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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 傳輸線脈沖測試系統(tǒng)（tlp）

傳輸線脈沖測試系統(tǒng)（tlp） 文章 進入傳輸線脈沖測試系統(tǒng)（tlp）技術(shù)社區(qū)

【測試解讀】ESD保護設(shè)計中的傳輸線脈沖TLP，怎么測？

  • 隨著電子器件在汽車和其他產(chǎn)品上的應(yīng)用越來越廣泛（智能化），芯片的集成度也越來越高、體形也越來越小、研發(fā)的難度也越來越高，這些器件通常具有線間距短、線細、集成度高、運算速度快、功耗低和高輸入阻抗的特點，這也導(dǎo)致了這類器件對靜電的要求越來越高。其中涉及到的標準為：ESD SP5.5.1-2004、ISO7637-2、GB/T.21437.2、ECER10.05 6.9、IEC62615:2010。其中在很多器件的ESD性能，都會使用TLP 測試，除了使用標準的TLP脈沖發(fā)生器之外，還需要使用示波器對其脈沖進行
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如何測試ESD保護設(shè)計中的傳輸線脈沖TLP

  • 隨著電子器件在汽車和其他產(chǎn)品上的應(yīng)用越來越廣泛（智能化），芯片的集成度也越來越高、體形也越來越小、研發(fā)的難度也越來越高，這些器件通常具有線間距短、線細、集成度高、運算速度快、功耗低和高輸入阻抗的特點，這也導(dǎo)致了這類器件對靜電的要求越來越高。其中涉及到的標準為：ESD SP5.5.1-2004、ISO7637-2、GB/T.21437.2、ECER10.05 6.9、IEC62615:2010。其中在很多器件的ESD性能，都會使用TLP 測試，除了使用標準的TLP脈沖發(fā)生器之外，還需要使用示波器對其脈沖進行
  • 關(guān)鍵字： ESD  保護設(shè)計  傳輸線脈沖  TLP  

保護環(huán)對雙向可控硅靜電防護器件電容特性 的影響*

  • 摘? 要：本文研究了P型保護環(huán)對雙向可控硅（DDSCR）靜電防護器件寄生電容的影響。在低壓工藝下制備 了不帶保護環(huán)的低壓雙向可控硅（LVDDSCR）和帶保護環(huán)的低壓雙向可控硅（LVDDSCR_GR）器件，在 高壓工藝下制備了不帶保護環(huán)的高壓雙向可控硅（HVDDSCR）和帶保護環(huán)的高壓雙向可控硅（HVDDSCR_ GR）器件。利用B1505A功率器件分析儀測試并討論了器件的電容特性，同時利用傳輸線脈沖（TLP）測試儀 分析了它們的靜電性能。結(jié)果表明，保護環(huán)的增加對器件靜電防護能力無較大影響，但在1?
  • 關(guān)鍵字： 202206  雙向可控硅  保護環(huán)  寄生電容  傳輸線脈沖測試系統(tǒng)  

帶有硅化物阻擋層的可控硅器件對維持電壓的影響*

  • 基于0.18 μm雙極CMOS-DMOS（BCD）工藝，研究并實現(xiàn)了一種陽極和陰極兩側(cè)均加入硅化物阻擋層（SAB）的可控硅（SCR）器件，可用于高壓靜電放電保護（ESD）。利用二維器件仿真平臺和傳輸線脈沖測試系統(tǒng)（TLP），預(yù)測和驗證了SAB層對可控硅性能的影響。測量結(jié)果表明，在不增加器件面積的情況下，通過增加SAB層，器件的維持電壓（Vh）可以從3.03 V提高到15.03 V。與傳統(tǒng)SCR器件相比，帶有SAB層的SCR器件（SCR_SAB）具有更高的維持電壓。
  • 關(guān)鍵字： 可控硅（SCR）  硅化物阻擋層（SAB）  仿真  傳輸線脈沖測試系統(tǒng)（TLP）  維持電壓（Vh）  202109  

利用TLP進行ESD保護元件的大電流性能鑒定

  • Ashton 博士說在正常工作條件下，ESD 保護元件應(yīng)該保持在不動作狀態(tài)，同時不會對電子系統(tǒng)的功能造成任何影響，這可以通過維持低電流以及足以在特定數(shù)據(jù)傳輸速率下維持數(shù)據(jù)完整性的低電容值來達成。而在ESD 應(yīng)力沖擊或
  • 關(guān)鍵字： TLP  ESD  保護  元件    

利用屏幕截圖和TLP進行ESD保護元件的大電流性能鑒

  • Ashton 博士說在正常工作條件下，ESD 保護元件應(yīng)該保持在不動作狀態(tài)，同時不會對電子系統(tǒng)的功能造成任何影響，這可以通過維持低電流以及足以在特定數(shù)據(jù)傳輸速率下維持數(shù)據(jù)完整性的低電容值來達成。而在ESD 應(yīng)力沖擊或
  • 關(guān)鍵字： TLP  ESD  屏幕  保護    
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傳輸線脈沖測試系統(tǒng)（tlp）介紹

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