閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

閃存價(jià)格Q3逆勢(shì)大跌10% 海外廠商擔(dān)心：中國(guó)廠商速度太快了

Q3季度本來(lái)應(yīng)該是閃存市場(chǎng)的旺季，但是現(xiàn)在閃存價(jià)格不僅沒(méi)漲，反而逆勢(shì)跌了10%，預(yù)計(jì)Q4季度還會(huì)繼續(xù)跌，競(jìng)爭(zhēng)更加激烈。閃存跌價(jià)有多方面因素，主要原因無(wú)疑是今年全球經(jīng)濟(jì)都會(huì)大幅下滑，閃存的主要市場(chǎng)——智能手機(jī)行業(yè)更是大跌。其他因素還有幾大閃存原廠的96層及128層3D閃存良率增加，產(chǎn)能大增，進(jìn)一步導(dǎo)致了市場(chǎng)供過(guò)于求，價(jià)格開(kāi)始下滑。還有一個(gè)因素目前的影響比較小，但是海外廠商一點(diǎn)也不敢輕視，那就是國(guó)內(nèi)的閃存廠商開(kāi)始崛起，而且速度非?？?。目前國(guó)內(nèi)閃存主要是長(zhǎng)江存儲(chǔ)在做，它們2016年才由紫光集團(tuán)整合武漢新芯才成立
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HDD退居二線西數(shù)終極轉(zhuǎn)型時(shí)刻到了：閃存挑大梁

西數(shù)今天發(fā)布了2020財(cái)年Q4季度財(cái)報(bào)，營(yíng)收42.87億美元，同比增加18%，凈利潤(rùn)1.48億美元，上一年同期虧損1.97億美元。這次的財(cái)報(bào)業(yè)績(jī)確實(shí)光鮮了不少，營(yíng)收大漲，扭虧為盈，非GAAP規(guī)則下凈利潤(rùn)達(dá)到了3.69億美元，大漲6.4倍，表現(xiàn)倒是很驚人。不過(guò)細(xì)看之下，西數(shù)這個(gè)財(cái)季的變化還真不小，HDD硬盤出貨量為2310萬(wàn)部，創(chuàng)造了歷史新低，與上一年同期的2770萬(wàn)部相比大幅下滑。HDD硬盤市場(chǎng)的情況也就這樣了，出貨量不斷下滑是可以預(yù)期的，唯一的好處就是大容量HDD硬盤還不能少，所以西數(shù)的HDD硬盤均價(jià)還
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研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)全球NAND閃存銷售額今年增至560億美元同比大增27%

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，銷售額在去年大幅下滑的NAND閃存，在今年將大幅增長(zhǎng)，同比增長(zhǎng)率將達(dá)到27.2%，銷售額將達(dá)到560.07億美元。從研究機(jī)構(gòu)的預(yù)計(jì)來(lái)看，在集成電路的33個(gè)產(chǎn)品類別中，NAND閃存今年銷售額的同比增長(zhǎng)率，將是最高的，是增長(zhǎng)最明顯的一類。就預(yù)期的銷售金額而言，NAND閃存依舊會(huì)是集成電路中的第二大細(xì)分市場(chǎng)，僅次于DRAM，后者的銷售額預(yù)計(jì)為645.55億美元，較NAND閃存高85.48億美元。在研究機(jī)構(gòu)的預(yù)計(jì)中，在全球集成電路市場(chǎng)，NAND閃存今年的銷售額將占到15.2%，僅次于
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西數(shù)旗下全資子公司晟碟半導(dǎo)體三期廠房擴(kuò)建項(xiàng)目開(kāi)工

2020年7月28日上午，晟碟半導(dǎo)體（上海）有限公司舉行了其上海工廠三期廠房擴(kuò)建項(xiàng)目的開(kāi)工儀式。作為西部數(shù)據(jù)公司除深圳工廠之外在華的另一大型工廠，此次晟碟半導(dǎo)體三期廠房擴(kuò)建項(xiàng)目約為11,800平方米，預(yù)計(jì)于2021年完工；旨在擴(kuò)充先進(jìn)的產(chǎn)品制造設(shè)施和以產(chǎn)品為中心的技術(shù)研發(fā)，以支持潛在產(chǎn)能擴(kuò)張，并為員工建立溫暖如家的工作環(huán)境，提升團(tuán)隊(duì)凝聚力和集體歸屬感。晟碟半導(dǎo)體（上海）有限公司是美國(guó)西部數(shù)據(jù)公司下屬全資子公司，主要從事先進(jìn)閃存存儲(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)、封裝和測(cè)試，自2006年落戶紫竹高新區(qū)以來(lái)，注冊(cè)資本從3200萬(wàn)
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華為、三星、蘋果手機(jī)下滑閃存先遭殃：3個(gè)月來(lái)跌價(jià)20%

