三星電子 文章 進入三星電子技術(shù)社區(qū)
三星電子挑戰(zhàn)臺積電的決戰(zhàn)前夜
- 半導(dǎo)體內(nèi)存業(yè)界的最大廠商--韓國三星電子(SamsungElectronics)，該公司從數(shù)年前就致力于擴大非內(nèi)存領(lǐng)域的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。尤其是近年來，其SoC(System On AChip)業(yè)務(wù)業(yè)績興旺。從該公司先后擊退競爭對手，連續(xù)獲得了美國蘋果的平板終端“iPad”、手機“iPhone”以及便攜式媒體播放器“iPodshuffle”的核心部件(SoC)訂單的業(yè)績上，就可推測出該公司的實力非同小可。某邏輯LSI廠商高管這樣評價三星
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三星宣布其300mm 32nm LP Gatefirst HKMG制程SOC芯片產(chǎn)線已通過驗證
- 三星電子公司宣布其位于京畿道器興的300mm晶圓廠的S號產(chǎn)線已經(jīng)具備了采用32nm LP(低功耗)Gate first HKMG制程生產(chǎn)SOC芯片的能力，這條產(chǎn)線將可用于代工生產(chǎn)客戶設(shè)計的SOC芯片產(chǎn)品。三星這次啟用的32nm LP(低功耗)Gate first HKMG制程是由IBM領(lǐng)導(dǎo)下的IBM聯(lián)合開發(fā)技術(shù)聯(lián)盟(IBM Joint Development Alliance)開發(fā)出來的。 三星目前已經(jīng)采用這種32nm LP制程技術(shù)制造出了一種基于ARM 1176處理器核心的SOC芯片產(chǎn)品，這種
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南亞科、瑞晶40納米6月導(dǎo)入 全面反制三星大擴產(chǎn)計畫
- 繼三星電子(Samsung Electronics)宣布大手筆資本支出，臺系DRAM廠亦不甘示弱，臺塑集團旗下南亞科和爾必達(Elpida)集團旗下瑞晶都決定提前于6月導(dǎo)入 42及45納米制程，較原訂計畫提前整整1季。南亞科發(fā)言人白培霖表示，40納米世代技術(shù)對半導(dǎo)體業(yè)者是很大挑戰(zhàn)，但對于美光(Micron)與南亞科而言，42納米是50納米制程延伸技術(shù)，只要跨過50納米，快速銜接42納米制程并不難。 面對三星來勢洶洶，半導(dǎo)體事業(yè)資本支出高達80 億~90億美元，臺系DRAM廠因應(yīng)之道就是加速制程微
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三星海力士大規(guī)模增設(shè)產(chǎn)線 恐改變市場規(guī)則
- 三星電子日前宣布對半導(dǎo)體領(lǐng)產(chǎn)業(yè)進行11兆韓元的大規(guī)模投資，意圖拉開與競爭者的距離。 據(jù)南韓MTNews報導(dǎo)，南韓的主要出口產(chǎn)品半導(dǎo)體和TFTLCD是大規(guī)模設(shè)備的事業(yè)，隨著景氣起伏反復(fù)呈現(xiàn)好、壞情況，甚至遇到景氣較佳時期，各業(yè)者紛紛增加設(shè)備，反而導(dǎo)致供過于求，變質(zhì)成各業(yè)者間進行降低業(yè)界整體利益的惡性競爭，并進而改變產(chǎn)業(yè)市場的游戲規(guī)則。三星電子 (SamsungElectronics)、海力士(Hynix)、LGDisplay等近期接連調(diào)整設(shè)備投資金額，引發(fā)其它業(yè)者是否將導(dǎo)致惡性競爭的疑慮，南韓專家
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三星擴增邏輯組件產(chǎn)能 意在取代英特爾
- 據(jù)報導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)投資36億美元，擴增位在美國德州奧斯汀(Austin)的12吋晶圓廠。乍聽之下，似乎沒有什么特別之處，然而奧斯汀的新產(chǎn)能并不是投注在內(nèi)存，而是在邏輯組件，這就讓觀察家有些不解，畢竟三星是全球排名第一的內(nèi)存廠商，但邏輯組件排名第8，擴增邏輯組件產(chǎn)能的原因為何?市場猜測，三星意在此領(lǐng)域取代英特爾。 首先是三星與蘋果(Apple)的合作關(guān)系讓三星在邏輯組件的實力增加，除了提供iPod中的內(nèi)存外，三星也是iPhone主要應(yīng)用處理器的供貨商。分析師
