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Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品

作者: 時(shí)間:2010-03-25 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  日前, Intertechnology, Inc.宣布,推出2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品。這些系列器件具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn),如容值電壓、電流等級(jí)和。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進(jìn)行展示,是很多關(guān)鍵應(yīng)用的理想選擇,也是廣泛的產(chǎn)品線組合的典型代表產(chǎn)品。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/107315.htm

  2010年將要發(fā)布的Super 12產(chǎn)品是:

  • 597D和T97多模鉭:對(duì)于+28V應(yīng)用,工業(yè)級(jí)的597D和Hi-Rel COTS T97D系列是業(yè)內(nèi)首批75V額定電壓的鉭。這些器件具有業(yè)內(nèi)最高的容值-電壓,從4V電壓的1500μF到75V電壓的15μF,可節(jié)省PCB空間,同時(shí)低至15mΩ的超低ESR提高了設(shè)計(jì)效率。
  • MKP 1848聚丙烯薄膜:對(duì)于直流應(yīng)用,MKP 1848電容的額定容值為1μF~400μF,有2個(gè)或4個(gè)引腳用于PCB安裝(MKP 1848),額定容值為60μF~400μF的器件采用總線條,用于直接IGBT安裝(MKP 1848 PCP)。
  • IHLP®-6767功率電感:IHLP-6767器件是目前額定電流最高的SMD功率電感。器件的尺寸為4.0mm x 7.0mm,電流可達(dá)100A,感值為100μH,還具有優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性。
  • WSMS和WSBS高功率分流電阻:WSMS功率計(jì)分流電阻和WSBS車用電池分流電阻具有50μΩ~500μΩ的極低阻值,2908、3124和5515外形尺寸電阻的功率為3W,8518尺寸的功率達(dá)36W。器件的全焊接結(jié)構(gòu)使器件可以在大于400A的連續(xù)電流下工作。
  • LPS平板厚膜電阻:LPS系列采用緊湊的57mm x 60mm的外形尺寸,功率耗散達(dá)800W,重量為83g。器件的絕緣強(qiáng)度達(dá)12kVRMS,阻值范圍為0.3Ω~900kΩ。
  • 無磁MLCC:這些MLCC電容采用無磁材料制造,采用多種組裝方式,包括導(dǎo)電樹脂和紅外回流焊組裝。器件具有各種尺寸、電壓等級(jí)和容值,采用了貴金屬和濕法制造工藝,以達(dá)到高可靠性。
  • 第三代TrenchFET® P溝道:這種最新一代的P溝道硅技術(shù)使器件實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最佳的標(biāo)準(zhǔn),如采用PowerPAK® SO-8封裝的為1.9mΩ。第三代TrenchFET P溝道的rDS(on)只有市場(chǎng)上最接近器件的一半,用更低的傳導(dǎo)損耗實(shí)現(xiàn)了更高的效率,使采用電池的應(yīng)用在兩次充電之間的時(shí)間更長(zhǎng)。這種還提供完整的封裝選項(xiàng),包括1.6mm x 1.6mm的PowerPAK SC-75封裝。
  •  20A的第5代肖特基二極管20WT04FN:20WT04FN是業(yè)界首款采用D-PAK封裝的20A、40V二極管。該器件的工作溫度可高達(dá)+175℃,在20A、+125℃下的最大正向電壓降為0.530V,在45V、+125℃下的最大反向漏電流為7mA。
  • MSS1P2U和MSS1P3U eSMPTM SMD肖特基勢(shì)壘整流器:MSS1P2U和MSS1P3U MicroSMP整流器具有高電流密度,在0.4V電壓下具有0.35V的超低正向電壓降,典型厚度為0.68mm。
  • VO3120和VO3150A IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器:這些2.5A和0.5A的驅(qū)動(dòng)器的供電電壓范圍為15V~32V,工作溫度范圍為+40℃~+110℃。
  • SiC769 DrMOS 6x6:SiC769集成式MOSFET和驅(qū)動(dòng)IC方案具有業(yè)內(nèi)最佳的功率密度,可用于主流的多相Vcore應(yīng)用。新器件完全符合針對(duì)高功率CPU系統(tǒng)中電壓調(diào)整器(VR)的DrMOS標(biāo)準(zhǔn),工作頻率可達(dá)1MHz。
  • 第9代Super JunctionTM FET MOSFET:的22A、600V Super Junction FET MOSFET具有低至0.19Ω(最大)的導(dǎo)通電阻,改善了導(dǎo)通電阻與柵極電荷的乘積,即優(yōu)值(FOM)。


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