供給有限、需求強勁　DRAM產(chǎn)業(yè)可連賺三年

　　根據(jù)DRAMeXchange的預測，從今年到2012年，DRAM產(chǎn)業(yè)供給方面在產(chǎn)能擴充、資本支出、浸潤式機臺供給有限，以及40nm以下制程轉(zhuǎn)進難度高影響下，位成長有限。而DRAM需求在全球景氣復蘇，帶動消費者及企業(yè)換機潮，以及智能型手機帶動行動內(nèi)存需求大幅成長下則將動力強勁，預期未來三年DRAM產(chǎn)業(yè)有機會連續(xù)獲利。

　　DRAMeXchange指出，DRAM產(chǎn)業(yè)過去十幾年來，幾乎每三年為一景氣循環(huán)周期，以DRAM廠的營業(yè)獲利率分析，2001至2003年DRAM產(chǎn)業(yè)連續(xù)三年虧損，2004至2006年轉(zhuǎn)為連續(xù)三年獲利，2007至2009年又落入連續(xù)三年虧損的循環(huán)。今年，DRAM廠終于擺脫三年虧損，進入獲利循環(huán)開始，由于全球經(jīng)濟景氣復蘇，Window 7 帶動消費者、企業(yè)換機潮，加上資本支出成長有限，制程轉(zhuǎn)進出現(xiàn)瓶頸，該產(chǎn)業(yè)可望再走向正向循環(huán)，未來三年連續(xù)獲利可期。

　　去年下半年開始，全球景氣逐漸復蘇，國際貨幣基金(IMF)上調(diào)今年全球GDP預測，從3.1%上修至3.9%;世界銀行(World Bank)最新預測則指出，今年中國GDP成長率將超過去年的8.7%，達到9.5%，顯示今年中國仍為全球性經(jīng)濟成長的動能。

　　根據(jù)消費者信心指數(shù)顯示，歐洲及日本最壞的經(jīng)濟谷底已經(jīng)出現(xiàn)，經(jīng)濟亦已進入緩步復蘇。同時，各國亦在今年極力降低失業(yè)率，透過各項方案增加就業(yè)機會，因此經(jīng)濟復蘇及失業(yè)率下降，可望帶動未來幾年計算機銷售成長率。

　　此外，微軟(Microsoft)在2007年推出的Windows Vista未能成功帶動換機潮，但在去年10月推出Windows 7，可望在帶動消費者及企業(yè)PC換機潮。DRAMeXchange預計，在未來三年每年P(guān)C出貨量成長率將達12%~17%。

　　手機市場方面，DRAMeXchange預估智能型手機今年成長率將達28.6%。智能型手機出貨量成長，激勵Mobile DRAM需求大幅成長。去年智能型手機搭載的Mobile DRAM主流容量為128MB，今年新款智能型手機，搭載的mobile DRAM容量高達256MB。

　　而下世代的智能型手機搭載的Mobile DRAM規(guī)格再度提高至512MB，出貨量及搭載量皆大幅成長的情況下，預計Mobile DRAM為今年DRAM需求成長另一強大動能。

　　蘋果計算機(Apple)的iPad也是今年Mobile DRAM需求成長的另一動能;該產(chǎn)品預計今年4月3日在美國開賣，預估今年將熱賣750萬臺，所搭載Mobile DRAM容量至少為512MB，對行動內(nèi)存總需求成長將再往上提升，也促使三星、海力士、爾必達等DRAM廠大幅增加Mobile DRAM的投片量，排擠到標準型DRAM的產(chǎn)能。

　　2008年全球經(jīng)濟下半年面臨金融風暴強襲，導致消費性需求急凍，DRAM廠商均嚴重虧損，大部份DRAM廠商亦在2008第四季開始減產(chǎn)以及8吋廠房去化。今年首季，雖全球景氣已逐漸復蘇，DRAM廠商亦逐漸恢復產(chǎn)能;然而，目前八吋產(chǎn)能已幾乎全面去化，全球DRAM產(chǎn)能仍較2008年第二季產(chǎn)能高峰減少20%。

　　DRAMeXchange表示，由于DRAM廠商新蓋廠房需要2至3年時間才能設(shè)備移入，未來兩年內(nèi)新增的產(chǎn)能，除了先前已蓋好廠房的三星將新增40K產(chǎn)能以及南科預計新增的15K產(chǎn)能外，未來兩年難以大幅增加產(chǎn)能。

　　DRAM廠商在2008年第四季在金融風暴的沖擊下，虧損大幅擴大，面臨了營運資金短缺及無力償還債務的危機，為求生存，各DRAM廠商皆大幅降低2009年資本支出。今年資本支出在DRAM廠商連續(xù)三年虧損下，能投入的金額也將有限。

　　目前DRAM廠商計劃今年資本支出為83.6億美金，雖已較去年成長93%然而與DRAM廠商歷史資本支出相較，仍屬較低水位，預計未來三年DRAM廠商在獲利的狀況下，資本支出將會穩(wěn)健成長。 、

　　在制程轉(zhuǎn)進設(shè)備方面，50nm以下制程皆需使用浸潤式機臺，除DRAM產(chǎn)業(yè)外，其余半導體廠商如臺積電、聯(lián)電亦需使用到浸潤式機臺，目前浸潤式機臺供貨商ASML市占率高達9成以上，在滿單的狀況下，各DRAM廠商拿到浸潤式機臺時間大多具不確定性。也使DRAM廠在制程轉(zhuǎn)進速度受限于機臺取得時程而可能延后。

　　在制程轉(zhuǎn)進方面，目前僅三星已量產(chǎn)4xnm，海力士及爾必達則計劃今年第二季才量產(chǎn)4x nm;DRAMeXchange認為，一旦制程轉(zhuǎn)進稍有不順，將造成今年大缺貨。明年各DRAM廠商即使順利轉(zhuǎn)進40nm制程，然而進入4xnm以下制程難度加大，投資也要再增加。

　　預估2011~2012年，在產(chǎn)能擴充有限、40nm以下制程轉(zhuǎn)進不易下，年DRAM位成長將最高達40%左右。