三星電子:半導(dǎo)體廠房跳電損失估計不到90億韓圜
三星電子(Samsung Electronics)表示,截至臺北時間25日下午3時為止,南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示,目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出,三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實不大,主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/107413.htmYonhap News于南韓時間24日下午7時48分報導(dǎo),三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電,其K2、K5廠區(qū)在當(dāng)?shù)貢r間下午2時30分左右斷電,并在3時35分、5時38分恢復(fù)電力。三星表示,上述廠房的核心生產(chǎn)運作并未中斷,主因廠房設(shè)有不斷電系統(tǒng)(UPS)。此外,該公司正在調(diào)查斷電原因以及對生產(chǎn)的損害程度。
受到三星電子半導(dǎo)體廠房跳電的影響,DRAM、NAND型閃存現(xiàn)貨報價走勢強勁。根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)報價,截至臺北時間25日下午6時為止,DDR3 1Gb 128Mx8 1333MHz勁揚2.46%,報3.08美元;NAND 64Gb 8Gx8 MLC漲1.12%,報15.26美元
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