半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

美國(guó)要求芯片自主可控臺(tái)積電：先給巨額補(bǔ)貼再考慮建廠

由于眾所周知的原因，國(guó)內(nèi)近年來(lái)對(duì)半導(dǎo)體芯片自主可控要求很高，希望2025年將芯片國(guó)產(chǎn)率提升到70%。在這個(gè)問(wèn)題上，美國(guó)政府也一樣面臨難題，因?yàn)槊绹?guó)軍方很多芯片也是在國(guó)外晶圓廠生產(chǎn)的，美國(guó)現(xiàn)在也希望臺(tái)積電等公司在美國(guó)建立晶圓廠。美國(guó)不是沒(méi)有先進(jìn)的晶圓廠，相反美國(guó)擁有全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，光Intel一家就足夠了，在美國(guó)亞利桑那、俄勒岡都有最先進(jìn)的14nm、10nm工廠，其X86處理器性能也是最強(qiáng)的。AMD公司代工合作伙伴GlobalFoundries在美國(guó)紐約州也有14nm/12nm工藝的Fab 8晶圓廠
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格芯和臺(tái)積電宣布通過(guò)廣泛的專(zhuān)利交叉授權(quán)解決其全球爭(zhēng)端

近日，格芯（GLOBALFOUNDRIES）和臺(tái)灣積體電路制造公司（臺(tái)積電）今日宣布將撤銷(xiāo)兩家公司相互之間的，以及涉及到任何客戶(hù)的全部訴訟。兩家公司已經(jīng)同意，就各自在全球范圍內(nèi)的現(xiàn)有半導(dǎo)體專(zhuān)利以及未來(lái)十年內(nèi)將要申請(qǐng)的專(zhuān)利，互相給予對(duì)方寬泛的專(zhuān)利有效期交叉許可。兩家公司均將持續(xù)并大量投入半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)。這一決定確保了格芯和臺(tái)積電可以自由地從事各自的經(jīng)營(yíng)活動(dòng)，同時(shí)保證了其各自的客戶(hù)可以持續(xù)地獲得晶圓廠的完整的技術(shù)和服務(wù)?！拔覀兒芨吲d能夠迅速達(dá)成和解，這一和解方案也表明了我們各自的知識(shí)產(chǎn)權(quán)的優(yōu)勢(shì)。今天宣布這一
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可用于汽車(chē)的有機(jī)太陽(yáng)能電池

在現(xiàn)在的生活中，太陽(yáng)能產(chǎn)品處處可見(jiàn)，人們用太陽(yáng)能煮飯，還有太陽(yáng)能熱水器等等，無(wú)處不見(jiàn)太陽(yáng)能產(chǎn)品，當(dāng)然，最重要的還是太陽(yáng)能發(fā)電，但是目前的技術(shù)并不能讓人們很好利用太陽(yáng)能發(fā)電。據(jù)外媒報(bào)道，研究人員發(fā)現(xiàn)，在太陽(yáng)能電池中，可利用有機(jī)分子混合物，吸收陽(yáng)光并將其轉(zhuǎn)換成電能。此外，這種電池還能應(yīng)用于汽車(chē)車(chē)身等曲面。這一發(fā)現(xiàn)挑戰(zhàn)傳統(tǒng)觀念，有助于早日實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能電池的商業(yè)化應(yīng)用。
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世界第三大半導(dǎo)體切割設(shè)備制造商以色列ADT入駐鄭州航空港

近日，先進(jìn)微電子裝備（鄭州）有限公司全資收購(gòu)以色列ADT新聞發(fā)布會(huì)在上海舉行，這標(biāo)志著先進(jìn)微電子（鄭州）有限公司收購(gòu)以色列ADT的工作全部完成，中國(guó)ADT公司正式成立，世界先進(jìn)半導(dǎo)體切割設(shè)備制造企業(yè)以色列ADT正式入駐航空港實(shí)驗(yàn)區(qū)，將填補(bǔ)我省在該領(lǐng)域的空白。此次收購(gòu)?fù)瓿珊?，新成立的ADT公司除了繼續(xù)保留以色列的研發(fā)中心和生產(chǎn)工廠，未來(lái)將在航空港實(shí)驗(yàn)區(qū)建立研發(fā)和生產(chǎn)基地，同時(shí)帶動(dòng)國(guó)內(nèi)相關(guān)零部件配套產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
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美國(guó)防部投資半導(dǎo)體制造商 SkyWater研發(fā)適合在外太空工作的芯片

