中天弘宇：攻克核心設計缺陷 重建NOR閃存新生

閃存是當今數(shù)據(jù)存儲的重要介質(zhì)之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術(shù)的快速演進，NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因為存在部分設計缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進先進工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應用的關(guān)鍵。經(jīng)過中天弘宇集成電路有限公司的潛心研發(fā)，NOR閃存的應用也許將重獲新生。 

“我們經(jīng)過了近十年的研發(fā)積累，完成了對原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新，也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構(gòu)，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事，我們有自己完整的知識產(chǎn)權(quán)和專利體系?！?/span> 中天弘宇集成電路有限公司執(zhí)行董事長趙涇生先生的開場白顯得非常自豪，“我們對NOR閃存架構(gòu)設計進行了全新的改進，從而克服了固有的設計缺陷，這點連Intel都非常震驚，通過我們的架構(gòu)設計完全可以讓NOR閃存進入到65nm甚至28nm以下的工藝?！?/span> 

相比于更適合大容量應用的NAND閃存，NOR閃存的讀取速度要快得多，非常適合芯片內(nèi)的存儲應用，但限于工藝制程，NOR閃存的應用市場比起千億級的NAND閃存要小得多，很多芯片內(nèi)還在采用DRAM+NAND的方式代替。中天弘宇的技術(shù)突破將讓NOR閃存變得更具競爭力，通過取代DRAM+NAND的方式可以為芯片帶來更高讀取速度和更低的內(nèi)存讀取功耗，而后者現(xiàn)在已經(jīng)成為芯片整體功耗中非常關(guān)鍵的一環(huán)。難怪趙涇生先生感嘆，“通過解決了壽命和工藝兩大問題，擺在我們面前的將是千億美元規(guī)模的未來的NOR市場！” 

如此具有突破意義的技術(shù)創(chuàng)新將會帶來哪些產(chǎn)品的創(chuàng)新? 趙涇生先生介紹中天弘宇目前主要的工作有兩個方面，一個是繼續(xù)優(yōu)化NOR內(nèi)存的設計，并通過和代工廠的合作進行試生產(chǎn)，從而提供給部分客戶成品的NOR閃存進行測試和設計選用，未來希望能夠廣泛應用到客戶的設計中。另一方面，為了給更多對此產(chǎn)品持有懷疑態(tài)度的客戶展示NOR產(chǎn)品的強大性能，中天弘宇研發(fā)了一款ARM架構(gòu)的MCU，其核心特點就是通過選用自己的NOR閃存能夠把電壓從1.65V降到1V，從而大幅降低MCU的功耗，實現(xiàn)性能的全新突破。 

光有產(chǎn)品并不是中天弘宇集成電路有限公司的全部計劃，他們未來還計劃推出各種專利授權(quán)的模式和各種不同的客戶合作。，趙涇生先生表示，“我們將采取多種合作方式推廣NOR閃存技術(shù)，不僅推出各種產(chǎn)品，而且還可以對客戶進行專利授權(quán)和共同開發(fā)等方式，讓更多客戶通過介入設計環(huán)節(jié)進行產(chǎn)品的定制化創(chuàng)新，帶來更多的競爭優(yōu)勢”。

 趙涇生先生在論壇上還透露了中天弘宇的愛國情懷，“我們中國公司攻克了NOR閃存的技術(shù)缺陷并掌握了核心技術(shù)專利，我們也希望將NOR閃存的生產(chǎn)工藝專利留在中國，因此我們選擇的是中芯國際和華虹宏力兩家代工廠進行工藝開發(fā)合作。通過和上下游合作伙伴一起進行制造和工藝攻關(guān)，邁出中國閃存更大的一步，提升我國芯片自主化水平?！?/span>

我們真的可以自豪的說，中天弘宇的突破創(chuàng)新讓未來的NOR閃存的產(chǎn)業(yè)主導權(quán)將全面掌握在中國企業(yè)手中，屆時中國的IC設計產(chǎn)業(yè)將會比國外競爭對手搶占更高的NOR閃存設計先機。