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三星海力士大規(guī)模增設(shè)產(chǎn)線 恐改變市場規(guī)則
- 三星電子日前宣布對半導(dǎo)體領(lǐng)產(chǎn)業(yè)進行11兆韓元的大規(guī)模投資，意圖拉開與競爭者的距離。 據(jù)南韓MT News報導(dǎo)，南韓的主要出口產(chǎn)品半導(dǎo)體和TFT LCD是大規(guī)模設(shè)備的事業(yè)，隨著景氣起伏反復(fù)呈現(xiàn)好、壞情況，甚至遇到景氣較佳時期，各業(yè)者紛紛增加設(shè)備，反而導(dǎo)致供過于求，變質(zhì)成各業(yè)者間進行降低業(yè)界整體利益的惡性競爭，并進而改變產(chǎn)業(yè)市場的游戲規(guī)則。三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、LG Display等近期接連調(diào)整設(shè)備投資金額，引發(fā)其它業(yè)者是否將導(dǎo)致惡性競爭的疑慮，南
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弱勢韓元 三星海力士2Q看俏
- 據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)報導(dǎo)，由于韓元弱勢，韓國2大半導(dǎo)體公司三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)可望從中受惠，第2季的營業(yè)利益(Operating Profit)可望較第1季成長。 投資機構(gòu)Citi Investment Research & Analysis分析師Henry Kim表示，由于韓元走弱，加上美元相對穩(wěn)定，2家公司可望從匯率的變化中獲得雙重利益。 Citi預(yù)期在以美元計算時，存儲器價格在第2季可望提升。造成此現(xiàn)象的主要原因有2個，
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臺積電高管：三星較GlobalFoundries更具威脅性
- 晶圓代工市場戰(zhàn)火越來越激烈，三星電子(Samsung Electronics)與全球晶圓(Global Foundries;GF)競飆資本支出，擴充產(chǎn)能及提升技術(shù)，讓臺積電如臨大敵，不過，臺積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義認為，從成本優(yōu)勢來看，三星較 Global Foundries具威脅性，然Global Foundries來勢洶洶，恐怕會對價格造成影響。 歐洲微電子研究所 (Imec)新研發(fā)中心9日落成，宣示跨入18寸晶圓研發(fā)里程碑，并邀集全球半導(dǎo)體合作伙伴到場參與，包括英特爾(Intel)、
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三星電子將投資36億美元擴大在美半導(dǎo)體工廠
- 韓國三星電子公司(SamsungElectronicsCo.)稱，計劃投資36億美元，擴大位于美國德克薩斯州奧斯丁的半導(dǎo)體工廠規(guī)模，將新增 500個就業(yè)機會。 奧斯丁學(xué)區(qū)的該座工廠是三星電子公司在韓國本土以外的唯一一家半導(dǎo)體工廠，此次投資將用于增建兩一個占地面積 230萬平方英尺的半導(dǎo)體工廠。 來自奧斯丁商會的DavePorter稱，近幾年，奧斯丁學(xué)區(qū)的半導(dǎo)體生產(chǎn)工廠已經(jīng)開始向海外搬遷，而該區(qū)的半導(dǎo)體工廠也從最多時候的13家減少至現(xiàn)在的4家，因企業(yè)在海外找到了更家節(jié)省成本的運營地點。
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三星2010年芯片銷售飚升至300億美元
