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美光科技第一財(cái)季凈利潤(rùn)3.58億美元 同比扭虧

  •   美國(guó)最大的存儲(chǔ)芯片制造商美光科技周二發(fā)布了該公司2014財(cái)年第一財(cái)季財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示,受產(chǎn)品銷(xiāo)售改進(jìn)的推動(dòng),美光科技第一財(cái)季的業(yè)績(jī)超過(guò)了市場(chǎng)預(yù)期。   在截至11月28日的第一財(cái)季,美光科技營(yíng)收為40.42億美元,高于上一季度的28.43億美元,高于上年同期的18.34億美元。美光科技第一財(cái)季運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為5.51億美元,上一財(cái)季的運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)2.07億美元,上年同期的運(yùn)營(yíng)虧損9700萬(wàn)美元。美光科技第一財(cái)季凈利潤(rùn)為3.58億美元,合每股攤薄收益0.30美元。美光科技上一季度凈利潤(rùn)為17.08億美元,合每股攤
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DRAM今年全年缺貨 威剛可望賺1個(gè)股本

  •   記憶體模組廠威剛(3260-TW)董事長(zhǎng)陳立白表示,今年DRAM全年仍處于缺貨的情況,從第1季就會(huì)開(kāi)始缺貨。至于威剛今年獲利可望維持和去年相當(dāng),將可再賺進(jìn)1個(gè)股本。威剛2日股價(jià)受到激勵(lì),最高來(lái)到74.7元,漲幅近5%,開(kāi)盤(pán)不到2小時(shí),成交量爆逾7000張,比前1交易日2872張大幅增加,帶動(dòng)創(chuàng)見(jiàn)(2451-TW)、南科(2408-TW)、華亞科(3474-TW)股價(jià)普遍上漲,其中,華亞科盤(pán)中最高來(lái)到23.1元,漲幅逾4%,開(kāi)盤(pán)2小時(shí),成交量逾2萬(wàn)張,超越前1交易日的成交量。   陳立白表示,DR
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DRAM今年全年缺貨 威剛可望賺1個(gè)股本

  •   記憶體模組廠威剛(3260-TW)董事長(zhǎng)陳立白表示,今年DRAM全年仍處于缺貨的情況,從第1季就會(huì)開(kāi)始缺貨。至于威剛今年獲利可望維持和去年相當(dāng),將可再賺進(jìn)1個(gè)股本。威剛2日股價(jià)受到激勵(lì),最高來(lái)到74.7元,漲幅近5%,開(kāi)盤(pán)不到2小時(shí),成交量爆逾7000張,比前1交易日2872張大幅增加,帶動(dòng)創(chuàng)見(jiàn)(2451-TW)、南科(2408-TW)、華亞科(3474-TW)股價(jià)普遍上漲,其中,華亞科盤(pán)中最高來(lái)到23.1元,漲幅逾4%,開(kāi)盤(pán)2小時(shí),成交量逾2萬(wàn)張,超越前1交易日的成交量。   陳立白表示,DR
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三星推新DRAM芯片 手機(jī)運(yùn)行內(nèi)存或?qū)⑸?GB

  •   近日,三星宣布已經(jīng)制造出了業(yè)界首款8GbLPDDR4移動(dòng)芯片,該芯片不僅將比目前市面上的同類(lèi)產(chǎn)品運(yùn)行速度更快,而且體積更小能耗也更低。   該8GbLPDDR4芯片采用了20nm制程工藝,每塊芯片的內(nèi)存容量為1GB,這意味著2014年推出的智能手機(jī)如果能搭載四塊這樣的芯片話(huà),那么將具有容量為4GB的RAM內(nèi)存。   三星電子內(nèi)存銷(xiāo)售及市場(chǎng)副總裁Young-HyunJun表示:“新一代LPDDR4DRAM將會(huì)在2014拉動(dòng)全球移動(dòng)DRAM市場(chǎng)的增長(zhǎng),并且很快將占據(jù)DRAM市場(chǎng)的大
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Hynix無(wú)錫DRAM廠傳明年1月完全復(fù)工

  •   韓國(guó)記憶體廠SK Hynix無(wú)錫廠9月發(fā)生大火,令全球DRAM供應(yīng)吃緊、價(jià)格水漲船高,但分析師調(diào)查顯示,Hynix無(wú)錫廠可能明(2014)年1月便能完全復(fù)工,這對(duì)三個(gè)月來(lái)嘗了不少漲價(jià)甜頭的美光(Micron)恐怕不太有利。   據(jù)報(bào)導(dǎo),MKM Partners分析師Ada Menaker 11日發(fā)表研究報(bào)告指出,在與Hynix高層談話(huà)后,她認(rèn)為無(wú)錫廠到了明年1月中旬就能完全恢復(fù)產(chǎn)量與不錯(cuò)的良率,估計(jì)每個(gè)月的矽晶圓供應(yīng)量將達(dá)12-13萬(wàn)片、良率則會(huì)達(dá)到80%。   Menaker表示,無(wú)錫廠全面恢復(fù)
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半導(dǎo)體業(yè)10月報(bào) 高端需求不佳 bb值低于1

