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青銅劍科技應(yīng)邀參加富士電機技術(shù)研討會

  • 　　11月16日，富士電機功率半導體技術(shù)研討會在蘇州成功舉行。作為富士電機長期合作伙伴，青銅劍科技再次應(yīng)邀參會并作技術(shù)分享。本次活動匯集來自全國各地一百多位行業(yè)客戶和技術(shù)專家，共同交流探討最新產(chǎn)品和前沿技術(shù)話題，現(xiàn)場氣氛熱烈掌聲不斷?！　「皇侩姍C第7代IGBT“X系列”是此次研討會的重頭戲，該系列產(chǎn)品薄化IGBT元件和二極管元件的厚度，實現(xiàn)了元件的小型化和結(jié)構(gòu)優(yōu)化。與以往產(chǎn)品相比，“X系列”產(chǎn)品降低了變換器運行時的電力損耗，更有利于運載機器節(jié)能和削減電力成本。此外，富士電機技術(shù)專家還詳細介紹了IGBT模塊
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日本富士電機將退出太陽能電池生產(chǎn)業(yè)務(wù)

  • 　　日本綜合性電機產(chǎn)品大廠富士電機19日宣布將退出太陽能電池生產(chǎn)業(yè)務(wù)，計劃于今年3月31日將太陽能電池事業(yè)出售給新西蘭多功能屋頂建材制造/銷售商ZinniaTekLimited位于日本的全資子公司FWAVE。 　　富士電機表示，此次將出售的資產(chǎn)包含太陽能電池生產(chǎn)據(jù)點“熊本工廠”以及千葉工廠的太陽能電池研發(fā)設(shè)備，另外也包含太陽能電池庫存以及太陽能電池相關(guān)的商標權(quán)、智慧財產(chǎn)權(quán)。 　　據(jù)日本媒體報導，2006年，富士電機開始利用熊本工廠量產(chǎn)薄膜太陽能電池，年產(chǎn)能約為2.4萬Kw，但因
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富士電機擬擴增SiC功率半導體產(chǎn)線

  • 　　富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導體的產(chǎn)線，未來預(yù)計在2012年春季開始量產(chǎn)。
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富士電機擬擴增SiC功率半導體產(chǎn)線

  • 　　富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導體的產(chǎn)線，未來預(yù)計在2012年春季開始量產(chǎn)。 　　
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富士電機欲設(shè)用于功率半導體的200mm晶圓量產(chǎn)線

  • 　　富士電機決定設(shè)置用于功率半導體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)設(shè)置該公司在日本國內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。 　　發(fā)布資料顯示，此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機將有效利用該工廠的設(shè)備，改建成用于功率半導體的200mm晶圓量產(chǎn)線。設(shè)備投資額計劃為185 億日元，投產(chǎn)時間為2012年5月，處理能力為1萬2000枚/月。
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富士電機--產(chǎn)品簡介

  •                    隨著功率器件對小尺寸、大容量和低噪音的要求，IGBT已成為電源變換器的新一代核心功率器件。富士電機電子技術(shù)公司始終專注于IGBT模塊的開發(fā)，不斷支持新技術(shù)，目標是開發(fā)出簡單易用且最終可實現(xiàn)低損耗和低EMI噪音的IGBT模塊。   富士電機推出的第五代IGBT模塊通過完善
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富士電機介紹

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