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Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET

  • 奈梅亨，2023年5月10日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級(jí)聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。  Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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Nexperia 聘請(qǐng)經(jīng)紀(jì)公司出售Newport晶圓廠

  • Newport 晶圓廠擁有每月超過(guò) 35,000 個(gè) 200mm 晶圓的制造能力。
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Nexperia推出先進(jìn)的I2C GPIO擴(kuò)展器產(chǎn)品組合

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出全新16通道I2C通用輸入輸出(GPIO)擴(kuò)展器產(chǎn)品組合，旨在提高電子系統(tǒng)的靈活性和重復(fù)利用能力。其中一款GPIO擴(kuò)展器NCA9595采用可通過(guò)寄存器配置的內(nèi)部上拉電阻，可根據(jù)實(shí)際需要自定義以優(yōu)化功耗。當(dāng)需要擴(kuò)展I/O數(shù)量時(shí)，利用該產(chǎn)品組合可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)潔的設(shè)計(jì)，同時(shí)盡可能減少互連。這有助于設(shè)計(jì)工程師增添新功能，而且不會(huì)增加PCB設(shè)計(jì)復(fù)雜性和物料成本。 隨著服務(wù)器、汽車(chē)、工業(yè)、醫(yī)療和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的發(fā)展，需要通過(guò)微控制器進(jìn)行監(jiān)測(cè)的傳感器信
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Nexperia針對(duì)嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用 推出650V碳化硅二極管

  • 奈梅亨，2023年4月20日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效率的電源應(yīng)用。10 A、650 V SiC肖特基二極管滿足工業(yè)級(jí)器件標(biāo)準(zhǔn)，可應(yīng)對(duì)高電壓和高電流應(yīng)用帶來(lái)的挑戰(zhàn)，包括開(kāi)關(guān)模式電源、AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池充電基礎(chǔ)設(shè)施、不間斷電源和光伏逆變器，并提高持續(xù)運(yùn)行性能。例如，相比僅使用硅基解決方案的數(shù)據(jù)中心，配備采用Nexperia PSC1065K SiC肖特基二極管設(shè)計(jì)電源的數(shù)
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Nexperia推出能源采集PMIC，以加速開(kāi)發(fā)環(huán)境友好型能源自主式低功耗器件

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出能量采集解決方案，進(jìn)一步豐富其電源管理IC系列。該方案可簡(jiǎn)化低功耗物聯(lián)網(wǎng)(IoT)及其嵌入式應(yīng)用，并增強(qiáng)應(yīng)用性能。NEH2000BY是高性能電源管理集成電路(PMIC)，可從環(huán)境中收集能源（例如借助光伏電池采集光能），并給電池或儲(chǔ)能電容充電。憑借此特性，Nexperia的NEH2000BY可為開(kāi)發(fā)體積更小、更環(huán)保的自供電式電子設(shè)備提供支持。此外，該能源采集解決方案還有助于減輕每年生產(chǎn)和廢棄的數(shù)十億電池對(duì)環(huán)境的影響。 NEH2000BY 可幫助簡(jiǎn)化能源采集
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Nexperia首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強(qiáng)安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些新型ASFET針對(duì)要求嚴(yán)格的熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了全面優(yōu)化，可在175°C下工作，適用于先進(jìn)的電信和計(jì)算設(shè)備。 憑借數(shù)十年開(kāi)發(fā)先進(jìn)晶圓和封裝解決方案所積累的專業(yè)知識(shí)，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產(chǎn)品組合中的首選，
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Nexperia推出適用于24 V電源系統(tǒng)的車(chē)載網(wǎng)絡(luò)ESD保護(hù)產(chǎn)品組合

  • 奈梅亨，2023年3月6日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品組合，其中包含六個(gè)ESD保護(hù)器件(PESD2CANFD36XX-Q)，旨在保護(hù)LIN、CAN、CAN-FD、FlexRay和SENT等車(chē)載網(wǎng)絡(luò)(IVN)中的總線免受靜電放電(ESD)和其他瞬變?cè)斐傻膿p壞。 隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的提高和車(chē)載電子含量的增加，ESD保護(hù)的需求變得越來(lái)越重要，提供正確的保護(hù)類型已成為設(shè)計(jì)工程師的巨大挑戰(zhàn)。與汽車(chē)和小型車(chē)輛中的電池電壓相比，24 V電源通常用于卡車(chē)和商用車(chē)
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了解RET的開(kāi)關(guān)特性

  • 可通過(guò)基極電流開(kāi)啟或關(guān)閉雙極結(jié)型晶體管(BJT)。但是，由于基極-發(fā)射極二極管兩端的壓降在很大程度上取決于溫度，因而在許多應(yīng)用中，需要一個(gè)串聯(lián)電阻將基極電流保持在所需水平，從而確保BJT穩(wěn)定安全地工作。閱讀本文，了解如何使用RET來(lái)應(yīng)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)BJT的溫度依賴性。為了減少元器件數(shù)量、簡(jiǎn)化電路板設(shè)計(jì)，配電阻晶體管將一個(gè)或兩個(gè)雙極性晶體管與偏置電阻組合在一起，集成在同一個(gè)晶片上。替代方案包括在基極-發(fā)射極路徑上并聯(lián)第二個(gè)集成電阻，以創(chuàng)建用于設(shè)置基極電壓的分壓器。這可以提供更精細(xì)的微調(diào)和更好的關(guān)斷特性。由于這些內(nèi)部
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Nexperia宣布面向高速數(shù)據(jù)線的TrEOS系列ESD保護(hù)器件再添兩款新產(chǎn)品