據(jù)外媒報(bào)道，半導(dǎo)體制造商 SkyWater Technology 周一表示，將從美國(guó)國(guó)防部獲得高達(dá) 1.7 億美元的資金，用于制造可以在外太空工作的芯片，并使用新材料制造更小，更快的芯片。
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第三代半導(dǎo)體將催生萬(wàn)億元市場(chǎng)

　　日前，第三屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳舉行。與會(huì)專(zhuān)家學(xué)者認(rèn)為，第三代半導(dǎo)體未來(lái)應(yīng)用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導(dǎo)體以及下游電力電子、通訊等行業(yè)新一輪變革的突破口?！　?018年，美國(guó)、歐盟等持續(xù)加大第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)支持力度，國(guó)際廠商積極、務(wù)實(shí)推進(jìn)，商業(yè)化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應(yīng)用逐漸廣泛。受益于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場(chǎng)追捧、地方積極推進(jìn)、企業(yè)廣泛進(jìn)入等積極因素，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展。但是，在材料指標(biāo)、器件性能等方
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臺(tái)積電今年資本支出將介于140到150億美元創(chuàng)歷史新高

近日，據(jù)臺(tái)灣地區(qū)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電今日召開(kāi)法說(shuō)會(huì)，展望第四季度，預(yù)計(jì)合并營(yíng)收介于102~103億美元，可望續(xù)創(chuàng)新高。同時(shí)，臺(tái)積電今年的資本支出也將上調(diào)，預(yù)計(jì)介于140~150億美元，而原先預(yù)計(jì)為超過(guò)110億美元，上調(diào)幅度約27.27~36.36%，創(chuàng)下新高紀(jì)錄。
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利用?NI?半導(dǎo)體?測(cè)試?系統(tǒng)?(STS)?軟件?的?增強(qiáng)?功能，?進(jìn)一步?加速?測(cè)試?程序?的?開(kāi)發(fā)，?提高?運(yùn)營(yíng)?效率

2019年9月12日 – 美國(guó)國(guó)家儀器（National Instruments，簡(jiǎn)稱(chēng)“NI”）是一家軟件定義平臺(tái)的提供商，其平臺(tái)有助于加速自動(dòng)化測(cè)試和自動(dòng)化測(cè)量系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)和性能提升，該公司于今日推出了STS軟件的最新增強(qiáng)功能，這些功能可顯著提升NI半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)的編程和調(diào)試體驗(yàn)，并大大提高測(cè)試執(zhí)行速度、并行測(cè)試效率和整體設(shè)備效率。由于市場(chǎng)壓力不斷增加，半導(dǎo)體生產(chǎn)測(cè)試工程師正在力圖加快新測(cè)試程序的開(kāi)發(fā)、調(diào)試和部署進(jìn)程，以快速投入量產(chǎn)。對(duì)于尚未擁有測(cè)試系統(tǒng)的用戶(hù)，STS軟件2019提供了更優(yōu)化的線
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日韓就半導(dǎo)體材料出口管制問(wèn)題未達(dá)成一致將再次磋商

據(jù)報(bào)道，因日本加強(qiáng)對(duì)韓出口半導(dǎo)體材料的管制，韓國(guó)此前向世界貿(mào)易組織(WTO)提起了訴訟。近日，日韓兩國(guó)在WTO總部瑞士日內(nèi)瓦圍繞該問(wèn)題舉行了雙邊磋商，但并未談妥。雙方同意就此問(wèn)題再度舉行磋商，但日程未定。
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廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院江門(mén)中心正式成立

近日，珠西科技產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新服務(wù)中心掛牌儀式暨廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院江門(mén)中心成立大會(huì)，在江門(mén)市國(guó)家高新區(qū)火炬大廈隆重舉行。江門(mén)市委常委統(tǒng)戰(zhàn)部長(zhǎng)歷為民、省科學(xué)院副院長(zhǎng)李定強(qiáng)、江門(mén)市政協(xié)副主席任安良、江海區(qū)區(qū)長(zhǎng)勞茂昌、江門(mén)市科技局局長(zhǎng)馮一寧、省科學(xué)院對(duì)外合作部副主任裘鋼、省半導(dǎo)體院黨委書(shū)記彭海寧，省科學(xué)院產(chǎn)業(yè)育成中心黨委書(shū)記趙明、省工業(yè)檢測(cè)中心副主任林義民，以及江門(mén)市相關(guān)政府部門(mén)領(lǐng)導(dǎo)、企業(yè)負(fù)責(zé)人，省半導(dǎo)體院學(xué)科帶頭人、平臺(tái)負(fù)責(zé)人、科研骨干100余人參加成立大會(huì)。
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半導(dǎo)體談判失??！韓國(guó)GDP或因此損失2.2%，那日本經(jīng)濟(jì)損失多少？

