南亞科、瑞晶40納米6月導(dǎo)入 全面反制三星大擴產(chǎn)計畫
繼三星電子(Samsung Electronics)宣布大手筆資本支出,臺系DRAM廠亦不甘示弱,臺塑集團旗下南亞科和爾必達(Elpida)集團旗下瑞晶都決定提前于6月導(dǎo)入 42及45納米制程,較原訂計畫提前整整1季。南亞科發(fā)言人白培霖表示,40納米世代技術(shù)對半導(dǎo)體業(yè)者是很大挑戰(zhàn),但對于美光(Micron)與南亞科而言,42納米是50納米制程延伸技術(shù),只要跨過50納米,快速銜接42納米制程并不難。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/110008.htm面對三星來勢洶洶,半導(dǎo)體事業(yè)資本支出高達80 億~90億美元,臺系DRAM廠因應(yīng)之道就是加速制程微縮腳步,臺系DRAM廠現(xiàn)在都卯足勁加速制程轉(zhuǎn)換,提前新一代制程導(dǎo)入時間點。南亞科和瑞晶不約而同將旗下40納米制程世代,提前于6月導(dǎo)入,相較于原本計畫提前整整1季。存儲器業(yè)者表示,一方面是因為ASML浸潤式微影設(shè)備(Immersion Scanner)陸續(xù)交貨,另一方面則是受到三星的刺激,決定要加快新制程速度,免得未來在技術(shù)和成本競爭力與三星越拉越大。
南亞科指出,目前12寸晶圓廠3萬片產(chǎn)能中,50與68納米制程各占50%,預(yù)計第3季全數(shù)轉(zhuǎn)進50納米,而原本第3季才投片試產(chǎn)的42納米制程,將提前于6月投片,預(yù)計42納米制程成本結(jié)構(gòu)可較50納米下降 30%,相當具有競爭力。至于同集團的華亞科42納米制程進度亦是同步提前,原本計劃第4季導(dǎo)入,目前預(yù)計9月開始試產(chǎn)。
瑞晶亦決定提前在6月導(dǎo)入爾必達45納米制程,事實上,瑞晶早就希望在第2季導(dǎo)入45納米制程,但因ASML浸潤式微影設(shè)備一直延宕交貨,使得瑞晶被迫延后,原本以為要等到第3季,如今確定6月開始導(dǎo)入,預(yù)計可趕上第3季底逐漸量產(chǎn)。瑞晶目前主流投片制程為63納米,預(yù)計7月旗下8萬片12寸晶圓廠產(chǎn)能可全數(shù)轉(zhuǎn)進63納米,同時亦全力提升45納米制程良率。
白培霖認為,40納米制程世代對于所有半導(dǎo)體廠包括DRAM廠、晶圓代工廠,都是很大挑戰(zhàn),要從 60或70納米直接跳到40納米制程,技術(shù)門檻很高,但南亞科和美光狀況不一樣,美光42納米幾乎是50納米微縮延伸版本,美光、南亞科和華亞科都花很多時間轉(zhuǎn)進50納米,未來在導(dǎo)入42納米時,技術(shù)難度就不會這么高。
瑞晶和力晶目前大量導(dǎo)入63納米制程,優(yōu)點是投入極少資本支出,但獲得成本效益并不輸美光陣營50納米制程技術(shù),但缺點是采用63納米制程無法生產(chǎn)2Gb容量芯片,雖然可以用2顆1Gb芯片來堆疊出貨,但在封裝成本效益及省電上,1Gb芯片還是無法與2Gb芯片相比。
由于三星宣布將投入高達80億~90億美元資本支出在半導(dǎo)體事業(yè)上,其中一半資金用在升級現(xiàn)有DRAM廠機器設(shè)備和制程技術(shù),顯見三星對于其46納米、甚至下一代30納米制程相當有信心,因此,DRAM市場在2010年下半會面臨三星產(chǎn)能大幅增加的嚴峻考驗。南亞科認為,這一波DRAM產(chǎn)業(yè)榮景可持續(xù)到2011年底或2012年上半,除觀察各廠新產(chǎn)能開出時間點,還要看企業(yè)換機需求能維持多久。
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