恩智浦推出新的射頻功率器件頂部冷卻封裝技術(shù)

●   全新射頻功率器件頂部冷卻封裝技術(shù)有助于打造尺寸更小巧、輕薄的無(wú)線單元，部署5G基站更快、更輕松

●   簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和制造，同時(shí)保證性能 

荷蘭埃因霍溫——2023年6月9日——恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達(dá)克股票代碼：NXPI）宣布推出頂部冷卻式射頻放大器模塊系列，其中采用的創(chuàng)新封裝技術(shù)有助于為5G基礎(chǔ)設(shè)施打造更輕薄的無(wú)線產(chǎn)品。尺寸更小的基站可以提高安裝的便利性和經(jīng)濟(jì)性，同時(shí)能夠更分散地融入環(huán)境。恩智浦的GaN多芯片模塊系列與全新的射頻功率器件頂部冷卻解決方案相結(jié)合，不僅有助于將無(wú)線電產(chǎn)品的厚度和重量減少20%以上，而且還可以減少5G基站制造和部署的碳足跡。 

恩智浦副總裁兼射頻功率業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Pierre Piel表示：“頂部冷卻技術(shù)為無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施行業(yè)帶來(lái)了重大機(jī)遇，借助該技術(shù)，我們可以將高功率功能與出色的熱性能相結(jié)合，打造出尺寸更小的射頻子系統(tǒng)。基于這一創(chuàng)新技術(shù)的解決方案，讓我們既可以部署更環(huán)保的基站，同時(shí)又能保證實(shí)現(xiàn)5G全部性能優(yōu)勢(shì)所需的網(wǎng)絡(luò)密度。” 

恩智浦新推出的頂部冷卻式器件具有顯著的設(shè)計(jì)和制造優(yōu)勢(shì)，如無(wú)需專用射頻屏蔽、可以使用高性價(jià)比的精簡(jiǎn)印刷電路板，以及分離熱管理與射頻設(shè)計(jì)。這些特性有助于網(wǎng)絡(luò)解決方案提供商為移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商打造更輕薄的5G無(wú)線產(chǎn)品，同時(shí)縮短產(chǎn)品的整體設(shè)計(jì)周期。 

恩智浦首個(gè)頂部冷卻式射頻功率模塊系列專為32T32R、200W射頻而設(shè)計(jì)，覆蓋3.3GHz至3.8GHz的頻率范圍。這款器件結(jié)合使用了恩智浦專有的LDMOS和GaN半導(dǎo)體技術(shù)，兼具高增益、高效率和寬帶性能，能夠在400MHz瞬時(shí)帶寬下提供31 dB的增益和46%的效率。 

A5M34TG140-TC、A5M35TG140-TC和A5M36TG140-TC日前已上市。恩智浦RapidRF參考板系列將為A5M36TG140-TC提供支持。