據(jù)報(bào)道，2019年10月13日，韓國(guó)與日本就半導(dǎo)體材料進(jìn)出口一事的協(xié)商再次失敗——這意味著從2019年上半年開(kāi)始的“日韓半導(dǎo)體爭(zhēng)端”，雖然經(jīng)過(guò)多輪協(xié)商，但一直無(wú)法解決問(wèn)題。外界分析，從目前兩國(guó)的分歧來(lái)看，短期內(nèi)此事或仍將無(wú)解。韓國(guó)、日本的半導(dǎo)體之爭(zhēng)20多年前，全球半導(dǎo)體行業(yè)是美國(guó)企業(yè)獨(dú)大——英特爾也是全球最大半導(dǎo)體公司。此時(shí)日本和韓國(guó)都在積極進(jìn)入半導(dǎo)體（俗稱(chēng)芯片）行業(yè)，但最終結(jié)果卻是：韓國(guó)相關(guān)企業(yè)“全面勝出”，如三星、SK海力士等，成為全球頂尖半導(dǎo)體公司。三星集團(tuán)甚至最終超過(guò)了美國(guó)的英特爾，成為全球最大的
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半導(dǎo)體內(nèi)載荷子特征參數(shù)增至7個(gè)

科技日?qǐng)?bào)北京10月14日電（記者劉霞）半導(dǎo)體是如今這個(gè)電子時(shí)代的基礎(chǔ)，但半導(dǎo)體內(nèi)的電子電荷還有很多秘密有待揭示，這限制了該領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展。最近，一個(gè)國(guó)際科研團(tuán)隊(duì)稱(chēng)，他們?cè)诮鉀Q這些已延續(xù)140年的物理學(xué)謎題上取得重大突破。他們研制出一種新技術(shù)，可獲得更多有關(guān)半導(dǎo)體內(nèi)電子電荷的信息，有望推動(dòng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展，使我們獲得更好的光電設(shè)備等。為了真正理解半導(dǎo)體的物理性質(zhì)，首先需要了解其內(nèi)部載荷子的基本特性。1879年，美國(guó)物理學(xué)家埃德溫·霍爾發(fā)現(xiàn)，磁場(chǎng)會(huì)偏轉(zhuǎn)導(dǎo)體內(nèi)載荷子的運(yùn)動(dòng)，偏轉(zhuǎn)量可測(cè)為垂直于電荷流的電
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5G有望扭轉(zhuǎn)陷入嚴(yán)重衰退半導(dǎo)體行業(yè)

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS Markit的最新數(shù)據(jù)顯示，全球半導(dǎo)體行業(yè)2019年的收入將比去年下降近13%，這意味著這個(gè)行業(yè)的衰退趨勢(shì)仍在繼續(xù)惡化。不過(guò)IHS Markit的研究人員認(rèn)為，5G有望扭轉(zhuǎn)這一切。
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工信部：持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展

10月8日消息，據(jù)工信部網(wǎng)站發(fā)布的消息，工信部日前復(fù)函政協(xié)十三屆全國(guó)委員會(huì)第二次會(huì)議第2282號(hào)（公交郵電類(lèi)256號(hào)）提案表示，將持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展，根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì)，調(diào)整完善政策實(shí)施細(xì)則，更好的支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。通過(guò)行業(yè)協(xié)會(huì)等加大產(chǎn)業(yè)鏈合作力度，深入推進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同，促進(jìn)我國(guó)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)迭代和應(yīng)用推廣。工信部稱(chēng)，集成電路是高度國(guó)際化、市場(chǎng)化的產(chǎn)業(yè)，資源整合、國(guó)際合作是快速提升產(chǎn)業(yè)發(fā)展能力的重要途徑。工信部與相關(guān)部門(mén)積極支持國(guó)內(nèi)企業(yè)、
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Achronix加入臺(tái)積電（TSMC）半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）聯(lián)盟計(jì)劃

近日，基于現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA）的硬件加速器件和高性能嵌入式FPGA（eFPGA）半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）領(lǐng)導(dǎo)性企業(yè)Achronix半導(dǎo)體公司（Achronix Semiconductor Corporation）已加入臺(tái)積電IP聯(lián)盟計(jì)劃，該計(jì)劃是臺(tái)積電開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）的關(guān)鍵組成部分。Achronix屢獲殊榮的Speedcore? eFPGA IP針對(duì)高端和高性能應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。Speedcore eFPGA IP現(xiàn)已可用在TSMC 16nm FinFET Plus（16FF +）和N7工藝技術(shù)
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]