作為NAND閃存的最大市場(chǎng)，智能手機(jī)市場(chǎng)今年還會(huì)下滑，蘋果、三星及華為的手機(jī)業(yè)務(wù)都遭受了壓力，閃存市場(chǎng)也應(yīng)聲而跌，3個(gè)月來(lái)價(jià)格跌了20%，這一個(gè)月來(lái)就跌了8%。全球每年將近15億臺(tái)的智能手機(jī)是NAND閃存廠商的最大客戶，如今手機(jī)的存儲(chǔ)容量都是64-128GB起了，256GB及512GB也不少見(jiàn)，比很多人的SSD硬盤容量都大，結(jié)果這個(gè)最大動(dòng)力今年也熄火了。今年全球經(jīng)濟(jì)都在下滑，第一大品牌三星最近調(diào)整了手機(jī)出貨量目標(biāo)，至少砍了15%，全年預(yù)期只有2.4億部，接下來(lái)要發(fā)布的Note 20系列也在砍單，三星要求供
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疫情之下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)程衛(wèi)華談閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展

6月27日，SEMICON China 2020大會(huì)于上海拉開(kāi)帷幕。會(huì)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官程衛(wèi)華發(fā)表《探索閃存發(fā)展可能，共同迎接未來(lái)挑戰(zhàn)》主題演講，談及了疫情下閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展、長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)進(jìn)展等內(nèi)容。程衛(wèi)華認(rèn)為，2020年不平凡的一年，這一年經(jīng)歷了新冠疫情的全球蔓延，國(guó)際局勢(shì)的變幻莫測(cè)，全球產(chǎn)業(yè)鏈合作受到了極大的沖擊。與此同時(shí)，疫情給人們的生活方式與半導(dǎo)體技術(shù)帶來(lái)了改變。程衛(wèi)華指出，消費(fèi)市場(chǎng)的變化驅(qū)動(dòng)了SSD的需求，以及云上業(yè)務(wù)驅(qū)動(dòng)企業(yè)級(jí)SSD需求增長(zhǎng)。從全球市場(chǎng)綜合發(fā)展來(lái)看，企業(yè)級(jí)SS
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國(guó)產(chǎn)128層QLC閃存問(wèn)世武漢基地二期開(kāi)工

4年前的2016年，國(guó)家在武漢建設(shè)了國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來(lái)科技城正式啟動(dòng)，整個(gè)項(xiàng)目投資高達(dá)240億美元，約合1697億元。在開(kāi)工儀式上，紫光集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)介紹了項(xiàng)目有關(guān)情況。他表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期開(kāi)工建設(shè)以來(lái)，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片工廠，實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國(guó)表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目于2016年12月30日開(kāi)工，計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND
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三星電子擬投資8萬(wàn)億韓元在平澤建NAND閃存生產(chǎn)線

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子日前表示，計(jì)劃投資8萬(wàn)億韓元（約合人民幣466億元）在韓國(guó)平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產(chǎn)線。三星電子生產(chǎn)線建設(shè)上月已經(jīng)開(kāi)始，預(yù)計(jì)2021年下半年開(kāi)始生產(chǎn)三星最先進(jìn)的V-NAND產(chǎn)品。三星電子表示，此次投資旨在應(yīng)對(duì)隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等第四次工業(yè)革命，以及5G普及而來(lái)的NAND需求。上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設(shè)生產(chǎn)線，新產(chǎn)線專注于基于極紫外光刻（EUV）技術(shù)的5nm、及以下制程。新產(chǎn)線已開(kāi)始建設(shè)，預(yù)計(jì)明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)5nm芯片。三星電子表示，加上平澤生產(chǎn)線，韓國(guó)將擁有7條
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閃存顆粒哪家強(qiáng)？最新市場(chǎng)排名出爐

來(lái)自統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)TrendForce的最新統(tǒng)計(jì)顯示,剛過(guò)去的一季度,主要NAND閃存廠商的營(yíng)收均有所增長(zhǎng),整體規(guī)模達(dá)到135億美元,環(huán)比增加8.3%。品牌排名方面,三星依舊領(lǐng)銜,營(yíng)收45億美元,環(huán)比增加1.1個(gè)百分點(diǎn),市場(chǎng)份額33.3%。KIOXIA(鎧俠,原東芝存儲(chǔ))緊隨其后,營(yíng)收25.66億美元,環(huán)比增加9.7%。市場(chǎng)份額19%。3~6名分別是西數(shù)、美光、SK海力士和Intel,營(yíng)收20億美元(份額15.3%)、15億美元(11.2%)、14.4億美元(10.7%)和13億美元(9.9%)。報(bào)告稱,一季度
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128層閃存：中國(guó)剛剛突破、SK海力士加速量產(chǎn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)近日宣布,已經(jīng)攻克128層堆疊3D QLC閃存技術(shù),單顆容量做到1.33Tb,創(chuàng)造單位面積存儲(chǔ)密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量三個(gè)世界第一,首次躋身全球第一隊(duì)列水平。當(dāng)前,整個(gè)閃存行業(yè)都在全面轉(zhuǎn)向100+層堆疊,其中東芝、西部數(shù)據(jù)是112層,美光、SK海力士是128層,三星是136層,Intel則做到了144層。中國(guó)的突破顯然讓國(guó)際巨頭們有些不安,紛紛開(kāi)始提速。三星日前就宣布,正在研發(fā)160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎(chǔ)。在今天的第一季度財(cái)務(wù)會(huì)議期間,同樣來(lái)自韓國(guó)的SK海
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC閃存今年量產(chǎn) 2021逼迫閃存降價(jià)

