英特爾美光及三星開(kāi)始NAND縮微大賽

　　全球NAND閃存的尺寸縮小競(jìng)賽再次打響。無(wú)論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭(zhēng)得NAND縮小的領(lǐng)導(dǎo)地位而互相較勁。但是實(shí)際上在目前存儲(chǔ)器下降周期時(shí)尺寸縮小競(jìng)賽并無(wú)實(shí)際的意義。

　　按分析師報(bào)告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計(jì)劃利用每單元3位技術(shù)于今年第四季度開(kāi)始量產(chǎn)。

　　在DRAM領(lǐng)域,三星一直是技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,目前已作出46nm DRAM樣品。

　　究竟誰(shuí)是NAND尺寸縮小的領(lǐng)導(dǎo)者,據(jù)今年早些時(shí)候報(bào)道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸小到32納米。

　　目前英特爾與美光聯(lián)合體正計(jì)劃重新奪回領(lǐng)導(dǎo)地位,近期己推出34納米NAND芯片。

　　近期美光也準(zhǔn)備推出2x nm NAND產(chǎn)品。按美光發(fā)言人說(shuō)不僅是推出樣品,而是計(jì)劃今年Q4開(kāi)始試產(chǎn)。

　　據(jù)Gartner分析師報(bào)告,美光己完成34納米的工藝轉(zhuǎn)移,并預(yù)計(jì)可節(jié)省成本35%。而IMFlash也正過(guò)渡到3x nm工藝。

　　IMFlash計(jì)劃于第三季末或第四季度初加緊向2x nm工藝過(guò)渡,而達(dá)到成本節(jié)省目的。美光也計(jì)劃于第四季度開(kāi)始每單元3位技術(shù)的NAND閃存生產(chǎn),估計(jì)產(chǎn)量小于10%。

　　事情并沒(méi)有結(jié)束,三星也己開(kāi)始42納米NAND閃存供貨。

　　依巴克萊投資公司報(bào)告,從數(shù)量計(jì),三星的42納米產(chǎn)品與5x 納米混在一起計(jì)達(dá)30%,但是為了與東芝的32納米及美光的34納米競(jìng)爭(zhēng),三星正加緊3x 納米的出貨。

　　另外兩家,海力士及恒憶也在緊追,最近也推出41納米NAND產(chǎn)品。

　　DRAM領(lǐng)導(dǎo)者?

　　在DRAM領(lǐng)域,三星也不示弱,從2008年開(kāi)始己經(jīng)產(chǎn)出56納米產(chǎn)品(占今日生產(chǎn)的50%)。目前已開(kāi)始試制46納米樣品,并計(jì)劃在09年底,隨著5x納米產(chǎn)品持續(xù)增加,其全部100%產(chǎn)能在68納米之下。另一點(diǎn)有些不同,三星計(jì)劃在今年Q3/Q4實(shí)現(xiàn)DDR3及DDR2的交替。

　　目前DRAM最新消息,美光是50納米,三星及海力士分別為58及54納米。

　　爾必達(dá)報(bào)道已完成50納米DDR3的SDRAM研發(fā),這是一種新的低功耗DRAM芯片。

　　業(yè)界有人認(rèn)為存儲(chǔ)器尺寸縮小并沒(méi)有實(shí)際意義,目前存儲(chǔ)器的運(yùn)行模式己經(jīng)斷裂。即過(guò)去依靠cash flow推動(dòng)投資,現(xiàn)在己經(jīng)失效。如此下去勢(shì)必推動(dòng)工業(yè)進(jìn)一步兼并。

　　Gartner分析師認(rèn)為目前DRAM仍有市場(chǎng)需求及價(jià)格問(wèn)題,與過(guò)去三周的另售價(jià)比,上周1Gb存儲(chǔ)器的價(jià)格為1,28美元,稍下降0,7%。

　　由于PC市場(chǎng)仍顯弱,相當(dāng)于主流1Gb器件的價(jià)格為1,09美元,下降0,9%,反映市場(chǎng)仍處困難時(shí)期。

　　由于8Gb閃存價(jià)格有點(diǎn)上升,與之相反16Gb及32Gb NAND閃存的另售價(jià)稍有回落,總體上NAND價(jià)格較平穩(wěn),Gartner預(yù)計(jì)將進(jìn)一步對(duì)于低密度的16Gb閃存產(chǎn)生壓力。