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8月上半月1Gb DDR3芯片價(jià)格上漲11.9%

　　據(jù)DRAMeXchange分析，由于受到新上市的超薄筆記本和內(nèi)存市場(chǎng)供不應(yīng)求態(tài)勢(shì)的影響，8月上半月1Gb DDR3芯片的平均交易價(jià)已繼續(xù)上揚(yáng)至1.5美元，比上月提升11.9%。自今年6月下半月開(kāi)始，DDR3內(nèi)存芯片的交易價(jià)格就開(kāi)始上揚(yáng)。　　現(xiàn)貨市場(chǎng)方面，1Gb DDR3內(nèi)存芯片臺(tái)灣當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月10日早11：00的價(jià)格是2.16美元.另外，1Gb DDR2內(nèi)存芯片的價(jià)格也達(dá)到了1.45美元的水平。　　DRAMeXchange七月份曾預(yù)計(jì)內(nèi)存業(yè)者將加速向DDR3內(nèi)存轉(zhuǎn)換的進(jìn)程。韓國(guó)的三星和
關(guān)鍵字：三星 DDR3 60nm

　　8月7日消息據(jù)透露，為了防止在與韓國(guó)對(duì)手的競(jìng)爭(zhēng)中落在后面，日本爾必達(dá)內(nèi)存公司計(jì)劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù)，而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前，爾必達(dá)將采用50nm制程技術(shù)作為過(guò)渡性的制程技術(shù)。目前，爾必達(dá)公司剛剛在65nm制程技術(shù)基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)出了60nm制程技術(shù)。不過(guò)爾必達(dá)曾計(jì)劃直接跳過(guò)50nm制程進(jìn)入40nm階段，但由于受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響未能成行。　　目前韓國(guó)三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存芯片，而到40nm制程技術(shù)成熟時(shí)，三星還將推出4F2技術(shù)。　　美國(guó)鎂光公司則已經(jīng)
關(guān)鍵字：爾必達(dá) DRAM 40nm 50nm 60nm

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