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半導(dǎo)體
半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
紫光求賢若渴 欲進(jìn)入世界半導(dǎo)體企業(yè)前三陣營(yíng)
- 昨日,紫光集團(tuán)發(fā)來(lái)的消息,正式回應(yīng)“有華亞科工程師被中國(guó)紫光集團(tuán)挖角,帶走公司機(jī)密文件,涉及商業(yè)間諜案”信息,聲明中表示:作為一家國(guó)際化的高科技公司,紫光一向非常重視與嚴(yán)格遵守相關(guān)法律,尊重對(duì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的保護(hù),鼓勵(lì)技術(shù)創(chuàng)新。在遵守相關(guān)法律和商業(yè)慣例的原則下,紫光及其子公司長(zhǎng)江存儲(chǔ)會(huì)在世界各地尋找我們需要的人才,并向他們提供較好的薪資及未來(lái)發(fā)展的機(jī)會(huì)。 在國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)推進(jìn)政策引導(dǎo)下,紫光集團(tuán)以“自主創(chuàng)新加國(guó)際合作”為&ldquo
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北大課題組:高性能二維半導(dǎo)體新材料展現(xiàn)出優(yōu)異性能
- 半導(dǎo)體材料是電子信息產(chǎn)業(yè)的基石。目前,隨著晶體管特征尺寸的縮小,由于短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制,主流硅基材料與CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)正發(fā)展到10納米工藝節(jié)點(diǎn)而很難提升,摩爾定律可能終結(jié)?! ∫虼耍_(kāi)發(fā)新型高性能半導(dǎo)體溝道材料和新原理晶體管技術(shù),是科學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界近20年來(lái)的主流研究方向之一。在眾多CMOS溝道材料體系中,相比于一維納米線(xiàn)和碳納米管,高遷移率二維半導(dǎo)體的器件加工與傳統(tǒng)微電子工藝兼容更好,同時(shí)其超薄平面結(jié)構(gòu)可有效抑制短溝道效應(yīng),被認(rèn)為是構(gòu)筑后硅時(shí)代納電子器件和數(shù)字集成
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緣何說(shuō)第三代半導(dǎo)體會(huì)爆發(fā)?
- (一)一二代半導(dǎo)體各有瓶頸,難以滿(mǎn)足新興市場(chǎng)需求 第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表,主要應(yīng)用在數(shù)據(jù)運(yùn)算領(lǐng)域,硅基芯片在人類(lèi)社會(huì)的每一個(gè)角落無(wú)不閃爍著它的光輝,隨著科技需求的日益增加,硅傳輸速度慢、功能單一的不足暴露了出來(lái),同時(shí)集成電路產(chǎn)業(yè)遵循的“摩爾定律”演進(jìn)趨緩,以新材料、新結(jié)構(gòu)以及新工藝為特征的“超越摩爾定律”成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展方向。第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表,是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材
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全球半導(dǎo)體材料地區(qū)排行:臺(tái)灣第一大陸增速第一
- 國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)公布最新全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)報(bào)告,2016年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)與2015相比成長(zhǎng)2.4%,全球半導(dǎo)體營(yíng)收則提升1.1%。 SEMI報(bào)告顯示,全球晶圓制造材料市場(chǎng)規(guī)模在247億美元,封裝材料市場(chǎng)為196億美元。 相較于2015年晶圓制造材料市場(chǎng)的240億美元及封裝材料市場(chǎng)的193億美元,分別成長(zhǎng)3.1%及1.4%。 SEMI指出,臺(tái)灣作為眾多晶圓制造與先進(jìn)封裝基地,去年以97.9億美元市場(chǎng)規(guī)模,連續(xù)第7年成為全球最大半導(dǎo)體材料買(mǎi)主,年增率達(dá)3.9%。 韓國(guó)與日本仍
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東芝半導(dǎo)體出售跟蹤:不賣(mài)防衛(wèi)領(lǐng)域業(yè)務(wù)
- 北京時(shí)間3月31日上午消息,東芝對(duì)日本防衛(wèi)裝備廳表示,會(huì)保留探測(cè)雷達(dá)等防衛(wèi)領(lǐng)域的半導(dǎo)體業(yè)務(wù),同時(shí),在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)被出售后,會(huì)防止技術(shù)人員外流。 為緩解美國(guó)核電業(yè)務(wù)計(jì)提巨額損失加劇的財(cái)務(wù)困境,東芝擬剝離核心的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器業(yè)務(wù),成立新公司并考慮出售其股份。有知情人士透露,約有10個(gè)潛在買(mǎi)家有意收購(gòu)東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù),其中,美國(guó)私募股權(quán)公司銀湖資本和美國(guó)芯片制造商博通擬共同出資2萬(wàn)億日元(179億美元)要約收購(gòu)。 此前,東芝宣布預(yù)計(jì)經(jīng)過(guò)損失處理, 2016財(cái)年(2016年4月至2017年3月
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臺(tái)灣半導(dǎo)體過(guò)去十年?duì)I收增6成利潤(rùn)增1倍
- 臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部公布產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計(jì),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體營(yíng)收10年來(lái)成長(zhǎng)6成,利潤(rùn)率更提升了一倍以上。 經(jīng)濟(jì)部表示,主因是臺(tái)集成電路產(chǎn)業(yè)具有有高端先進(jìn)制程的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。 十年來(lái)半導(dǎo)體員工人數(shù)則也從17.3萬(wàn)人增加為24.7萬(wàn)人,其中近半數(shù)集中在科學(xué)園區(qū)。 統(tǒng)計(jì)指出,2005年半導(dǎo)體營(yíng)收為1兆2458億元新臺(tái)幣,2015年為2兆721億元;成長(zhǎng)率66.33%;利潤(rùn)率從10.6%成長(zhǎng)至21.3%。 經(jīng)濟(jì)部表示,臺(tái)灣半導(dǎo)體以晶圓、光罩、內(nèi)存等集成電路業(yè)為大宗,其2015年?duì)I收1兆5399億元,占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)74.
