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頂部冷卻封裝 文章 進入頂部冷卻封裝技術社區(qū)

英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝，為現(xiàn)代汽車應用提供更高效率

  • 英飛凌科技股份公司近日推出采用?OptiMOS? MOSFET技術的SSO10T TSC?封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經過汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。該封裝能夠實現(xiàn)簡單、緊湊的雙面PCB設計，并更大程度地降低未來汽車電源設計的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此，SSO10T TSC適用于電動助力轉向（EPS）、電子機械制動（EMB）、配電、無刷直流驅動器（BLDC）、安全開關、反向電池和DCDC轉換器等應用。SSO10T TSC的占板面積為5
  • 關鍵字： 英飛凌  功率MOSFET  SSO10T TSC  頂部冷卻封裝  

恩智浦推出新的射頻功率器件頂部冷卻封裝技術

  • ●   全新射頻功率器件頂部冷卻封裝技術有助于打造尺寸更小巧、輕薄的無線單元，部署5G基站更快、更輕松●   簡化設計和制造，同時保證性能 荷蘭埃因霍溫——2023年6月9日——恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票代碼：NXPI）宣布推出頂部冷卻式射頻放大器模塊系列，其中采用的創(chuàng)新封裝技術有助于為5G基礎設施打造更輕薄的無線產品。尺寸更小的基站可以提高安裝的便利性和經濟性，同時能夠更分散地融入環(huán)境。恩智浦的GaN多芯片
  • 關鍵字： 恩智浦  射頻功率器件  頂部冷卻封裝  5G無線產品  

英飛凌適合高功率應用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝注冊為JEDEC標準

  • 【2023年4月13日，德國慕尼黑訊】追求高效率的高功率應用持續(xù)向更高功率密度及成本最佳化發(fā)展，也為電動汽車等產業(yè)創(chuàng)造了永續(xù)價值。為了應對相應的挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊為 JEDEC 標準。這項舉措不僅進一步鞏固了英飛凌將此標準封裝設計和外型的TSC 封裝推廣至廣泛新型設計的目標，也給OEM 廠商提供了更多的彈性與優(yōu)勢，幫助他們在市場中創(chuàng)造差異化的產品，并
  • 關鍵字： 英飛凌  QDPAK  DDPAK  頂部冷卻封裝  JEDEC  
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頂部冷卻封裝介紹

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