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IBM未來9納米電晶體以碳元素為主要材質

—— 會具有更好的導電系數(shù)
作者: 時間:2012-02-12 來源:中電網(wǎng) 收藏

  Intel透露今年預計推出的Ivy Bridge將采用全新22nm的3D硅晶體技術,并且在接下來將進展到14nm,乃至于之后于2016年間也預計推出采用11nm制程的 “Skymont”平臺。而看起來也將不甘落后,目前官方宣布已經(jīng)發(fā)展低于10nm以下的制程技術,并以碳元素為主要材質。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/128842.htm

  根據(jù)近期所發(fā)布消息透露,研究人員在近年來發(fā)現(xiàn)相較于硅元素,碳元素所制成的管將具有更好的導電系數(shù),同時還能一舉突破硅元素本身在物理 上的極限,在近期則是成功制作出以碳元素為主的碳晶體管,并且讓制程技術一舉突破10nm的障礙,進而進展到更小的制程,同時還能維持一定的 控制穩(wěn)定性,并且可提供更好的電功耗表現(xiàn),亦即透過相同的電力即可對應更好得效能表現(xiàn),對于裝置長時間運作也有相當助益。

  不過,雖然公開旗下技術已經(jīng)正式突破制程,目前似乎還不會看見IBM將此向技術落實在旗下產(chǎn)品制作,畢竟現(xiàn)階段仍處于需要調整、穩(wěn)定的狀態(tài),或許之后將會相關技術應用的硬件產(chǎn)品問世,今后可能主要用于企業(yè)級處理器中。



關鍵詞: IBM 9nm 電晶體

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