電晶體文章進(jìn)入電晶體技術(shù)社區(qū)

新式原子級(jí)電晶體為下一代運(yùn)算技術(shù)鋪路

　　美國羅倫斯柏克萊國家實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)家開發(fā)出一種新的化學(xué)組裝方法，能夠?qū)崿F(xiàn)僅有原子厚度的電晶體與電路，從而為下一代電子與電腦運(yùn)算技術(shù)鋪路。　　美國能源部羅倫斯柏克萊國家實(shí)驗(yàn)室(Berkeley Lab)開發(fā)出一種結(jié)合采用2D石墨烯材料和二硫化鉬(MoS2)電晶體的組裝方法。　　該方法在以石墨烯襯底的二氧化矽基板上蝕刻窄通道，接著再以過渡金屬二硫?qū)倩?TMDC)或更具體的是MoS2。這兩種材料均為只有一原子層的2D結(jié)構(gòu)。這種合成方法能夠覆蓋幾平方公分大小的區(qū)域，從而開啟了在晶圓廠以晶圓實(shí)現(xiàn)商用規(guī)模
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Intel 10nm工藝將使用量子井場效電晶體及新型半導(dǎo)體材料

　　半導(dǎo)體的制造工藝已經(jīng)是14nm，10nm工藝延后，半導(dǎo)體業(yè)界黃金法則摩爾定律已受質(zhì)疑，不過Intel祭出法寶：量子井場效電晶體、銦鎵砷及應(yīng)變鍺兩種新型半導(dǎo)體材料將會(huì)使摩爾定律持續(xù)下去。
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IBM矢志于2020年實(shí)現(xiàn)CNT電晶體

　　過去二十幾年來，IBM已經(jīng)為制作1.4nm的微型碳奈米管嘗試過幾乎每一種可能性了，期望能找到延續(xù)矽電晶體通道的方法。時(shí)至今日，最小的矽電晶體已經(jīng)達(dá)到原子極限了——例如，4nm矽電晶體通道約由20個(gè)原子組成。為了進(jìn)展到下一個(gè)矽晶世代，除了各種缺陷和摻雜不均的問題以外，業(yè)界還面臨著矽電晶體尺寸進(jìn)一步縮小的挑戰(zhàn)。如果IBM或其他廠商——事實(shí)上，中國現(xiàn)正主導(dǎo)碳奈米管的研究——能夠?qū)崿F(xiàn)最佳化的1.4nm電晶體通道，那么摩爾定律(Moore&
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OLED大突破:日本制造成本將降至1/10

　　日經(jīng)新聞26日報(bào)導(dǎo)，日本山形大學(xué)時(shí)任靜士等教授已成功研發(fā)出一套可藉由印刷的方式來制造OLED面板驅(qū)動(dòng)元件( 電晶體 )的新技術(shù)。報(bào)導(dǎo)指出，藉由利用該新技術(shù)，則只要結(jié)合作為發(fā)光體的有機(jī)化合物和塑膠制面板，則OLED面板也可利用印刷技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)，如此一來可將OLED面板的制造成本降至現(xiàn)行的1/10。據(jù)報(bào)導(dǎo)，該項(xiàng)新技術(shù)將于今(26)日在橫濱市舉行的日本化學(xué)會(huì)上發(fā)表，之后并計(jì)劃于5年后完成試作品。　　報(bào)導(dǎo)指出，目前已開始應(yīng)用于大尺寸電視的OLED面板主要采用矽制電晶體，且在制造電極時(shí)需使用高溫，故需花費(fèi)大
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IBM未來9納米電晶體以碳元素為主要材質(zhì)

　　Intel透露今年預(yù)計(jì)推出的Ivy Bridge將采用全新22nm的3D硅晶體技術(shù)，并且在接下來將進(jìn)展到14nm，乃至于之后于2016年間也預(yù)計(jì)推出采用11nm制程的 “Skymont”平臺(tái)。而看起來IBM也將不甘落后，目前官方宣布已經(jīng)發(fā)展低于10nm以下的9nm制程電晶體技術(shù)，并以碳元素為主要材質(zhì)。　
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如何選用合適DSP元件進(jìn)行低功率設(shè)計(jì)

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電晶體介紹

　　電晶體是現(xiàn)代電子電路的核心元件，主要功能是做電流的開關(guān)。和一般機(jī)械開關(guān)的區(qū)別在于電晶體是利用電信號(hào)來控制的，開關(guān)速度非?？?，可以達(dá)到100GHz以上?！　‰p極性截面電晶體是利用兩個(gè)很接近的pn截面，電信號(hào)控制其中一個(gè)截面的注入載體，另一個(gè)截面收集載體，而載體形成的電流遠(yuǎn)比控制信號(hào)的電流大，所以有所謂的電流增益。　　場效應(yīng)電晶體則是控制信號(hào)造成的載體通道附近電廠改變，使通道特性發(fā)生變化，導(dǎo)致電流 [ 查看詳細(xì) ]

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