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爾必達(dá)釋配貨權(quán)力晶獲瑞晶產(chǎn)能　然DRAM現(xiàn)貨供應(yīng)恐減少

  • 　　盡管爾必達(dá)(Elpida)與力晶之間買回瑞晶股權(quán)爭議還未達(dá)成協(xié)議，但在DRAM產(chǎn)能分配上已先獲得共識，力晶已超過1年未向瑞晶拿貨，近期與爾必達(dá)協(xié)商成功，4月起重獲瑞晶產(chǎn)能分配權(quán)，未來每月將多出2.4萬片產(chǎn)能挹注，爾必達(dá)則要求力晶12寸廠代工比重要提升50%，且力晶自瑞晶所取得配貨權(quán)，多數(shù)要再回銷給爾必達(dá)來供應(yīng)PC客戶，未來該陣營釋放至現(xiàn)貨市場DRAM貨源，恐將進(jìn)一步短缺。 　　爾必達(dá)與力晶分別對瑞晶持股 64%和34%，目前瑞晶12寸晶圓廠產(chǎn)能8萬片，2大股東可按照持股比例，獲得同等的瑞晶產(chǎn)能分配，
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力晶半導(dǎo)體董事長預(yù)計(jì)2010年DRAM芯片價(jià)格持穩(wěn)

  • 　　據(jù)臺灣《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》周四援引力晶半導(dǎo)體股份有限公司(Powerchip Semiconductor Co., )董事長黃崇仁(Frank Huang)的話稱，由于供應(yīng)吃緊，DRAM芯片價(jià)格將繼續(xù)持穩(wěn)，至少在2010年年內(nèi)是如此。 　　報(bào)導(dǎo)援引黃崇仁的話稱，力晶半導(dǎo)體第一季度凈利潤將較前一季度有所增長，2009年第四季度公司實(shí)現(xiàn)凈利潤新臺幣16億元左右。 　　以收入計(jì)，力晶半導(dǎo)體是臺灣最大的DRAM芯片生產(chǎn)商。
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爾必達(dá)擬增資187億日圓　金士頓成為金主

  • 　　日本存儲器大廠爾必達(dá)(Elpida)將向存儲器模塊大廠金士頓(Kingston)發(fā)行新股與可轉(zhuǎn)換公司債，籌資187億日圓(約1.98億美元)，以作為2010年度中擴(kuò)充廣島廠半導(dǎo)體尖端設(shè)備之用。而金士頓亦將因此握有爾必達(dá)4.79%的持股，成為爾必達(dá)的第6大股東。 　　此次，爾必達(dá)向金士頓發(fā)行的新股為647萬股，每股發(fā)行價(jià)格為1,805日圓，總額約117億日圓;另發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債約70億日圓。 　　金士頓為爾必達(dá)的主要客戶之1，金士頓希望透過注資爾必達(dá)，穩(wěn)定DRAM模塊貨源。而爾必達(dá)則為將廣島廠產(chǎn)線由
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日立東芝三菱和解芯片價(jià)格訴訟

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，美國舊金山聯(lián)邦法院的文件顯示，日立、東芝和三菱同意支付2780萬美元和解芯片價(jià)格操縱指控。 　　該案原告為DRAM芯片的直接采購方，他們指控上述三家公司在1999年至2002年間向美國用戶收取了超額費(fèi)用。根據(jù)原告方律師周四提交的文件，日立將支付1150萬美元，東芝將支付920萬美元，三菱則支付710萬美元。 　　但根據(jù)和解協(xié)議，上述三家公司均未承認(rèn)不當(dāng)行為。三家公司的律師和發(fā)言人也均未對此置評。 　　DRAM是一種被用于電腦、手機(jī)和其他電子設(shè)備的芯片。美國司法部曾于2002年對多
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日立東芝三菱和解芯片價(jià)格訴訟