  •   美國(guó)、臺(tái)灣、中國(guó)大陸電子行業(yè)指數(shù)9月跑贏大盤(pán):9月費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)上漲7.24%,道瓊斯指數(shù)上漲2.16%;臺(tái)灣電子零組件指數(shù)上漲2.4%,臺(tái)灣加權(quán)指數(shù)上漲1.89%;大陸CSRC電子行業(yè)指數(shù)上漲4.81%,滬深300指數(shù)上漲4.11%。   8月全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額再創(chuàng)新高:8月全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷(xiāo)售額258.7億美元,是自2013年以來(lái)的月度最高值,同比上漲6.4%,環(huán)比上漲1.3%。按地區(qū)來(lái)看,4大地區(qū)再次同時(shí)實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng),其中日本環(huán)比增幅最大,預(yù)示著下半年半導(dǎo)體銷(xiāo)售額將會(huì)持續(xù)增長(zhǎng)。9月北美半導(dǎo)體設(shè)
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DRAM火災(zāi)后遺癥:海力士三星死杠搶芯片市場(chǎng)

  •   DRAM短缺,合約價(jià)格持續(xù)上揚(yáng),市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce指出,主流模組4GB10月價(jià)格較9月成長(zhǎng)6.25%,預(yù)計(jì)在下旬合約價(jià)公布后,現(xiàn)貨與合約顆粒價(jià)格將更為貼近。而SK海力士火災(zāi)過(guò)后,韓商三星半導(dǎo)體藉擴(kuò)張產(chǎn)能欲奪回PC-DRAM市場(chǎng)主導(dǎo)地位,2家韓商已打起PC-DRAM市占率的爭(zhēng)奪保衛(wèi)戰(zhàn)。   市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,受到SK海力士火災(zāi)影響,供給面出現(xiàn)短缺使得合約價(jià)格持續(xù)上揚(yáng),主流模組4GB最高價(jià)格已經(jīng)站上34美元,與9月相較
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Q2全球DRAM市場(chǎng)營(yíng)運(yùn)利潤(rùn)率27%創(chuàng)三年新高

  •   根據(jù)市調(diào)公司IHS表示,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)近來(lái)歷經(jīng)快速成長(zhǎng),寫(xiě)下近三年來(lái)的利潤(rùn)率新高記錄。全球DRAM的營(yíng)運(yùn)利潤(rùn)率從今年第一季的11%大幅成長(zhǎng),最近在第二季已經(jīng)達(dá)到27%了──這也是自2010年以來(lái)的最高水準(zhǔn)。事實(shí)上,IHS強(qiáng)調(diào)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率已經(jīng)持續(xù)六個(gè)月的穩(wěn)步成長(zhǎng)了。   IHS指出,多年來(lái)PC一直是DRAM的主要應(yīng)用,隨著近來(lái)PC市場(chǎng)下滑,2012年時(shí)首度出現(xiàn)PC在DRAM應(yīng)用的比重不到50%的窘境。在后PC時(shí)代,許多裝置──特別是行動(dòng)裝置──每單位用量更少,使得整個(gè)DRAM市場(chǎng)
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全球DRAM營(yíng)利率11% 創(chuàng)3年新高

  •   市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS17日發(fā)布報(bào)告指出,拜高平均售價(jià)(ASP)之賜,全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營(yíng)業(yè)利益創(chuàng)近三年新高,自第一季的11%倍增至27%,僅次于2010年第三季的33%。   在連6季衰退之后,且面對(duì)PC市場(chǎng)持續(xù)萎靡的狀況下,DRAM獲利表現(xiàn)連續(xù)2季攀升,期間DRAM產(chǎn)品平均單價(jià)第一季漲4%,而第二季更是跳增12%。IHS看好DRAM這股逆轉(zhuǎn)氣勢(shì)將可一直持續(xù)至2013年底。   當(dāng)季表現(xiàn)最亮眼當(dāng)屬南韓的SK海力士,該公司營(yíng)利率達(dá)33%,而居次的爾必達(dá)(Elpida)也有32%,兩者都優(yōu)于DR
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DRAM雙雄 營(yíng)收高歌

