帶隙基準(zhǔn) 文章進入帶隙基準(zhǔn)技術(shù)社區(qū)

一種帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計

摘要：基準(zhǔn)電壓源是在電路系統(tǒng)中為其它功能模塊提供高精度的電壓基準(zhǔn)，它是模擬集成電路和混合集成電路中非常重要的模塊。文中主要研究了帶隙基準(zhǔn)基本原理的基礎(chǔ)上，設(shè)計了一款應(yīng)用于折疊插值A(chǔ)DC中粗量化電路部分CMO
關(guān)鍵字：帶隙基準(zhǔn) 電壓源

一種基于LDO穩(wěn)壓器的帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計

摘要：設(shè)計了一種結(jié)構(gòu)簡單的基于LDO穩(wěn)壓器的帶隙基準(zhǔn)電壓源。以BrokaW帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)來進行設(shè)計。采用Cadence的Spectre仿真工具對電路進行了
關(guān)鍵字：帶隙基準(zhǔn) LDO穩(wěn)壓器溫度系數(shù) 電源抑制比運算放大器

一種基于40nm CMOS工藝的新型溫度補償、高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)源

基于TSMC40LP工藝設(shè)計了一種新穎的溫度補償、高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)源。本設(shè)計采用全MOSFET設(shè)計，工作于1.1 V電源電壓，通過將MOSFET偏置在零溫度系數(shù)工作點，并結(jié)合溫度補償技術(shù)和有源衰減電路，實現(xiàn)在-40 ℃~125 ℃內(nèi)溫度變化系數(shù)為6.6 ppm/℃，低頻下電源抑制比為93 dB，高頻下電源抑制比為56 dB，與此同時，利用阻抗調(diào)試對環(huán)路穩(wěn)定性進行了補償。
關(guān)鍵字：帶隙基準(zhǔn) 全CMOS 低電源電壓曲率補償高電源抑制比零溫系數(shù)點 201804

做好自啟動不容易，理解穩(wěn)壓器和帶隙基準(zhǔn)的上電復(fù)位需求

自啟動是必需的，但有時卻難以實現(xiàn)，無論是激發(fā)人體，還是冷啟動汽車，或者是給IC提供POR（上電復(fù)位），都會面臨這樣的問 ...
關(guān)鍵字：穩(wěn)壓器帶隙基準(zhǔn) 上電復(fù)位

帶隙基準(zhǔn)計算器(BGRC)功能簡介

帶隙基準(zhǔn)計算器(BGRC)是一個帶隙基準(zhǔn)電路的設(shè)計和分析。所有的電路參數(shù)和輸出電壓的計算結(jié)溫的功能?；萜誶eg; 50G計算器或免費的PC模擬器，可以使用計算器。帶隙基準(zhǔn)計算器帶隙參考計算器(BGRC)是HP50克計算器的程序
關(guān)鍵字： BGRC 帶隙基準(zhǔn) 計算器

帶隙基準(zhǔn)計算器(BGRC)功能

帶隙基準(zhǔn)計算器(BGRC)是一個帶隙基準(zhǔn)電路的設(shè)計和分析。所有的電路參數(shù)和輸出電壓的計算結(jié)溫的功能。惠普reg; 50G計算器或免費的PC模擬器，可以使用計算器。　　帶隙基準(zhǔn)計算器　　帶隙參考計算器(BGRC)是HP50克計算
關(guān)鍵字： BGRC 帶隙基準(zhǔn) 計算器

基于汽車環(huán)境的帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計

比較了傳統(tǒng)帶運算放大器的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路與采用曲率補償技術(shù)的改進電路，設(shè)計了一種適合汽車電子使用的帶隙基準(zhǔn)電壓源，該設(shè)計電路基于上海貝嶺2μm 40 V bipolar工藝，采用一階曲率補償技術(shù)，充分考慮了汽車空間有限、溫差大、噪聲多的環(huán)境特點。沒有使用運放，避免其復(fù)雜的結(jié)構(gòu)以及所引起的失調(diào)，因此降低了電路成本并改善性能，設(shè)計中還引入了啟動電路，大大降低了附加功耗。用Cadence Spectre對電路仿真，結(jié)果表明，電路溫度特性好，抗干擾能力強，有較高的電源抑制比(PSRR)，達到預(yù)期指標(biāo)。
關(guān)鍵字：汽車環(huán)境帶隙基準(zhǔn) 電壓源

一種帶有軟啟動的精密CMOS帶隙基準(zhǔn)設(shè)計

0 引言帶隙基準(zhǔn)是所有基準(zhǔn)電壓中最受歡迎的一種，由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關(guān)的突出優(yōu)點，所以被廣泛地應(yīng)用于高精度的比較器、A/D或D/A轉(zhuǎn)換器、LDO穩(wěn)壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準(zhǔn)的主要作用是在集成電路中提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流，這就要求基準(zhǔn)對電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。本文結(jié)合工程實際的要求設(shè)計了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動的CMOS帶隙基準(zhǔn)源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝模型庫進行仿真，HSPICE
關(guān)鍵字：軟啟動 CMOS 帶隙基準(zhǔn) 電源模擬IC 電源

一種帶有軟啟動的精密CMOS帶隙基準(zhǔn)設(shè)計

　　引言　　帶隙基準(zhǔn)是所有基準(zhǔn)電壓中最受歡迎的一種，由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關(guān)的突出優(yōu)點，所以被廣泛地應(yīng)用于高精度的比較器、A/D或D/A轉(zhuǎn)換器、LDO穩(wěn)壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準(zhǔn)的主要作用是在集成電路中提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流，這就要求基準(zhǔn)對電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。　　本文結(jié)合工程實際的要求設(shè)計了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動的CMOS帶隙基準(zhǔn)源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝模型庫進行仿真，HSPICE的仿真結(jié)果表明該基
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 CMOS 帶隙基準(zhǔn) 比較器測量工具

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帶隙基準(zhǔn)介紹

　　帶隙基準(zhǔn) 　　目錄　　1簡介　　2原理　　1簡介　　Bandgap voltage reference，常常有人簡單地稱它為Bandgap。最經(jīng)典的帶隙基準(zhǔn)是利用一個與溫度成正比的電壓與一個與溫度成反比的電壓之和，二者溫度系數(shù)相互抵消，實現(xiàn)與溫度無關(guān)的電壓基準(zhǔn)，約為1.25V。因為其基準(zhǔn)電壓與硅的帶隙電壓差不多，因而稱為帶隙基準(zhǔn)。實際上利用的不是帶隙電壓?，F(xiàn)在有些Bandga [ 查看詳細(xì) ]

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