- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能產品。這些系列器件具有業(yè)內領先的標準，如容值電壓、電流等級和導通電阻。這些創(chuàng)新產品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進行展示，是很多關鍵應用的理想選擇，也是Vishay廣泛的產品線組合的典型代表產品。
2010年將要發(fā)布的Super 12產品是：
597D和T97多模鉭電容：對于+28V應
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Vishay 電容 導通電阻 MOSFET
- 環(huán)境污染、溫室效應、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類生存的難題已經使全球有識之士認識到節(jié)能減排提高能效是未來科學技術活動一項長期的任務。正如英飛凌科技奧地利有限公司全球開關電源高級市場經理Thomas Schmidt所言：“能效不僅是個時髦詞匯，更是一個全球挑戰(zhàn)！”如何應對這項挑戰(zhàn)？各個半導體紛紛從半導體器件入手，幫助系統公司提升電源效率，這方面，英飛凌近年來動作頻頻，近日，英飛凌公司高調發(fā)布其最新的OptiMOS 3系列低壓MOSFET，并
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英飛凌 半導體 OptiMOS MOSFET 導通電阻 CanPAK封裝 DirectFET封裝 電源管理
- Intersil 的模擬開關提供了超低的導通電阻，并且板空間比先前的封裝小 72% ISL54050 和 ISL54056 均采用節(jié)省空間的 μTQFN 封裝，典型導通電阻分別為 0.27 Ohms和 0.45 Ohms，從而能夠為手持式應用中的手機接收器實現更低的信號損耗和更多的功率 Intersil（NASDAQ：ISIL）公司宣布推出低壓雙重 ISL5405 和四重&nb
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Intersil 導通電阻 電源技術 模擬技術 模擬開關 電阻 電位器
- 意法半導體日前針對汽車市場推出新的大電流功率場效應MOS晶體管，該產品采用ST最新優(yōu)化的STripFET專利技術，實現了最低的導通電阻。 據介紹，STD95N04是一個40V標準電平的DPAK產品，最大導通電阻RDS(on)6.5mΩ，專門為DC-DC轉換器、電機控制、電磁閥驅動器和ABS設計的。新產品的典型RDS(on)在5mΩ區(qū)間內，能夠滿足標準閾壓的驅動要求。STD95N04符合汽車電工理事會組件技術委員會針對汽車環(huán)境用組件制定的AEC Q101分立器件應力測試標準。該組件最大工作
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ST 導通電阻 模擬技術 效應晶體管 電阻 電位器
導通電阻介紹
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