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，美國舊金山聯(lián)邦法院的文件顯示，日立、東芝和三菱同意支付2780萬美元和解芯片價(jià)格操縱指控。 　　該案原告為DRAM芯片的直接采購方，他們指控上述三家公司在1999年至2002年間向美國用戶收取了超額費(fèi)用。根據(jù)原告方律師周四提交的文件，日立將支付1150萬美元，東芝將支付920萬美元，三菱則支付710萬美元。 　　但根據(jù)和解協(xié)議，上述三家公司均未承認(rèn)不當(dāng)行為。三家公司的律師和發(fā)言人也均未對此置評。 　　DRAM是一種被用于電腦、手機(jī)和其他電子設(shè)備的芯片。美國司法部曾于2002年對多
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三星電子芯片業(yè)務(wù)上半年利潤或超35億美元

  • 　　受全球存儲芯片供應(yīng)短缺利好影響，三星電子存儲芯片業(yè)務(wù)增長明顯，預(yù)計(jì)其2010年上半年?duì)I業(yè)利潤有望超過4萬億韓元，約合35億美元。 　　三星公司消息人士稱，三星電子自身預(yù)估2010年全年的芯片業(yè)務(wù)營業(yè)利潤將最多可增至4.4萬億韓元，但韓國媒體報(bào)道稱，三星電子發(fā)言人拒絕就此事宜發(fā)表言論。 　　據(jù)悉，三星電子是目前全球最大的存儲芯片生產(chǎn)商，其09年在全球DRAM市場的份額從08年的29%增加至36%，而NAND閃存芯片市場份額則一直保持在40%左右。
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三星電子：半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓元

  • 　　三星電子(SamsungElectronics)表示，截至臺北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出，三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。 　　YonhapNews于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo)，三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在當(dāng)?shù)貢r(shí)間
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三星電子：半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓圜

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)表示，截至臺北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出，三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。 　　Yonhap News于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo)，三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在
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LED市場持續(xù)火熱 臺資加速布局大陸設(shè)廠

  • 　　隨著中國大陸LED市場迅速增長，臺資企業(yè)正在加快搶灘登陸的步伐，以期盡早在大陸LED產(chǎn)業(yè)卡位布局。比如日前廣東中山科技局的一位工作人員就告訴記者，現(xiàn)在可以明顯感受到，外資尤其是臺廠對中國大陸LED行業(yè)投資腳步的加快和投資力度的加大，早在2002年臺灣最大的封裝廠億光就在中山小欖設(shè)廠，而近來臺企投資腳步則更加頻繁。 　　如果細(xì)分近期有意向至大陸設(shè)廠的臺企，大體可分成三類：一是臺灣大型LED企業(yè)，為擴(kuò)大產(chǎn)能需要，在大陸投資設(shè)廠。比如日前市場傳出臺灣LED外延大廠晶電計(jì)劃與封裝廠光寶攜手布局大陸LED市場
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三星跳電　存儲器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時(shí)，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場相當(dāng)緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲器供應(yīng)鏈出現(xiàn)供貨排擠效應(yīng)。 　　三星器興廠發(fā)生停電意外，在啟動(dòng)不斷電系統(tǒng) (UPS)后，1小時(shí)內(nèi)便恢復(fù)運(yùn)作，估計(jì)此事件對公司營運(yùn)影響不大。 　　存儲器業(yè)者指出，這次三星受影響廠區(qū)
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供給有限、需求強(qiáng)勁　DRAM產(chǎn)業(yè)可連賺三年

  • 　　根據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測，從今年到2012年，DRAM產(chǎn)業(yè)供給方面在產(chǎn)能擴(kuò)充、資本支出、浸潤式機(jī)臺供給有限，以及40nm以下制程轉(zhuǎn)進(jìn)難度高影響下，位成長有限。而DRAM需求在全球景氣復(fù)蘇，帶動(dòng)消費(fèi)者及企業(yè)換機(jī)潮，以及智能型手機(jī)帶動(dòng)行動(dòng)內(nèi)存需求大幅成長下則將動(dòng)力強(qiáng)勁，預(yù)期未來三年DRAM產(chǎn)業(yè)有機(jī)會連續(xù)獲利。 　　DRAMeXchange指出，DRAM產(chǎn)業(yè)過去十幾年來，幾乎每三年為一景氣循環(huán)周期，以DRAM廠的營業(yè)獲利率分析，2001至2003年DRAM產(chǎn)業(yè)連續(xù)三年虧損，2004至2006年轉(zhuǎn)
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三星美光反對擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能

