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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 損耗

電子輻照對(duì)開關(guān)電源中功率雙極晶體管損耗的影響

  • 中心議題： 開關(guān)電源中開關(guān)晶體管的損耗 開關(guān)電源中開關(guān)晶體管的電子輻照實(shí)驗(yàn) 電子輻照雙極晶體管和鉗位型雙極晶體管的比較
    功率雙極晶體管的損耗是開關(guān)電源總損耗中的最多的器件之一， 采用10M eV電子輻照
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光纖應(yīng)用中的損耗及解決方案

  • 1、接續(xù)損耗及其解決方案1.1接續(xù)損耗光纖的接續(xù)損耗主要包括：光纖本征因素造成的固有損耗和非...
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如何為電源選擇最佳的工作頻率

  • 為您的電源選擇最佳的工作頻率是一個(gè)復(fù)雜的權(quán)衡過(guò)程，其中包括尺寸、效率以及成本。通常來(lái)說(shuō)，低頻率設(shè)計(jì)往...
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低導(dǎo)通損耗的USB電源開關(guān)的設(shè)計(jì)

  • 本文設(shè)計(jì)了一種低導(dǎo)通損耗的USB 電源開關(guān)電路。該電路采用自舉電荷泵為N 型功率管提供足夠高的柵壓， 以降低USB 開關(guān)的導(dǎo)通損耗。在過(guò)載情況下， 過(guò)流保護(hù)電路能將輸出電流限制在0. 3 A?！　? 引言：　　通用串行總
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求解每個(gè)熱源功率損耗的新方法

  • 一引言DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個(gè)重要特征參數(shù)。可以測(cè)量出這些特征參數(shù)，...
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一種求解每個(gè)熱源功率損耗的新方法

  • 一 引言　　DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個(gè)重要特征參數(shù)。可以測(cè)量出這些特征參數(shù)，并用下面的直觀方式進(jìn)行表達(dá)：　　效率 = 輸出功率 / 輸入功率 （1）　　功率損耗 = 輸入功率-輸出功率
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Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì),引言
    嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理的、針對(duì)嵌入式應(yīng)用
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10KVA變壓器損耗的計(jì)算公式及方法

  • 負(fù)載曲線的平均負(fù)載系數(shù)越高，為達(dá)到損耗電能越小，要選用損耗比越小的變壓器；負(fù)載曲線的平均負(fù)載系數(shù)越低，為達(dá)到損耗電能越小，要選用損耗比越大的變壓器。將負(fù)載曲線的平均負(fù)載系數(shù)乘以一個(gè)大于1的倍數(shù)，通?？扇?/li>
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天線基本知識(shí)及應(yīng)用―鏈路及空間無(wú)線傳播損耗計(jì)算

  • 1 鏈路預(yù)算 上行和下行鏈路都有自己的發(fā)射功率損耗和路徑衰落。在蜂窩通信中，為了確定有效覆蓋范圍，必須確定最大路徑衰落、或其他限制因數(shù)。在上行鏈路，從移動(dòng)臺(tái)到基站的限制因數(shù)是基站的接受靈敏度。對(duì)下行鏈路來(lái)
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EMI電源濾波器的插入損耗分析

  • 摘要：在一般EMI濾波器的共模和差模等效電路的基礎(chǔ)上，分析了源阻抗和負(fù)載阻抗對(duì)濾波器插入損耗的影響。提出了共模插入損耗和差模插入損耗的計(jì)算方法，推導(dǎo)了濾波器插入損耗與阻抗關(guān)系的表達(dá)式，并且對(duì)這一關(guān)系作了仿
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利用屏蔽柵極功率 MOSFET 技術(shù)降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗

在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關(guān)損耗

  • 摘要：升壓變換器通常應(yīng)用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關(guān)電源的效率，設(shè)計(jì)者必須選擇低開關(guān)損耗的MOSFET。在升壓變換器中，利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。1引言　　在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，效率是一個(gè)關(guān)鍵性的參
  • 關(guān)鍵字： 減少  開關(guān)  損耗  MOSFET  新型  變換器  利用  升壓  

采用新型IGBT優(yōu)化軟開關(guān)應(yīng)用中的損耗

  • IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場(chǎng)終止”概念(也有稱為“軟穿通”或“輕穿通”)降低晶圓n襯底的厚度。此外，帶有單片二極
  • 關(guān)鍵字： 應(yīng)用  損耗  開關(guān)  優(yōu)化  新型  IGBT  采用  

變壓器中磁性元件的損耗問(wèn)題詳解

  • 　　今天我們來(lái)討論下電源電路中磁性元件的損耗?！　‰娫粗械拇判栽话憔褪侵鸽姼信c變壓器，這里我們這種討論初次級(jí)隔離的變壓器，因?yàn)檫@種變壓器在開關(guān)電源中應(yīng)用最為廣泛。　　變壓器的作用大致是提供初次級(jí)的
  • 關(guān)鍵字： 問(wèn)題  詳解  損耗  元件  磁性  變壓器  
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損耗介紹

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