富士電機(jī)--產(chǎn)品簡介

                  

隨著功率器件對小尺寸、大容量和低噪音的要求，IGBT已成為電源變換器的新一代核心功率器件。富士電機(jī)電子技術(shù)公司始終專注于IGBT模塊的開發(fā)，不斷支持新技術(shù)，目標(biāo)是開發(fā)出簡單易用且最終可實現(xiàn)低損耗和低EMI噪音的IGBT模塊。

 

富士電機(jī)推出的第五代IGBT模塊通過完善的設(shè)計降低了損耗，并實現(xiàn)了較高的環(huán)保效益。更重要的是，產(chǎn)品的功率周期壽命獲得大大提升，從而成功贏得客戶的信賴。該系列產(chǎn)品備有多種容量規(guī)格供選擇，包括600V/30A～600A、1200V/25A～3600A和1700V/100A～3600A，適用于各種用途的電源變換裝置，如通用變頻器、伺服機(jī)、不間斷電源裝置(UPS)、風(fēng)力發(fā)電裝置和太陽能發(fā)電裝置等。由于采用了溝槽結(jié)構(gòu)和FS(Field Stop)結(jié)構(gòu)，芯片的損耗較之前的產(chǎn)品降低了20%。而通過采用高強(qiáng)度無鉛焊料(芯片和DBC板之間)，功率周期壽命可提升10倍(與之前的產(chǎn)品比較)。

 

富士電機(jī)的U2系列IPM(1200V)采用一體觸發(fā)式驅(qū)動IC，省去了許多其它的零部件。這種智能模塊采用的是第五代IGBT芯片，可以有效控制成本，并獲得最高的效率。它可以降低16～20%的損耗，這是因為采用了FS結(jié)構(gòu)的IGBT芯片。同時具有豐富的保護(hù)功能，如過電流保護(hù)、短路電流保護(hù)、結(jié)溫過熱保護(hù)、殼溫過熱保護(hù)及驅(qū)動電源不足電壓保護(hù)。通過觸發(fā)式驅(qū)動電路來降低EMI噪音(和R-IPM類似)。這款產(chǎn)品適用于通用變頻器和伺服機(jī)等。

 

最新推出的第6代IGBT模塊“V系列”十分簡單易用，可以稱得上是完全平衡的IGBT模塊。它具有低損耗、環(huán)保、高可靠性和低噪音的特性，而且采用散熱良好的封裝，額定電流可達(dá)到相同尺寸封裝的2倍。與第5代IGBT比較，由于IGBT芯片具有改良的溝槽結(jié)構(gòu)和FS結(jié)構(gòu)，該產(chǎn)品降低了10%的損耗。此外，新型的門極結(jié)構(gòu)可減少-20dB EMI噪音，因為這種結(jié)構(gòu)能夠改善開關(guān)速度控制性能。

 

在開發(fā)MOSFET產(chǎn)品方面，富士電機(jī)也取得了豐碩的成果。最新的MOSFET系列Super FAP-E3采用平面型(Planar)結(jié)構(gòu)。Super FAP-E3系列具有業(yè)界最高級別的低導(dǎo)通阻抗特性，改善了原有產(chǎn)品在開關(guān)損耗與電磁噪音之間的矛盾，可以同時實現(xiàn)較低的EMI噪音、易用性以及環(huán)保特性。該系列產(chǎn)品采用第二代QPJ結(jié)構(gòu)，與競爭廠商最新推出的平面型功率MOSFET相比，它的導(dǎo)通阻抗降低了12～17%。相比其它新型器件是一種低損耗、低噪音、易于使用和易于設(shè)計的環(huán)保型功率產(chǎn)品。

 

M-綜合功率器件(M-Power2)是電源IC的首選，這是一種專用的電源IC，采用了富士電機(jī)的專有設(shè)計，適用于復(fù)合發(fā)振型電流共振回路方式的電路。M-Power2可提供高效率、低噪音的電源，并且可工作在待機(jī)模式下(無需輔助電源)，從而可降低系統(tǒng)成本。M-Power2的高效率使得減小開關(guān)電源的尺寸成為可能。在處理EMI噪音方面，MOSFET的開關(guān)過程使用了零電壓+零電流開通，以及零電壓關(guān)斷，這種軟開關(guān)對改善EMI噪音有很大的幫助；此外，次級二極管在逆向恢復(fù)時不出現(xiàn)浪涌電壓。其它特性還包括多項保護(hù)功能、簡化設(shè)計等。該產(chǎn)品非常適合用于液晶顯示電視機(jī)的開關(guān)電源，并可廣泛用于許多應(yīng)用中。

 

富士電機(jī)的二極管產(chǎn)品的發(fā)展也一直沿著富士“低損耗低輻射更小型更環(huán)保”的方向，其高壓SBD具有低正向壓降和軟恢復(fù)特性，有利于降低EMI干擾和簡化線路，封裝更小型化，有利于減小系統(tǒng)體積，廣泛應(yīng)用于液晶電視，電腦等產(chǎn)品中；專用于PFC的整流管，有針對性的設(shè)計提供高性價比的產(chǎn)品， 包括用于較大功率CCM具有超快恢復(fù)特性的LLD1系列，和用于中小功率DCM具有更低正向壓降的LLD2系列，最新的LLD3系列進(jìn)一步平衡了正向壓降和快恢復(fù)特性，使得EMI干擾更小，功率損耗更低，將更廣泛的應(yīng)用于需要PFC的民用電器中。

 

富士電機(jī)的電源IC產(chǎn)品系列豐富，各具特點，可滿足客戶的不同應(yīng)用的需求。

例如，AC-DC Converter IC FA5528，低負(fù)載時通過降低PWM頻率,實現(xiàn)無負(fù)載時較小的輸出容量且輸入功率為0.2W。Vcc額定為28V，允許輔助線圈上不使用串聯(lián)調(diào)節(jié)器。MOSFET的漏電流極限為0.5V，比一般IC效率提高0.5%。FA5526/27/28在滿載時的頻率可達(dá)到130k/100k/60kHZ，具有過電流保護(hù)功能(自動恢復(fù))。

FA5540，內(nèi)置500V啟動元件，通過低頻操作，實現(xiàn)無負(fù)載時輸入功率為0.1W，VCC不低于欠壓鎖定（UVLO），啟動時間只需0.2秒。通過低負(fù)載時的間歇性開關(guān)，實現(xiàn)低待機(jī)功率。最大頻率可達(dá)到65kHZ~130kHZ，具有過載保護(hù)功能(自動重啟，Timer-Latched)。