  • 　　近期內(nèi)存價(jià)格的持續(xù)上漲讓DRAM芯片廠商嘗到了甜頭，不過在包括三星、美光、力晶等在內(nèi)的DRAM廠商看來，好光景來之不易，不應(yīng)該一味擴(kuò)大產(chǎn)能惡性競爭而重新導(dǎo)致DRAM內(nèi)存暴跌。 　　韓國三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉日前表示，DRAM制造商不應(yīng)該盲目擴(kuò)大產(chǎn)能，而應(yīng)當(dāng)把大規(guī)模投資放在提升技術(shù)水平上。美國美光官方近日也表示，今年無意擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能，而是將全力投入制造工藝升級，進(jìn)一步增強(qiáng)其在DRAM市場的競爭力。臺灣力晶半導(dǎo)體董事長黃崇仁同樣認(rèn)為，廠商們在對待產(chǎn)能的問題上應(yīng)當(dāng)更加謹(jǐn)慎，避免重蹈當(dāng)年的覆轍。 　
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英飛凌對爾必達(dá)提專利侵權(quán)訴訟 美ITC展開調(diào)查

  • 　　據(jù)外電報(bào)道，美國國際貿(mào)易委員會(USITC)將對DRAM半導(dǎo)體、產(chǎn)品、記憶模塊展開調(diào)查，因德商英飛凌于今年2月19 日提出專利侵權(quán)指控。 　　英飛凌方面稱，爾必達(dá)制造并向美國進(jìn)口銷售的某些DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在半導(dǎo)體制程和元件制造方面4項(xiàng)重要發(fā)明專利，涉嫌不公平貿(mào)易。通過訴訟以尋求USITC下達(dá)禁令，禁止?fàn)柋剡_(dá)或以爾必達(dá)的名義，向美國進(jìn)口侵犯英飛凌專利的DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品。 　　被調(diào)查的企業(yè)名單 　　USITC表示，將依據(jù)1930年美國關(guān)稅法第337條，對下列廠商展開調(diào)查，包括日商爾必
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芯片缺很大 電子生產(chǎn)鏈上肥下瘦

  • 　　由于ODM/OEM廠對第2季及第3季的旺季需求期待甚高，芯片缺貨問題持續(xù)延燒，除了繪圖芯片及整流二極管持續(xù)供貨短缺外，電源管理IC、NOR閃存、LCD驅(qū)動(dòng)IC、功率放大器(PA)等產(chǎn)品線均出現(xiàn)供給缺口。隨著芯片供貨商3月起陸續(xù)漲價(jià)5%至10%,但電子終端產(chǎn)品價(jià)格并未跟進(jìn)調(diào)漲，顯示今年電子生產(chǎn)鏈上肥下瘦已成定局。 　　根據(jù)通路業(yè)者指出，今年中國農(nóng)歷年期間因終端市場需求強(qiáng)勁，大幅去化芯片庫存，去年底就缺貨的繪圖芯片、整流二極管、金氧半場效晶體管(MOSFET)等，現(xiàn)在仍有10%左右的供給缺口，另包括電源
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三星、力晶猛喊節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)　DRAM廠：高手過招戲碼

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)社長權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日來臺參加全球半導(dǎo)體聯(lián)盟(GSA)論壇，吸引DRAM業(yè)者紛前來聆聽龍頭廠對景氣風(fēng)向球。權(quán)五鉉表示，2010年下半DRAM價(jià)格可以維持穩(wěn)定，未來DRAM業(yè)者不應(yīng)一昧地追求價(jià)格和成本，而是要節(jié)制瘋狂擴(kuò)充產(chǎn)能;力晶董事長黃崇仁在現(xiàn)場亦舉手建言，呼吁大家不要再亂投資擴(kuò)產(chǎn)，要追求合理價(jià)格更勝于超額利潤;此番臺、韓存儲器廠高層過招，成為整個(gè)論壇最大高潮。 　　權(quán)五鉉16日在GSA論壇發(fā)表有關(guān)半導(dǎo)體市場及
  • 關(guān)鍵字： Samsung  DRAM  DDR3  
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