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富士電機擬擴增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線

—— 預(yù)計2012年春季開始量產(chǎn)
作者: 時間:2011-08-22 來源:SEMI 收藏

  計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線,此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線,未來預(yù)計在2012年春季開始量產(chǎn)。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/122769.htm

  將在近期內(nèi)決定生產(chǎn)規(guī)模,外界預(yù)估投資額將可達到數(shù)10億日圓,此產(chǎn)線利用二極管及碳化硅制作出功率半導(dǎo)體,并整合絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor;IGBT),以模塊方式提供給工業(yè)用機器。

  在此之前,已然與日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所合作于該研究所的茨城事業(yè)所生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體的試作品,今后透過自家公廠產(chǎn)線,富士電機計劃正式進行量產(chǎn)。

  富士電機于2011年會計年度(2010年4月~2011年3月)對功率半導(dǎo)體的投資額高達185億日圓(約2.4億美元),約占該公司總投資額的一半。

  碳化硅功率半導(dǎo)體為變頻器(Inverter)中一重要零組件,主要用于控制馬達轉(zhuǎn)速,近期以來因其省電效果而受到矚目。使用硅為原料的功率半導(dǎo)體因性能已然難以提升,故電力損失可減半的碳化硅功率半導(dǎo)體,可望于2015年成為市場主流。

  根據(jù)野村證券金融經(jīng)濟研究所的預(yù)估,功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將在2013年,達到165億日圓,較2009年增加64%。盡管關(guān)于碳化硅功率半導(dǎo)體的市場預(yù)估仍然不多,但業(yè)界估計,碳化硅功率半導(dǎo)體市場將可在2019年達到8億美元規(guī)模,較2010年增加達30倍。

  為因應(yīng)未來市場需求,日本多家廠商已然陸續(xù)整頓生產(chǎn)體制,先有Rohm于2010年,后有三菱電機于2011年初量產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體。海外方面也有德國Infineon Technologies、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)等公司,投入碳化硅功率半導(dǎo)體市場。



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