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半導(dǎo)體所成功研制出銻化物帶間級(jí)聯(lián)激光器
- 銻化物帶間級(jí)聯(lián)激光器是基于量子效應(yīng)和能帶工程的新型半導(dǎo)體激光器,由楊瑞青教授首次提出,是通過(guò)導(dǎo)帶和價(jià)帶之間躍遷實(shí)現(xiàn)電子和空穴的輻射復(fù)合,每個(gè)有源區(qū)通過(guò)類(lèi)似量子級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)串聯(lián)方式連接。它結(jié)合了傳統(tǒng)半導(dǎo)體帶間躍遷激光器和基于子帶間躍遷的量子級(jí)聯(lián)激光器的優(yōu)勢(shì),如載流子注入均勻,量子效率高、波長(zhǎng)易調(diào)節(jié)、閾值電流密度和功率消耗低等優(yōu)點(diǎn)。因此銻化物帶間級(jí)聯(lián)激光器在環(huán)境監(jiān)控、醫(yī)療診斷以及物聯(lián)網(wǎng)中信息收集等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景,但其結(jié)構(gòu)復(fù)雜,外延層數(shù)多,這使得其材料生長(zhǎng)難度很大。從報(bào)道來(lái)看,目前僅有美國(guó)俄克拉荷馬大學(xué)
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中國(guó)半導(dǎo)體高速崛起 分立器件領(lǐng)域吊打韓國(guó)
- 近年來(lái),中國(guó)政策向半導(dǎo)體行業(yè)傾斜,隨著中國(guó)集成電路大基金的成立與發(fā)展,中國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展一步步往前推進(jìn),市場(chǎng)前景廣闊,各領(lǐng)域的龍頭企業(yè)摸爬滾打這么些年也終于取得了一些不錯(cuò)的成績(jī)。 在分立器件市場(chǎng),以蘇州固锝為首的中國(guó)企業(yè)基本上可以吊打韓國(guó)的KEC和HTC等企業(yè)! 2016年凈利潤(rùn)增近4倍 2017年3月22日,蘇州固锝電子股份有限公司(下稱(chēng):蘇州固锝)公布了2016年年度財(cái)報(bào),業(yè)績(jī)十分亮眼! 2016年蘇州固锝營(yíng)收情況 由于公司主營(yíng)業(yè)務(wù)穩(wěn)定增長(zhǎng)、太陽(yáng)能銀漿等
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任重道遠(yuǎn) 中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系亟需完善
- 伴隨全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向亞太地區(qū)轉(zhuǎn)移,中國(guó)半導(dǎo)體在全球市場(chǎng)中的份額與價(jià)值正在不斷提升。這一點(diǎn)從剛剛召開(kāi)的“SEMICON China 2017”火爆程度上可以一窺端倪。不過(guò)目前中國(guó)的“半導(dǎo)體熱”尚屬投資拉動(dòng)型,實(shí)際的產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平與國(guó)際先進(jìn)水平仍有很大差距,尤其是在材料與設(shè)備上的差距特別明顯。正如中芯國(guó)際董事長(zhǎng)周子學(xué)在主題峰會(huì)上指出:“我們還很弱小。一個(gè)在全球前二十大半導(dǎo)體企業(yè)沒(méi)有企業(yè)入圍的國(guó)家,怎么敢稱(chēng)在半導(dǎo)體行業(yè)是有競(jìng)爭(zhēng)力的呢?”
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我國(guó)半導(dǎo)體激光合束技術(shù)進(jìn)展及背后團(tuán)隊(duì)
- 產(chǎn)生激光的光源非常多,有氣體激光器、固體激光器、光纖激光器、半導(dǎo)體激光器等,其中半導(dǎo)體激光器是目前轉(zhuǎn)換效率最高的一種光源。中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所(以下簡(jiǎn)稱(chēng)長(zhǎng)春光機(jī)所)是國(guó)內(nèi)最早研制出半導(dǎo)體激光器和固體激光器的單位。 如今,長(zhǎng)春光機(jī)所的高功率、高光束質(zhì)量半導(dǎo)體激光合束技術(shù)在全國(guó)21個(gè)省市近百家企業(yè)、科研院所應(yīng)用,為全面提升激光技術(shù)水平,改善產(chǎn)品質(zhì)量和增強(qiáng)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)能力做出了巨大貢獻(xiàn),為我國(guó)工業(yè)技術(shù)升級(jí)轉(zhuǎn)型、節(jié)能減排起到重要作用。 攻堅(jiān)瓶頸技術(shù) 激光是先進(jìn)制造技術(shù)發(fā)展的前沿
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 激光器
半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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