存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)持續(xù)低迷，2019年如何破局？

DRAM內(nèi)存降價(jià)已是必然，內(nèi)存大廠也紛紛消減明年DRAM產(chǎn)能。不過這內(nèi)存漲的時(shí)候猛漲不止，降價(jià)的勢(shì)頭也同樣比預(yù)期更狠。與此同時(shí)，NAND Flash產(chǎn)能超出預(yù)期，以致市場(chǎng)供過于求，價(jià)格連續(xù)走跌。
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中天弘宇：攻克核心設(shè)計(jì)缺陷重建NOR閃存新生

閃存是當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的重要介質(zhì)之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導(dǎo)體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術(shù)的快速演進(jìn)，NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因?yàn)榇嬖诓糠衷O(shè)計(jì)缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進(jìn)先進(jìn)工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。不過，因?yàn)橹袊?guó)企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應(yīng)用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過了近十年的研發(fā)積累，完成了對(duì)原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新，也可以說是一個(gè)完全的顛覆。我們沿用了整個(gè)NOR的架構(gòu)，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
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DRAM降價(jià)將會(huì)比預(yù)期更猛，明年對(duì)于存儲(chǔ)器來說將是難熬的一年

　　DRAM內(nèi)存降價(jià)已是必然，內(nèi)存大廠已紛紛消減明年DRAM產(chǎn)能。不過這內(nèi)存漲的時(shí)候猛漲不止，降的時(shí)候看來勢(shì)頭會(huì)比預(yù)期更狠?！　∪疸y分析師TimothyArcuri日前發(fā)布了關(guān)于內(nèi)存市場(chǎng)的分析報(bào)告，雖然維持美光公司的中性評(píng)級(jí)，但他下調(diào)了美光的目標(biāo)股價(jià)，從52美元砍至41美元。他不看好美光股價(jià)的原因就是明年Q1季度內(nèi)存降價(jià)幅度要高于預(yù)期，之前分析認(rèn)為明年環(huán)比下架10-12%左右，但是新的數(shù)據(jù)顯示明年Q1季度內(nèi)存價(jià)格降幅達(dá)到10-15%，而且NAND閃存價(jià)格也會(huì)降10-15%?！　〈饲埃珼RAMeXchang
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本土投資人看好哪類半導(dǎo)體企業(yè)

本土半導(dǎo)體業(yè)部分投資企業(yè)介紹了他們看好的半導(dǎo)體機(jī)會(huì)。這些投資機(jī)構(gòu)非常具有代表性，其中有國(guó)內(nèi)第一家半導(dǎo)體VC(風(fēng)投)，還有第一個(gè)由國(guó)內(nèi)芯片制造商龍頭成立的VC，還有一家活躍的擅長(zhǎng)財(cái)務(wù)并購(gòu)的財(cái)務(wù)投資人。
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晉華事件透視：存儲(chǔ)器壟斷暴利之痛如何終結(jié)？

壟斷加劇供求失衡，導(dǎo)致價(jià)格上漲，壟斷導(dǎo)致的暴利，是目前全球存儲(chǔ)器行業(yè)面臨的最大問題。
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存儲(chǔ)器價(jià)格降溫？或許只是長(zhǎng)達(dá)18個(gè)月的“美夢(mèng)”

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠商真正“見真功”和“花大錢”的時(shí)候到了。不過目前來看，國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)器廠商由于技術(shù)原因，與國(guó)際大廠的差距還很明顯，想要趕上漲價(jià)潮的紅利還需努力!
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存儲(chǔ)器原廠Q3業(yè)績(jī)搶眼，但漲價(jià)優(yōu)勢(shì)不再，Q4風(fēng)光難續(xù)