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布Nexperia TrEOS產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護(hù)二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發(fā)電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶，浪涌抗擾度出眾，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級(jí)。 Nexperia高級(jí)產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider表示：“Nexperia開(kāi)發(fā)了TrEOS產(chǎn)品組合，專門(mén)用于為我們的客戶提供一系列適用于USB3.2、USB4?、Thunderbolt
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Nexperia發(fā)布用于汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用的650 V超快恢復(fù)整流管

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布，旗下面向工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域的銅夾片F(xiàn)latPower (CFP)封裝二極管系列產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。新增產(chǎn)品包括4個(gè)采用CFP3和CFP5封裝的650 V、1 A器件，可應(yīng)用于車(chē)載充電器(OBC)和電動(dòng)汽車(chē)逆變器，以及工業(yè)應(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換器、PV逆變器和電源。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品包括PNU65010ER (CFP3)和PNU65010EP (CFP5)，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品包括PNU65010ER-Q (CFP3)和PNU65010EP-Q (CFP5)
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Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應(yīng)用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布擴(kuò)展其適用于熱插拔和軟啟動(dòng)的ASFET產(chǎn)品組合，推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的RDS(on)相結(jié)合，非常適合用于12V熱插拔應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和通信設(shè)備。  多年來(lái)，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業(yè)知識(shí)和廣泛的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)結(jié)合起來(lái)，增強(qiáng)器件中關(guān)鍵MOSFET的性能，滿足特定應(yīng)用的要求，以打造市場(chǎng)領(lǐng)先的ASFET。自ASFET推出以來(lái)，針對(duì)電池隔離(BMS)、直流
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Nexperia 授予 Digi-Key Electronics 2021 年度電子零售商獎(jiǎng)

  • 全球供應(yīng)品類豐富、發(fā)貨快速的現(xiàn)貨電子元器件產(chǎn)品分銷(xiāo)商 Digi-Key Electronics，榮獲 Nexperia 頒發(fā)的 2021 年度電子零售商獎(jiǎng)，Nexperia 是半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能權(quán)威專家之一。Digi-Key 榮獲 Nexperia 頒發(fā)的 2021 年度電子零售商獎(jiǎng)Digi-Key 全球供應(yīng)商管理副總裁 David Stein 表示：“我代表整個(gè) Digi-Key 團(tuán)隊(duì)，感謝 Nexperia 授予我們這一巨大榮譽(yù)。在這個(gè)前所未有的時(shí)刻，能得到
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Nexperia成功增強(qiáng)其CFP功率二極管的范圍

  • 奈梅亨，2022年10月12日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高性能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出其快速擴(kuò)展的銅夾片F(xiàn)latPower (CFP)封裝二極管系列的最新產(chǎn)品，主要應(yīng)用于工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域。此最新產(chǎn)品含有32個(gè)平面肖特基二極管以及8個(gè)超快速恢復(fù)整流二極管，均封裝在CFP15B中。包含通用型號(hào)和符合AEC-Q101車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的帶Q的器件。通過(guò)將多種版本的器件推向市場(chǎng)，Nexperia強(qiáng)調(diào)了其擴(kuò)大產(chǎn)能、加快向體積更小和熱優(yōu)化的封裝過(guò)渡的承諾。讓工程師僅從一家供應(yīng)商即可獲取市場(chǎng)上最為廣泛的CFP封裝二極管產(chǎn)品
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Nexperia超低電容ESD保護(hù)二極管保護(hù)汽車(chē)數(shù)據(jù)接口

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布擴(kuò)展其超低鉗位和超低電容ESD保護(hù)二極管系列產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品組合旨在保護(hù)USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽車(chē)A/V監(jiān)視器、顯示器和攝像頭等高速數(shù)據(jù)線。此外，該產(chǎn)品組合還旨在解決未來(lái)高速視頻鏈路以及開(kāi)放技術(shù)聯(lián)盟MGbit以太網(wǎng)應(yīng)用。  新晉產(chǎn)品包括2引腳單線器件PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q，采用超緊湊型DFN1006BD-2封裝，同時(shí)優(yōu)化了布線靈活性。此外，還有兩款采用DFN1006-3封裝的3引腳
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Nexperia發(fā)布具備市場(chǎng)領(lǐng)先效率的晶圓級(jí)12和30V MOSFET

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號(hào)Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級(jí)DSN1006封裝，具有市場(chǎng)領(lǐng)先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機(jī)、智能手表、助聽(tīng)器和耳機(jī)等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢(shì)，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。 RDS(on)與競(jìng)爭(zhēng)器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負(fù)載開(kāi)關(guān)
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