- 美國市場調(diào)研公司ICInsights在5月30日表示，預(yù)計韓國三星電子公司2010年全年的半導(dǎo)體芯片銷售額將會增長 50%，飚升至300億美元。 ICInsights公司的報告顯示，三星公司在今年第一季度實現(xiàn)了71.4億美元的銷售額，這為實現(xiàn)年度目標(biāo)開了個好頭。從全球內(nèi)存芯片市場來看，因特爾公司在第一季度實現(xiàn)了94.9億美元的銷售額，居于市場最高位，三星公司次之;日本東芝在第一季度實現(xiàn)了32.4億美元的銷售額，居于第三位。 ICInsights公司表示，由于全球內(nèi)存芯片市場形勢很好，芯片制
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內(nèi)存市場地位穩(wěn)固 三星加大NAND芯片產(chǎn)能
- 據(jù)報道，臺灣DRAM內(nèi)存制造商認為，三星目前已經(jīng)將重點放在了拉大與競爭對手在NAND閃存市場差距。由于在DRAM市場的地位十分穩(wěn)固，三星未來將不 會繼續(xù)加強該市場的投資，因此其它DRAM廠商在這方面的影響將會比較小。三星此前在全球NAND閃存市場的份額一度達到50%，但目前 已經(jīng)滑落到了40%，而且排在第二的東芝也是在身后緊追不舍。為了拉大與東芝的差距，三星可能將會將其NAND閃存芯片生產(chǎn)集中在新建的Line-16生 產(chǎn)線上。 外界還認為，受到操縱內(nèi)存價格事、可能遭受反壟斷調(diào)查影響，三星未來在D
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三星砸錢瞄準(zhǔn)東芝 臺DRAM廠喘口氣
- 三星電子(Samsung Electronics)宣布投下巨額資本支出計畫，在全球DRAM產(chǎn)業(yè)掀起滔天巨浪，尤其臺系DRAM廠憂心忡忡，擔(dān)心還沒打仗就先輸了一半，不過，近期存儲器業(yè)者在深入探詢?nèi)遣季趾蟊硎?，三星這場充滿殺敵言論的喊話動作，真正用在DRAM產(chǎn)能擴充上應(yīng)是相當(dāng)有限，主要還是與東芝(Toshiba)NAND Flash龍頭保衛(wèi)戰(zhàn)，三星才有輸不得的壓力，加上三星針對LED、電池、太陽能、生物科技、醫(yī)療等5大新興事業(yè)體拓展雄心，對于DRAM產(chǎn)業(yè)威脅將低于預(yù)期。 三星在5月中旬宣布全球半導(dǎo)
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三星半導(dǎo)體營利可望達10兆韓元
- 三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長權(quán)五鉉出席在首爾新羅飯店召開的世界半導(dǎo)體協(xié)議會(WSC)會議，并表示三星半導(dǎo)體事業(yè)部第2季成績將較第1季更亮眼，預(yù)計年度營業(yè)利益將可突破10兆韓元大關(guān)。 三星第1季在半導(dǎo)體部分寫下8.2兆韓元銷售額和1.96兆韓元營業(yè)利益的紀(jì)錄。第2季銷售額和營業(yè)利益將大幅上升，且下半年市場也頗受看好，半導(dǎo)體事業(yè)部可望創(chuàng)下約10兆韓元的營業(yè)利益佳績。 三星目前尚無特定事業(yè)部門達到年度營業(yè)利益逾10兆韓元的紀(jì)錄，公司整體的營業(yè)利益以2004年
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Rambus、NVIDIA侵權(quán)判決延后 三星專利授權(quán)協(xié)議牽動結(jié)果
- 據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo)，美國芯片設(shè)計業(yè)者Rambus與繪圖芯片廠NVIDIA間的專利訴訟爭議結(jié)果將延后出爐，美國國際貿(mào)易委員會(ITC)表示，將再詳細審視Rambus日前與三星電子(Samsung Electronics)達成的專利授權(quán)協(xié)議，延遲至2010年7月26日公布判決。 ITC表示，將審視Rambus與三星達成9億美元的專利授權(quán)協(xié)議，是否已用盡能對NVIDIA提起侵權(quán)的權(quán)利。此外，ITC原訂于2010年5月26日公布判決，然將延遲至2010年7月26日公布判決結(jié)果。 Ra
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