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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第三代半導(dǎo)體

第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)5G基站技術(shù)全面升級

  • 5G 受到追捧是有充足的理由的。根據(jù)CCS Insight 的預(yù)測，到2023 年，5G 用戶數(shù)量將達(dá)10 億；2022 年底，5G蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施將承載近15％的全球手機(jī)流量。高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線性度是5G 基礎(chǔ)設(shè)施對射頻半導(dǎo)體器件的硬性要求。對于整個(gè)第三代半導(dǎo)體技術(shù)，尤其是氮化鎵（GaN），5G 開始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比，GaN 器件的開關(guān)頻率、輸出功率和工作溫度更高，適合1-110 GHz的高頻通信應(yīng)用，涵蓋移動通信、無線網(wǎng)絡(luò)、點(diǎn)對點(diǎn)和點(diǎn)對多點(diǎn)微波通
  • 關(guān)鍵字： 202206  第三代半導(dǎo)體  GaN  

深化碳中和愿景下的中歐科技創(chuàng)新合作

  • 11月27日， 由中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會與深圳市人民政府共同主辦，由中國科協(xié)企業(yè)創(chuàng)新服務(wù)中心、深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會承辦、深圳市科技交流服務(wù)中心、深圳基本半導(dǎo)體有限公司、深圳中歐創(chuàng)新中心執(zhí)行的“2021中歐科技創(chuàng)新合作發(fā)展論壇”專業(yè)論壇——“2021中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳隆重舉行。論壇上，來自國內(nèi)及英國、法國、比利時(shí)等國際知名的科學(xué)家、科技組織、科研院校、行業(yè)協(xié)會、半導(dǎo)體企業(yè)及投資機(jī)構(gòu)等泛第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的代表參與大會，共同探討中歐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展和應(yīng)用現(xiàn)況及未來趨勢，并就如何深化“碳中和”目標(biāo)
  • 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體  碳化硅  

2021基本創(chuàng)新日盛大開啟 碳化硅系列新品重磅發(fā)布

  • 新基建和“雙碳”戰(zhàn)略目標(biāo)推動下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在開啟發(fā)展加速度，有望成為綠色經(jīng)濟(jì)的中流砥柱，引領(lǐng)新一輪產(chǎn)業(yè)革命。“創(chuàng)新為基，創(chuàng)芯為本”，11月27日，2021基本創(chuàng)新日活動在深圳盛大啟幕?；景雽?dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士在會上發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半導(dǎo)體產(chǎn)品布局進(jìn)一步完善，產(chǎn)品競爭力再度提升，將助力國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展，受到了現(xiàn)場來自汽車、工業(yè)、消費(fèi)等領(lǐng)域以及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的多位業(yè)內(nèi)人士的高度關(guān)注。汽車級全碳化硅功
  • 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體  碳化硅  MOSFET  

第三代半導(dǎo)體頭部企業(yè)基本半導(dǎo)體完成C1輪融資

  • 9月17日，專注于第三代半導(dǎo)體基本半導(dǎo)體功率器件的深圳基本半導(dǎo)體有限公司完成C1輪融資，由現(xiàn)有股東博世創(chuàng)投、力合金控，以及新股東松禾資本、佳銀基金、中美綠色基金、厚土資本等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資。本輪融資將繼續(xù)用于加速碳化硅功率器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體正處于快速發(fā)展的黃金賽道?；景雽?dǎo)體經(jīng)過多年深耕，掌握了國際領(lǐng)先的碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)領(lǐng)域覆蓋碳化硅的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈，先后推出全電流電壓等級的碳化硅肖特基二極管及MOSFET、車規(guī)級碳化硅功率模塊、碳化硅驅(qū)
  • 關(guān)鍵字： 基本半導(dǎo)體  基本半導(dǎo)體  第三代半導(dǎo)體  

鄭有炓院士：第三代半導(dǎo)體迎來新發(fā)展機(jī)遇

  • 半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)的核心基礎(chǔ)材料，一代材料、一代技術(shù)、一代產(chǎn)業(yè)，半個(gè)多世紀(jì)來從基礎(chǔ)技術(shù)層面支撐了信息技術(shù)翻天覆地的變化，推動了電子信息科技產(chǎn)業(yè)可持續(xù)蓬勃發(fā)展。同樣地，信息技術(shù)和電子信息科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求又驅(qū)動了半導(dǎo)體材料與技術(shù)的發(fā)展。第三代半導(dǎo)體材料及其應(yīng)用第三代半導(dǎo)體是指以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，它是繼20世紀(jì)50年代以Ge、Si為代表的第一代半導(dǎo)體和70年代以GaAs、InP為代表的第二代半導(dǎo)體之后于90年代發(fā)展起來的新型寬禁帶半導(dǎo)體材料，即禁帶寬度明顯大于Si（1.12 eV）和Ga
  • 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體  SiC  

博世創(chuàng)業(yè)投資公司投資基本半導(dǎo)體，助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

