內(nèi)存市場(chǎng)地位穩(wěn)固 三星加大NAND芯片產(chǎn)能

　　據(jù)報(bào)道，臺(tái)灣DRAM內(nèi)存制造商認(rèn)為，三星目前已經(jīng)將重點(diǎn)放在了拉大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在NAND閃存市場(chǎng)差距。由于在DRAM市場(chǎng)的地位十分穩(wěn)固，三星未來(lái)將不 會(huì)繼續(xù)加強(qiáng)該市場(chǎng)的投資，因此其它DRAM廠商在這方面的影響將會(huì)比較小。三星此前在全球NAND閃存市場(chǎng)的份額一度達(dá)到50%，但目前 已經(jīng)滑落到了40%，而且排在第二的東芝也是在身后緊追不舍。為了拉大與東芝的差距，三星可能將會(huì)將其N(xiāo)AND閃存芯片生產(chǎn)集中在新建的Line-16生 產(chǎn)線上。

　　外界還認(rèn)為，受到操縱內(nèi)存價(jià)格事、可能遭受反壟斷調(diào)查影響，三星未來(lái)在DRAM市場(chǎng)份額繼續(xù)增長(zhǎng)的可能性不大。

　　根據(jù)三星的存儲(chǔ)芯片增產(chǎn)方案，Line-16生產(chǎn)線上的DRAM內(nèi)存、NAND閃存芯片以及下一代存儲(chǔ)產(chǎn)品將在2011年投入生產(chǎn)，月需12寸晶圓數(shù)量20萬(wàn)片。三星還將利用其Line-15生產(chǎn)線增加其30nm DRAM芯片產(chǎn)量。

　　Digitimes Research分析師Nobunaga Chai認(rèn)為，三星的增產(chǎn)計(jì)劃將影響到內(nèi)存市場(chǎng)供需和價(jià)格。三星已經(jīng)早于其它競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手提前過(guò)度到了30nm工藝，該工藝生產(chǎn)的DRAM芯片將占據(jù)其今年內(nèi)存芯片總量的10%。

　　Nobunaga Chai還預(yù)計(jì)稱(chēng)，2011-2012年DRAM市場(chǎng)可能出現(xiàn)產(chǎn)能過(guò)剩的局面，到時(shí)候?qū)?huì)出現(xiàn)價(jià)格大幅下降，一些競(jìng)爭(zhēng)力不強(qiáng)的DRAM廠商將會(huì)被淘汰。