　　前言：2018年Q3出貨旺季，在存儲(chǔ)器Bit出貨量增加帶動(dòng)下，存儲(chǔ)器原廠業(yè)績(jī)搶眼。然而，存儲(chǔ)器漲價(jià)優(yōu)勢(shì)不再，Q4財(cái)報(bào)恐難抵下滑之勢(shì)?！　〈鎯?chǔ)器原廠Q3財(cái)報(bào)搶眼，但NAND價(jià)格大跌超60%，引原廠產(chǎn)能“緊急制動(dòng)”　　2018年以來，F(xiàn)lash原廠持續(xù)擴(kuò)大64層3D TLC NAND供貨，且以256Gb和512Gb供貨為主，再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場(chǎng)應(yīng)用，導(dǎo)致市場(chǎng)供過于求。即使在Q3出貨旺季，NAND Flash價(jià)格也依然表現(xiàn)跌勢(shì)。據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket
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美光宣布量產(chǎn)面向移動(dòng)應(yīng)用、業(yè)內(nèi)容量最高的單片式存儲(chǔ)器

　　美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克代碼：MU)今天宣布，已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)內(nèi)容量最高的首款單片12Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率4x(LPDDR4x)DRAM，適用于移動(dòng)設(shè)備和應(yīng)用。該最新一代美光LPDDR4存儲(chǔ)器在功耗上做出了重大改進(jìn)，同時(shí)保持了業(yè)內(nèi)最高的LPDDR4時(shí)鐘頻率，從而為下一代手機(jī)和平板電腦提供高級(jí)性能。此外，美光的12Gb LPDDR4x實(shí)現(xiàn)了雙倍的存儲(chǔ)容量，與上一代產(chǎn)品相比，在不增加體積的情況下提供了業(yè)內(nèi)容量最高的單片LPDDR4?！　∪斯ぶ悄?AI)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)和4K視頻等計(jì)算型和數(shù)據(jù)密集型
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技術(shù)變革關(guān)鍵期，中國(guó)如何突圍存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)？

　　存儲(chǔ)器是信息系統(tǒng)的核心芯片，對(duì)于保障國(guó)家安全和信息安全具有重要意義。當(dāng)前以云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、人工智能為代表的新一代信息技術(shù)革命迅猛發(fā)展，引發(fā)了海量數(shù)據(jù)的增長(zhǎng)，對(duì)存儲(chǔ)器的需求也在不斷增加。2017年，我國(guó)僅存儲(chǔ)器進(jìn)口規(guī)模就達(dá)到870億美元?！　〗眨诙弥袊?guó)高端芯片高峰論壇召開。以“存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)：在開放與競(jìng)爭(zhēng)中成長(zhǎng)”為主題，與會(huì)專家對(duì)我國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略進(jìn)行了探討：當(dāng)前，存儲(chǔ)器正處于技術(shù)變革的關(guān)鍵時(shí)期。既要推動(dòng)現(xiàn)有主流存儲(chǔ)器技術(shù)，產(chǎn)品的應(yīng)用發(fā)展，也要在新興存儲(chǔ)器方面有超前考慮，力爭(zhēng)為我國(guó)企業(yè)在存儲(chǔ)器領(lǐng)域
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中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立大會(huì)召開

　　2018年10月26日，中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(下稱“聯(lián)盟”)成立大會(huì)暨第一次會(huì)員大會(huì)在武漢召開。工業(yè)和信息化部副部長(zhǎng)羅文出席大會(huì)并致辭?！　×_文強(qiáng)調(diào)，存儲(chǔ)器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片。加快存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展既是補(bǔ)齊產(chǎn)業(yè)發(fā)展短板的必然要求，也是保障國(guó)家產(chǎn)業(yè)安全和信息安全的重要舉措。存儲(chǔ)器正處于技術(shù)變革的關(guān)鍵時(shí)期，這些都為我國(guó)打破主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白、實(shí)現(xiàn)加速發(fā)展創(chuàng)造了有利條件?！　×_文對(duì)聯(lián)盟的未來發(fā)展提出三點(diǎn)建議：一是反映行業(yè)訴求、服務(wù)行業(yè)發(fā)展。吸納產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)包括應(yīng)用企業(yè)加入到聯(lián)盟中，發(fā)揮橋梁紐帶作用，代表
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國(guó)內(nèi)廠商在存儲(chǔ)行業(yè)緊鑼密鼓，有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”