從去年下半年到現(xiàn)在,內(nèi)存閃存的漲價(jià)讓存儲(chǔ)廠商重新過(guò)上了好日子,想降價(jià)只能靠中國(guó)廠商了。上周國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布攻克128層堆棧的QLC閃存,性能、容量、密度三項(xiàng)世界第一,預(yù)計(jì)今年底量產(chǎn)。據(jù)介紹,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(
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瑞薩電子推出全新32位RX72N和RX66N MCU，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)設(shè)備控制與網(wǎng)絡(luò)連接，適用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社近日宣布推出RX產(chǎn)品家族新成員——32位RX72N產(chǎn)品組和RX66N產(chǎn)品組，其單個(gè)芯片集成了設(shè)備控制與網(wǎng)絡(luò)連接。RX72N基于瑞薩專有的RXv3 CPU內(nèi)核，具備240MHz最大工作頻率及雙以太網(wǎng)通道；RX66N具備120MHz最大工作頻率及單個(gè)以太網(wǎng)通道。在工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，性能與功能的不斷升級(jí)導(dǎo)致程序代碼愈加龐大。因此，存儲(chǔ)容量和讀取速度是決定實(shí)時(shí)性能的關(guān)鍵因素。全新RX72N和RX66N提供高達(dá)4MB片上閃存，可達(dá)到業(yè)界最高的120MHz讀取頻率，同時(shí)具備1
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國(guó)產(chǎn)38nm SLC閃存已量產(chǎn) 兆易創(chuàng)新：推進(jìn)24nm閃存研發(fā)

在NAND閃存市場(chǎng),三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能,留給其他廠商的空間并不多。國(guó)內(nèi)公司中,兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。前不久兆易創(chuàng)新發(fā)布了2019年報(bào),去年?duì)I收32億元,同比增長(zhǎng)42%,凈利潤(rùn)6.07億元,同比大漲50%。兆易創(chuàng)新的主要有三大業(yè)務(wù),最主要的是NOR閃存,全球市場(chǎng)份額在去年Q3季度上升到了第三,主要生產(chǎn)工藝為65nm節(jié)點(diǎn),另有部分55nm工藝產(chǎn)品。兆易創(chuàng)新的NOR閃存累計(jì)出貨量超過(guò)100億顆,目前依然供不應(yīng)求
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紫光存儲(chǔ)解散？國(guó)產(chǎn)閃存、內(nèi)存市場(chǎng)人事地震：長(zhǎng)江存儲(chǔ)、紫光存儲(chǔ)發(fā)聲

今天國(guó)產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)生異動(dòng),傳聞紫光旗下的紫光存儲(chǔ)解散,相關(guān)人員要合并到長(zhǎng)江存儲(chǔ)中。隨后這兩家公司分別發(fā)表聲明,辟謠相關(guān)報(bào)道。存儲(chǔ)芯片是近年來(lái)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體發(fā)展的重中之重,畢竟一年進(jìn)口的內(nèi)存及閃存芯片超過(guò)1000億美元,份量極大,而紫光主導(dǎo)的幾家存儲(chǔ)公司是重點(diǎn),尤其是長(zhǎng)江存儲(chǔ),去年首發(fā)量產(chǎn)了國(guó)產(chǎn)3D閃存。最新的爆料稱,紫光存儲(chǔ)公司解散,未來(lái)重點(diǎn)轉(zhuǎn)向DRAM內(nèi)存,大部分員工正等著長(zhǎng)江存儲(chǔ)挑選,沒(méi)有挑中的就要自謀生路。針對(duì)這一消息,紫光存儲(chǔ)方面已經(jīng)發(fā)表了聲明,否認(rèn)公司解散,但承認(rèn)公司業(yè)務(wù)有所調(diào)整。紫光存儲(chǔ)表示
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三星量產(chǎn)512GB UFS 3.1手機(jī)閃存

三星近日宣布開(kāi)始量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片，其連續(xù)寫入速度超過(guò)1.2GB/s，是其前代產(chǎn)品寫入速度的3倍。
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]