵字： Nexperia  小型DFN封裝  分立器件  

Nexperia正式啟動全新達拉斯設計中心

  • Nexperia近日宣布，其位于德州達拉斯的全新設計中心正式啟動。值此成為獨立實體五周年之際，這一舉措標志Nexperia朝著2030年成為全球基礎半導體領軍企業(yè)的既定目標又邁出了重要的一步。達拉斯設計中心是Nexperia在北美地區(qū)設立的第一家研發(fā)機構(gòu)，專注于開發(fā)模擬信號轉(zhuǎn)換和電源管理IC。新研發(fā)中心由Nexperia電源和信號轉(zhuǎn)換業(yè)務部門總經(jīng)理Irene Deng領導，她表示：“達拉斯設計中心代表了公司的一個關鍵里程碑，一方面是因為它體現(xiàn)了Nexperia在北美推進研究工作的決心，另一方面它還將助力N
  • 關鍵字： Nexperia  設計中心  

Nexperia先進電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍

  • 基礎半導體元器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導體）近日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。這些先進模型中加入了反向二極管恢復時間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數(shù)可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級仿真，并在原型設計前對電熱及EMC性能進行評估。模型還有助于節(jié)省時間和資源，工程師此
  • 關鍵字： Nexperia  電熱模型  MOSFET  

Nexperia迎來獨立公司成立五周年慶典，未來將繼續(xù)大展宏圖

  • Nexperia（安世半導體）今天隆重宣布 - 慶祝公司作為獨立實體進入半導體行業(yè)五周年。Nexperia仍是一個較為年輕的品牌，但憑借過去幾十年在半導體制造領域樹立的良好口碑和強勁表現(xiàn)，經(jīng)過五個春秋的不懈努力，已經(jīng)在市場站穩(wěn)腳跟。 回望2017年成立之初，Nexperia秉持滿懷激情和專業(yè)精深的精神積極打造創(chuàng)新產(chǎn)品，既滿足了客戶需求，也實現(xiàn)了與客戶的共同成長。  五年來，Nexperia展現(xiàn)了種種前瞻性理念和業(yè)績增長，推出引領市場的產(chǎn)品，實現(xiàn)業(yè)界先進水平的產(chǎn)能開發(fā)，可在持續(xù)滿足嚴苛的車規(guī)級標準
  • 關鍵字： Nexperia  

Nexperia50μA齊納二極管可延長電池續(xù)航時間，節(jié)省PCB空間

  • 基礎半導體元器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出全系列低電流穩(wěn)壓器二極管。50μA齊納二極管系列提供3種不同的表貼(SMD)封裝選項，采用超小型分立式扁平無引腳(DFN)封裝以及符合AEC-Q101標準的器件，為客戶提供了更多選擇和靈活性。這些高效率二極管采用在低測試電流(50μA)下的性能工作，非常適合移動、可穿戴、汽車和工業(yè)應用中的低偏置電流和便攜式電池供電設備。 Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Paula Stümer表示：“DFN1006BD-2封裝器件配有可濕錫焊接側(cè)側(cè)邊可濕錫
  • 關鍵字： Nexperia  齊納二極管  

Nexperia推出一系列A-selection齊納二極管，可提供高精度基準電壓

  • 基礎半導體元器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導體）今天宣布推出業(yè)內(nèi)首批A-selection齊納二極管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差僅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基準電壓。這兩個系列不僅可以滿足日漸增長的移動便攜式和可穿戴應用、汽車和工業(yè)應用的需求及監(jiān)管要求，也可以支持Q產(chǎn)品組合器件。 “Nexperia的A-selection齊納二極管涵蓋從1.8V至75V的各種應用，提供高精度、低容差基準電壓
  • 關鍵字： Nexperia  A-selection  齊納二極管  

Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列

  • 基礎半導體元器件領域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰(zhàn)略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級器件，重復反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續(xù)正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉(zhuǎn)換應用實現(xiàn)超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
  • 關鍵字： Nexperia  碳化硅  SiC  二極管  
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