首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d nand

1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠先進(jìn)技術(shù)競賽仍在繼續(xù)

  • 盡管由于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲大廠對于先進(jìn)技術(shù)的競賽仍在繼續(xù)。對DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當(dāng)前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后，計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn)，未來日本廠也有望導(dǎo)入EUV
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  存儲  

消息稱三星電子計劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價格

  •  10 月 6 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報道，三星內(nèi)部認(rèn)為目前 NAND Flash 供應(yīng)價格過低，公司計劃今年四季度起，調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價格，漲幅在 10% 以上，預(yù)計最快本月新合約便將采用新價格?！?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來，三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略，IT之家此前曾報道，三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%，最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域，之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量，眼下正試圖推動
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  flash  漲價  

面對美國的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略

  • 面對美國的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據(jù)韓國新聞媒體報道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護(hù)欄，韓國半導(dǎo)體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務(wù)，并利用其在那里的成熟節(jié)點能力來針對國內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴(kuò)大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設(shè)定的條件，并在未來10年內(nèi)避免在中國進(jìn)行實質(zhì)性產(chǎn)能擴(kuò)張。商務(wù)部的新聞稿顯示，補貼接受者在
  • 關(guān)鍵字： CHIPS法案  韓國半導(dǎo)體  DRAM  NAND  

集邦咨詢：2023Q4 NAND 價格預(yù)估增長 3-8%，DRAM 要開啟增長周期

  • IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報道，伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產(chǎn)，已經(jīng)市場去庫存效果顯現(xiàn)，預(yù)估 NAND Flash 價格回暖之后，DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損，2023 年以來已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn)，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
  • 關(guān)鍵字： 存儲  DRAM  NAND Flash  

第二季NAND Flash營收環(huán)比增長7.4%，預(yù)期第三季將成長逾3%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第二季NAND Flash市場需求仍低迷，供過于求態(tài)勢延續(xù)，使NAND Flash第二季平均銷售單價（ASP）續(xù)跌10~15%，而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長達(dá)19.9%，合計第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長7.4%，營收約93.38億美元。自第二季起，三星（Samsung）加入減產(chǎn)行列，且預(yù)期第三季將擴(kuò)大減產(chǎn)幅度，供給收斂的同時也在醞釀漲價，供過于求態(tài)勢有望因此獲得改善。不過，由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應(yīng)商家數(shù)多，在庫存仍高的情
  • 關(guān)鍵字： NAND Flash  TrendForce  

NAND Flash第四季價格有望止跌回升

  • 近日，三星（Samsung）為應(yīng)對需求持續(xù)減弱，宣布9月起擴(kuò)大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主，據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，其他供應(yīng)商預(yù)計也將跟進(jìn)擴(kuò)大第四季減產(chǎn)幅度，目的加速庫存去化速度，預(yù)估第四季NAND Flash均價有望因此持平或小幅上漲，漲幅預(yù)估約0~5%。價格方面，如同年初TrendForce集邦咨詢預(yù)測，NAND Flash價格反彈會早于DRAM，由于NAND Flash供應(yīng)商虧損持續(xù)擴(kuò)大，銷售價格皆已接近生產(chǎn)成本，供應(yīng)商為了維持營運而選擇擴(kuò)大減產(chǎn)，以期帶動價
  • 關(guān)鍵字： NAND Flash  Wafer  TrendForce  

使用NAND門的基本邏輯門

  • 邏輯門主要有三種類型，即 AND 門、OR 門和 NOT 門。每種邏輯門都有自己不同的邏輯功能。因此，在這些基本邏輯門的幫助下，我們可以得到任何邏輯函數(shù)或任何布爾或其他邏輯表達(dá)式?；具壿嬮T的真值表：了解每個邏輯門的功能對熟悉轉(zhuǎn)換非常重要。1.NOT 邏輯門：這種邏輯門是數(shù)字邏輯電路中最簡單的一種。該邏輯門只有兩個端子，一個用于輸入，另一個用于輸出。門的輸入是二進(jìn)制數(shù)，即只能是 1 或 0。邏輯門輸出端的輸出總是與輸入端相反，也就是說，如果輸入端為 1，則輸出端為 0，反之亦然?？赡艹霈F(xiàn)的級數(shù)由 2a 計
  • 關(guān)鍵字： NAND  邏輯門  

