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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 米勒電容

米勒電容、米勒效應(yīng)和器件與系統(tǒng)設(shè)計(jì)對策

  • 搞電力電子的同學(xué)想必經(jīng)常被“米勒效應(yīng)”這個(gè)詞困擾。米勒效應(yīng)增加開關(guān)延時(shí)不說，還可能引起寄生導(dǎo)通，增加器件損耗。那么米勒效應(yīng)是如何產(chǎn)生的，我們又該如何應(yīng)對呢？我們先來看IGBT開通時(shí)的典型波形：上圖中，綠色的波形是GE電壓，藍(lán)色的波形是CE電壓，紅色的波形是集電極電流IC。在開通過程中，GE的電壓從-10V開始上升，上升至閾值電壓后，IGBT導(dǎo)通，開始流過電流，同時(shí)CE電壓下降。CE電壓下降過程中，門極電壓不再上升，而是維持在一定的電壓平臺上，稱為米勒平臺。在這期間，CE電壓完全降至0V。隨后GE電壓繼續(xù)上
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功率MOSFET輸出電容的非線性特性

  • 本文主要分析了功率MOSFET的輸出電容和米勒電容的定義以及他們非線性特性的表現(xiàn)形態(tài)，探討了影響這二個(gè)電容的相關(guān)因素，闡述了耗盡層電荷濃度非線性變化以及耗盡層厚度增加輸出電容和米勒電容的非線性特性的原因。
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【E問E答】如何減輕米勒電容所引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)

  • 　　當(dāng)IGBT在開關(guān)時(shí)普遍會(huì)遇到的一個(gè)問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中影響是很明顯的?；陂T極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會(huì)引發(fā)門極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這是一個(gè)潛在的風(fēng)險(xiǎn)(如圖1)?！　?nbsp;  　　圖1：下管IGBT因?yàn)榧纳桌针娙荻饘?dǎo)通　　寄生米勒電容引起的導(dǎo)通　　在半橋拓?fù)渲?，?dāng)上管IGBT(S1)正在導(dǎo)通， 產(chǎn)生變化的電壓dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E間。電流流經(jīng)S
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米勒電容介紹

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