  • 近日，隸屬于博世集團(tuán)的羅伯特·博世創(chuàng)業(yè)投資公司（RBVC）已完成對基本半導(dǎo)體的投資?；景雽?dǎo)體總部位于深圳，是中國領(lǐng)先的碳化硅功率器件提供商之一。碳化硅是第三代半導(dǎo)體的代表材料。采用碳化硅的功率半導(dǎo)體以更具優(yōu)勢的性能正逐步取代硅基半導(dǎo)體，廣泛應(yīng)用在新能源汽車、 充電樁、5G基建、特高壓、城際高鐵和軌道交通、大數(shù)據(jù)中心等。今后五年是第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的窗口期。博世創(chuàng)業(yè)投資公司合伙人蔣紅權(quán)博士表示：“中國是全球最大的電力電子市場。基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的產(chǎn)品及本地可控的供應(yīng)鏈可滿足快速增長的中國市場需
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基本半導(dǎo)體完成數(shù)億元B輪融資，打造行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅IDM企業(yè)

  • 2020年12月31日，致力于碳化硅功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的國內(nèi)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)基本半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元人民幣B輪融資，由聞泰科技領(lǐng)投，深圳市投控資本、民和資本、屹唐長厚、四海新材料等機(jī)構(gòu)跟投，原股東力合資本追加投資。據(jù)透露，本輪融資基于基本半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃，引入了對第三代半導(dǎo)體的研發(fā)、制造和市場環(huán)節(jié)具有重要價(jià)值的戰(zhàn)略投資方。所融資金將主要用于加強(qiáng)碳化硅器件的核心技術(shù)研發(fā)、重點(diǎn)市場拓展和制造基地建設(shè)，特別是車規(guī)級碳化硅功率模塊的研發(fā)和量產(chǎn)。基本半導(dǎo)體成立于2016年，核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)成員包括來自清華大
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅功率器件  第三代半導(dǎo)體  基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET  碳化硅IDM企業(yè)  

基本半導(dǎo)體主辦首屆汽車級碳化硅模塊與電機(jī)控制器技術(shù)閉門會圓滿落幕

  • 11月21日，在中歐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇期間，基本半導(dǎo)體同期主辦碳化硅功率器件技術(shù)交流會、汽車級碳化硅模塊與電機(jī)控制技術(shù)閉門會系列活動，為業(yè)內(nèi)搭建交流合作的專業(yè)平臺。閉門會上，基本半導(dǎo)體邀請了一汽集團(tuán)、北汽集團(tuán)、上汽集團(tuán)、廣汽集團(tuán)、長城汽車、小鵬汽車、豐田汽車、電裝中國、大陸汽車、上海保隆、清華大學(xué)等國內(nèi)外整車廠和電機(jī)控制器Tier1的企業(yè)代表、高校教授、投資專家等專業(yè)人士，圍繞汽車行業(yè)對碳化硅模塊的技術(shù)需求和在碳化硅電機(jī)控制器開發(fā)方面遇到的問題及其解決方案進(jìn)行探討，以推進(jìn)碳化硅模塊的測試、驗(yàn)證和產(chǎn)業(yè)
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅功率器  汽車級碳化硅模塊  電機(jī)控制  第三代半導(dǎo)體  

創(chuàng)新引領(lǐng)發(fā)展、合作共贏未來——2020中歐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇在深圳成功召開

  • 11月20日，由中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會與深圳市人民政府共同主辦，中國科協(xié)企業(yè)創(chuàng)新服務(wù)中心、深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會等單位承辦，深圳市科技開發(fā)交流中心、深圳中歐創(chuàng)新中心等單位執(zhí)行，基本半導(dǎo)體等單位協(xié)辦的“2020中歐科技創(chuàng)新合作發(fā)展論壇”分論壇——“2020中歐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇”在深圳五洲賓館隆重舉行。論壇圍繞第三代半導(dǎo)體行業(yè)的國際合作、市場熱點(diǎn)和技術(shù)前沿話題，邀請中外半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)＜覍W(xué)者進(jìn)行經(jīng)驗(yàn)分享，探討中歐半導(dǎo)體合作發(fā)展新路徑。深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會副主席張治平在致辭中表示，深圳市政府高度重視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，推
  • 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體  碳化硅功率器件  基本半導(dǎo)體  青銅劍  

2019中瑞產(chǎn)學(xué)研發(fā)展論壇——第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇在深圳成功舉辦！

  • 11月15日，由中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會、深圳市人民政府主辦，深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會、中國科協(xié)科學(xué)技術(shù)傳播中心承辦的2019中瑞產(chǎn)學(xué)研發(fā)展論壇在深圳五洲賓館成功落下帷幕。2019中瑞產(chǎn)學(xué)研發(fā)展論壇主會場中國科協(xié)副主席、書記處書記孟慶海，瑞典皇家工程科學(xué)院副院長Magnus Breidne，廣東省科協(xié)黨組成員、專職副主席馮日光，深圳市委常委、統(tǒng)戰(zhàn)部部長林潔，香港中文大學(xué)工程學(xué)院副院長黃錦輝，西湖大學(xué)副校長、光學(xué)工程講席教授仇旻，瑞典國家級孵化器與科技園聯(lián)盟4SmartGrowth項(xiàng)目高級執(zhí)行董事、SISP中國市場關(guān)系總
  • 關(guān)鍵字： 青銅劍科技  第三代半導(dǎo)體  中瑞產(chǎn)學(xué)研發(fā)展論壇  

