重磅推出碳化硅MOSFET ，基本半導(dǎo)體參加第二屆國(guó)際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會(huì)議

　　11月4-7日，由中國(guó)電源學(xué)會(huì)與IEEE電力電子學(xué)會(huì)聯(lián)合主辦的第二屆國(guó)際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會(huì)議暨博覽會(huì)(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行。基本半導(dǎo)體作為本次大會(huì)的金牌贊助商，重磅推出碳化硅MOSFET產(chǎn)品，反響熱烈。

　　作為全球性的電力電子行業(yè)盛會(huì)，IEEE PEAC 2018可謂大咖云集，來(lái)自31個(gè)國(guó)家和地區(qū)的電力電子學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的800余位代表參加了本次會(huì)議。大會(huì)主席、中國(guó)電源學(xué)會(huì)理事長(zhǎng)徐德鴻教授主持開幕式并致開幕詞，美國(guó)工程院院士、中國(guó)工程院外籍院士李澤元教授，中國(guó)工程院院士臧克茂教授，IEEE-電力電子學(xué)會(huì)主席Alan Mantooth教授，美國(guó)電源制造商協(xié)會(huì)主席Stephen Oliver先生，韓國(guó)電力電子學(xué)會(huì)主席Eui-Cheol Nho教授等受邀出席本次會(huì)議。 為期四天的博覽會(huì)活動(dòng)內(nèi)容精彩紛呈，9場(chǎng)專題報(bào)告、12場(chǎng)專題講座、52個(gè)技術(shù)報(bào)告分會(huì)場(chǎng)256場(chǎng)報(bào)告、10個(gè)工業(yè)報(bào)告分會(huì)場(chǎng)32場(chǎng)報(bào)告和墻報(bào)交流、設(shè)計(jì)大賽及頒獎(jiǎng)儀式輪番登場(chǎng)。特邀專家以國(guó)際視野的全新角度，緊扣電力電子領(lǐng)域發(fā)展的不同熱點(diǎn)議題，分享對(duì)于該領(lǐng)域的前瞻思考和獨(dú)到見解，受到了與會(huì)者的熱烈歡迎。

　　基本半導(dǎo)體副總經(jīng)理張振中博士受邀在功率器件應(yīng)用分會(huì)場(chǎng)作技術(shù)分享，重點(diǎn)介紹了基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的高性能碳化硅MOSFET產(chǎn)品。目前公司主推的1200V 碳化硅MOSFET具有短路安全工作區(qū)大、雪崩耐量高、反向擊穿電壓高和導(dǎo)通電阻低的特點(diǎn)。該產(chǎn)品完成了150度下2000小時(shí)的HTRB和HTGB可靠性試驗(yàn)，并通過(guò)多家客戶的嚴(yán)苛測(cè)試認(rèn)證，進(jìn)入批量供應(yīng)階段。器件反向擊穿電壓達(dá)到1520V，在柵極電壓20V、直流電壓800V的短路條件下，可安全承受6微秒的短路時(shí)間;在柵極電壓16V以上，器件可安全地進(jìn)行并聯(lián)工作。 基本半導(dǎo)體將憑借雄厚的研發(fā)實(shí)力和創(chuàng)新能力，繼續(xù)加快產(chǎn)品創(chuàng)新步伐。張振中博士表示，碳化硅MOSFET產(chǎn)品開發(fā)將從分立器件逐步拓展到Compact系列封裝和汽車級(jí)封裝，覆蓋新能源汽車電機(jī)控制器、車載電源、大功率充電模塊、光伏逆變器等多個(gè)領(lǐng)域。

　　大會(huì)期間，基本半導(dǎo)體展臺(tái)人流如織，眾多行業(yè)人士前來(lái)咨詢碳化硅肖特基二極管和碳化硅MOSFET產(chǎn)品性能及應(yīng)用情況，多家客戶達(dá)成合作意向。基本半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)與國(guó)內(nèi)外專家、學(xué)者和科研技術(shù)人員深入探討電力電子發(fā)展新思想、新技術(shù)的同時(shí)，會(huì)老友、結(jié)新朋，共同助力電力電子產(chǎn)業(yè)生態(tài)的協(xié)同發(fā)展。