  •   DRAM雙雄報(bào)喜,南科與華亞科7日公布9月?tīng)I(yíng)收,南科為38.05億元,月增8.3%。華亞科為59.76億元,月增7.3%,且連七個(gè)月增長(zhǎng),也創(chuàng)歷史新高。   華亞科月?tīng)I(yíng)收是以客戶(hù)前三個(gè)月產(chǎn)品均價(jià)來(lái)計(jì)算,因此9月業(yè)績(jī)是以6月至8月的價(jià)格為估算基礎(chǔ),尚未納入SK海力士無(wú)錫廠受災(zāi)后,DRAM價(jià)格上漲所帶來(lái)的利益。華亞科指出,9月?tīng)I(yíng)收增加,主要是產(chǎn)品組合變化,與產(chǎn)品平均單價(jià)(ASP)上揚(yáng)帶動(dòng)。   華亞科已連四個(gè)月單月?tīng)I(yíng)收在50億元以上水平,外界估算,DRAM價(jià)格飆漲后,華亞科10月業(yè)績(jī)還會(huì)更好,預(yù)期可突
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SK海力士無(wú)錫大火余波:DRAM芯片漲價(jià)42%

  •   9月4日,SK海力士無(wú)錫工廠發(fā)生大火,暫時(shí)關(guān)閉并停止生產(chǎn)。由于無(wú)錫工廠占SK海力士總產(chǎn)量一半,SK海力士又是全球第二大DRAM制造商,因此,這場(chǎng)大火造成全球芯片價(jià)格大幅上漲,創(chuàng)出兩年來(lái)新高;有業(yè)內(nèi)人士表示,智能手機(jī)和計(jì)算機(jī)廠商成本的提高或?qū)⑦M(jìn)一步推高電子類(lèi)產(chǎn)品價(jià)格的上漲。   DRAM芯片價(jià)已大漲42%   公開(kāi)資料顯示,SK海力士是全球第二大DRAM芯片制造商,全球DRAM市場(chǎng)占有率達(dá)到24.6%,僅次于三星的50%,無(wú)錫工廠的產(chǎn)量占到了SK海力士總產(chǎn)量的一半。   9月4日,SK海力士無(wú)錫工
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DRAM產(chǎn)品市場(chǎng)趨向成熟

  • 據(jù)市調(diào)公司IC Insights今年7月發(fā)表的一份名為“Global Wafer Capacity 2013 report”報(bào)告稱(chēng),2012年末存儲(chǔ)器和代工(主要生產(chǎn)邏輯和混合信號(hào)電路)所用晶圓(以200mm晶圓計(jì))已超過(guò)世界每月晶圓產(chǎn)能的一半,計(jì)共922.7萬(wàn)片,占64%(其中存儲(chǔ)器占36.1%,代工27.5%),隨后邏輯電路占12.4%,微芯片(MPU,MCU和DSP)10.3%,模擬電路9.6%,其他4.1%。
  • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  晶圓  DRAM  201310  

SK海力士火災(zāi)致DRAM芯片價(jià)格創(chuàng)兩年來(lái)新高

  •   北京時(shí)間9月24日晚間消息,在SK海力士無(wú)錫工廠本月發(fā)生火災(zāi)后,DRAM存儲(chǔ)芯片的價(jià)格已大幅上漲42%,這意味著智能手機(jī)和計(jì)算機(jī)廠商正面臨更高的元件成本。   根據(jù)亞洲最大DRAM存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)DRAMeXchange的數(shù)據(jù),2GBDDR3DRAM芯片的價(jià)格周一上漲至2.27美元,而9月4日SK海力士無(wú)錫工廠發(fā)生火災(zāi)時(shí)為1.60美元。SK海力士預(yù)計(jì),受火災(zāi)影響的生產(chǎn)線將于下月恢復(fù)生產(chǎn)。   SK海力士是全球第二大存儲(chǔ)芯片提供商,客戶(hù)包括蘋(píng)果(489.1,-1.54,-0.31%)公司、戴爾(
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海力士火災(zāi)對(duì)內(nèi)存芯片價(jià)格影響不大

  • 2013年9月4日下午3點(diǎn)半左右,位于江蘇無(wú)錫新區(qū)的韓資企業(yè)海力士-意法半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司一車(chē)間突然發(fā)生火災(zāi),冒起的滾滾濃煙蔓延周邊數(shù)公里。
  • 關(guān)鍵字: 意法  海力士  晶圓  DRAM  

追夢(mèng)中國(guó)集成電路

  • 《中國(guó)電子報(bào)—電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)》自6月初開(kāi)始發(fā)表了《中國(guó)IC業(yè)十大“芯”結(jié)求解述評(píng)》系列文章,到7月底已連續(xù)發(fā)了7篇。
  • 關(guān)鍵字: IC產(chǎn)業(yè)  DRAM  NAND閃存  201309  
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1β dram介紹

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