NAND 原廠過夠了「苦日子」，有晶圓合約成功漲價 10%

  • 廠家期待觸底后的反彈早日到來。
  • 關(guān)鍵字： NAND Flash  

采用NAND和NOR門的SR觸發(fā)器

  • 在本教程中，我們將討論數(shù)字電子學(xué)中的基本電路之一--SR 觸發(fā)器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門的 SR 觸發(fā)器的基本電路、其工作原理、真值表、時鐘 SR 觸發(fā)器以及一個簡單的實時應(yīng)用。電路簡介我們迄今為止看到的電路，即多路復(fù)用器、解復(fù)用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗發(fā)生器和校驗器等，都被稱為組合邏輯電路。在這類電路中，輸出只取決于輸入的當(dāng)前狀態(tài)，而不取決于輸入或輸出的過去狀態(tài)。除了少量的傳播延遲外，當(dāng)輸入發(fā)生變化時，組合邏輯電路的輸出立即發(fā)生變化。還有一類電路，其輸出不僅取決于當(dāng)前的輸入，還取決
  • 關(guān)鍵字： NAND  NOR門  SR觸發(fā)器  

三星明年將升級NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈

  • 據(jù)媒體報道，三星作為全球最大的NAND閃存供應(yīng)商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈，各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設(shè)備運行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產(chǎn)線將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進(jìn)的第8代V-NAND，同時正在將日本東京電子（TEL）的最新設(shè)備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線，此次采購的TEL設(shè)備是用于整個半導(dǎo)體工藝的蝕刻設(shè)備。三星的半導(dǎo)體產(chǎn)品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結(jié)束時，三星旗下設(shè)備解決方案部門的庫存已增至
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  閃存  

3D NAND還是卷到了300層

  • 近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
  • 關(guān)鍵字： V-NAND  閃存  3D NAND  

基于FPGA的NAND Flash的分區(qū)續(xù)存的功能設(shè)計實現(xiàn)

  • 傳統(tǒng)的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開始存儲數(shù)據(jù)，會覆蓋上次存儲的數(shù)據(jù)，無法進(jìn)行數(shù)據(jù)的連續(xù)存儲。針對該問題，本文設(shè)計了一種基于FPGA的簡單方便的NAND Flash分區(qū)管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲空間，記錄最新分區(qū)信息，將剩余的NAND Flash空間劃成多個分區(qū)。本文給出了分區(qū)工作機理以及分區(qū)控制的狀態(tài)機圖，并進(jìn)行了驗證。
  • 關(guān)鍵字： 202308  NAND Flash  FPGA  分區(qū)  起始地址  

因業(yè)務(wù)低迷，消息稱三星計劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產(chǎn)

  • IT之家 8 月 16 日消息，據(jù)韓國電子時報報道，為了克服低迷的存儲器市場狀況，三星電子計劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產(chǎn)設(shè)備。業(yè)內(nèi)人士透露，三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產(chǎn)線部分設(shè)備的生產(chǎn)，該生產(chǎn)區(qū)主要負(fù)責(zé)生產(chǎn) 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND，其中的設(shè)備將停產(chǎn)至少一個月。外媒表示，鑒于市場持續(xù)低迷，業(yè)界猜測三星的 NAND Flash 產(chǎn)量可能會減少 10% 左右，而三星在近來 4 月份發(fā)布的 2023 年第一季度財報中也正式
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  V-NAND  

基于NAND門的行李安全警報

  • 在乘坐火車和公共汽車的旅途中，我們會攜帶許多重要的物品，而且總是擔(dān)心有人會偷走我們的行李。因此，為了保護(hù)我們的行李，我們通常會用老辦法，借助鏈條和鎖來鎖住行李。但鎖了這么多把鎖之后，我們還是會擔(dān)心有人會割斷鎖鏈，拿走我們的貴重物品。為了克服這些恐懼，這里有一個基于 NAND 門的簡易電路。在這個電路中，當(dāng)有人試圖提起你的行李時，它就會發(fā)出警報，這在你乘坐公共汽車或火車時非常有用，即使在夜間也是如此，因為它還能在繼電器上產(chǎn)生聲光指示。這種電路的另一個用途是，您可以在家中使用這種電路，以便在這種報警電路的幫助
  • 關(guān)鍵字： NAND  邏輯門  

被壟斷的NAND閃存技術(shù)

  • 各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
  • 關(guān)鍵字： NAND  3D NAND  
共1113條 5/75 |‹ « 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 » ›|

3d nand介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d nand的理解，并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473