北京經(jīng)開區(qū)第三代半導(dǎo)體現(xiàn)新突破

  • 一輛新能源汽車、一組高能效服務(wù)器電源，核心功能的實(shí)現(xiàn)都離不開電力電子系統(tǒng)中半導(dǎo)體器件的支撐。碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有低能耗、體積小、重量輕等特點(diǎn)，國際上都在競相研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體制備技術(shù)。近日，記者在區(qū)內(nèi)企業(yè)世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“世紀(jì)金光”）了解到，其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實(shí)現(xiàn)小批量試產(chǎn)，研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應(yīng)用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務(wù)器電源、特種電源等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅關(guān)鍵領(lǐng)域全面布局。
  • 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體  碳化硅  世紀(jì)金光  

基本半導(dǎo)體與NetPower達(dá)成戰(zhàn)略合作，優(yōu)質(zhì)代理商火熱招募中!

  • 日前，基本半導(dǎo)體與NetPower簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將共同開發(fā)歐美地區(qū)第三代半導(dǎo)體市場。這是基本半導(dǎo)體繼成立瑞典海外營銷中心后，公司國際化戰(zhàn)略的又一里程碑。根據(jù)合作協(xié)議，NetPower正式成為基本半導(dǎo)體歐美地區(qū)授權(quán)分銷商，為歐洲及北美客戶提供基本半導(dǎo)體全線碳化硅功率器件產(chǎn)品銷售、方案咨詢和售后等相關(guān)服務(wù)。此次戰(zhàn)略合作的達(dá)成，將實(shí)現(xiàn)基本半導(dǎo)體與NetPower的優(yōu)勢互補(bǔ)與資源有效整合，為基本半導(dǎo)體全面實(shí)施國際化經(jīng)營戰(zhàn)略，提升品牌的國際知名度提供有力支撐。NetPower于2000年在美國德克薩斯州成立
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基本半導(dǎo)體參加全國政協(xié)副主席萬鋼調(diào)研活動

  • 　　近日，全國政協(xié)副主席、致公黨中央主席、中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會主席萬鋼一行蒞臨深圳第三代半導(dǎo)體研究院調(diào)研。研究院院長趙玉海、副理事長吳玲等陪同調(diào)研?；景雽?dǎo)體作為深圳第三代半導(dǎo)體研究院發(fā)起共建單位受邀參加調(diào)研活動?！　∪f鋼主席一行在趙玉海院長陪同下詳細(xì)了解了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展情況，并參觀了研究院碳化硅襯底、外延、器件、封裝，硅基GaN外延，新能源汽車變換器等實(shí)物展品?！　』景雽?dǎo)體董事長汪之涵博士、副總經(jīng)理張振中博士和高級顧問高躍博士向萬鋼一行匯報(bào)了基本半導(dǎo)體在碳化硅功率器件領(lǐng)域的創(chuàng)新成果，介紹了自主研發(fā)
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基本半導(dǎo)體發(fā)布國內(nèi)首款工業(yè)級碳化硅MOSFET

  • 　　新年伊始，基本半導(dǎo)體正式發(fā)布國內(nèi)首款擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的工業(yè)級碳化硅MOSFET，該產(chǎn)品各項(xiàng)性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平，其中短路耐受時(shí)間更是長達(dá)6μs。碳化硅MOSFET的發(fā)布，標(biāo)志著基本半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體研發(fā)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展，自主研發(fā)的碳化硅功率器件繼續(xù)領(lǐng)跑全國?！　〗陙恚诠?Si)、砷化鎵(GaAs)半導(dǎo)體材料的功率器件受材料性能所限，正接近物理極限，產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入瓶頸期。而以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高等特點(diǎn)，更適合制作高溫、高頻、抗輻射
  • 關(guān)鍵字： 工業(yè)級碳化硅MOSFET  第三代半導(dǎo)體  碳化硅MOSFET  

重磅推出碳化硅MOSFET ，基本半導(dǎo)體參加第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會議

  • 　　11月4-7日，由中國電源學(xué)會與IEEE電力電子學(xué)會聯(lián)合主辦的第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會議暨博覽會(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行?；景雽?dǎo)體作為本次大會的金牌贊助商，重磅推出碳化硅MOSFET產(chǎn)品，反響熱烈?！　∽鳛槿蛐缘碾娏﹄娮有袠I(yè)盛會，IEEE PEAC 2018可謂大咖云集，來自31個(gè)國家和地區(qū)的電力電子學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的800余位代表參加了本次會議。大會主席、中國電源學(xué)會理事長徐德鴻教授主持開幕式并致開幕詞，美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授，中國工程院院
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第三代半導(dǎo)體介紹

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