中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)起步較晚，我國(guó)作為全球最重要的存儲(chǔ)器市場(chǎng)，在國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下，通過自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導(dǎo)體巨頭，有望實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的“彎道超車”，在全球競(jìng)爭(zhēng)中占有一席之地。
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e絡(luò)盟將Adesto全套特定應(yīng)用的非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品納入其全球產(chǎn)品陣列

　　全球電子元器件與開發(fā)服務(wù)分銷商e絡(luò)盟宣布與物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代特定應(yīng)用創(chuàng)新半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先提供商Adesto Technologies簽署全新分銷協(xié)議。該特許經(jīng)營(yíng)權(quán)能夠讓OEM 客戶輕松獲取Adesto全套功能豐富、超低功耗的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)產(chǎn)品組合，同時(shí)獲得e絡(luò)盟提供的銷售、技術(shù)和產(chǎn)品管理資源支持服務(wù)。　　Adesto存儲(chǔ)器針對(duì)工業(yè)、消費(fèi)、醫(yī)療和通信市場(chǎng)的 IoT 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。其創(chuàng)新型存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合包括用于數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用的DataFlash、針對(duì)電池供電設(shè)備的 Fusion Flash、面向就地執(zhí)
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DRAM終迎降價(jià)潮會(huì)是國(guó)產(chǎn)廠商的利好嗎？

DRAM在過去九個(gè)季度中價(jià)格持續(xù)上漲，但隨著技術(shù)漸入瓶頸，加之2018年智能手機(jī)增長(zhǎng)勢(shì)頭放緩、PC出貨量不斷下滑、云服務(wù)盛行下服務(wù)器需求大減等影響，市場(chǎng)中DRAM漸趨供過于求，進(jìn)而使得DRAM價(jià)格持續(xù)下跌。這種情況，對(duì)于國(guó)產(chǎn)廠商而言究竟意味著什么呢?
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新以太網(wǎng)供電標(biāo)準(zhǔn)：即將到來

　　今年的7月份標(biāo)志著IEEE 802.3bt建立6周年，IEEE標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目將要使四對(duì)線以太網(wǎng)供電(PoE)標(biāo)準(zhǔn)化?！　‘?dāng)我在2012年7月參加第一次IEEE標(biāo)準(zhǔn)會(huì)議時(shí)，我就開始為這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)做準(zhǔn)備。在8個(gè)月后的2013年3月，對(duì)興趣小組的邀請(qǐng)會(huì)如期舉行。一個(gè)研究小組一直工作到2013年11月，這個(gè)特別小組從那時(shí)起就一直在構(gòu)建此標(biāo)準(zhǔn)?！　∥覀冏隽舜罅康墓ぷ鳎液芨吲d地宣布，該標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)批準(zhǔn)通過。修訂批準(zhǔn)后大約3-4個(gè)月，標(biāo)準(zhǔn)將正式發(fā)布?！　≡擁?xiàng)目始于一個(gè)簡(jiǎn)單的目標(biāo)，即增加從供電設(shè)備(PSE)傳輸?shù)绞茈娫O(shè)備(PD)
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集邦咨詢發(fā)布2019年十大科技趨勢(shì)：存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)再升級(jí)

　　全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢針對(duì)2019年科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展，發(fā)布十大科技趨勢(shì)：　　存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)再升級(jí)，關(guān)鍵在次世代存儲(chǔ)器與封裝堆棧技術(shù)　　展望2019年，由于制程轉(zhuǎn)進(jìn)已達(dá)到摩爾定律的物理極限，存儲(chǔ)器技術(shù)的發(fā)展將著墨于封裝方式的更新以及對(duì)次世代存儲(chǔ)器的探索。為解決現(xiàn)有單顆顆粒封裝時(shí)面臨的bandwidth的瓶頸，廠商企圖透過堆棧(類似TSV)的方式在有限的空間提高信息的傳輸量(throughput)，如目前廠商推出的High Bandwidth Memory(HBM)?！　×硪环矫妫瑸闈M足邊緣計(jì)算需要更快的反應(yīng)時(shí)
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]