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8月上半月1Gb DDR3芯片價格上漲11.9%

  • 　　據(jù)DRAMeXchange分析，由于受到新上市的超薄筆記本和內(nèi)存市場供不應(yīng)求態(tài)勢的影響，8月上半月1Gb DDR3芯片的平均交易價已繼續(xù)上揚至1.5美元，比上月提升11.9%。自今年6月下半月開始，DDR3內(nèi)存芯片的交易價格就開始上揚。 　　現(xiàn)貨市場方面，1Gb DDR3內(nèi)存芯片臺灣當?shù)貢r間8月10日早11：00的價格是2.16美元.另外，1Gb DDR2內(nèi)存芯片的價格也達到了1.45美元的水平。 　　DRAMeXchange七月份曾預(yù)計內(nèi)存業(yè)者將加速向DDR3內(nèi)存轉(zhuǎn)換的進程。韓國的三星和
  • 關(guān)鍵字： 三星  DDR3  60nm  

爾必達：計劃明年轉(zhuǎn)向40nm制程技術(shù)

  • 　　8月7日消息 據(jù)透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達內(nèi)存公司計劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù)，而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前，爾必達將采 用50nm制程技術(shù)作為過渡性的制程技術(shù)。目前，爾必達公司剛剛在65nm制程技術(shù)基礎(chǔ)上開發(fā)出了60nm制程技術(shù)。不過爾必達曾計劃直接 跳過50nm制程進入40nm階段，但由于受到經(jīng)濟危機的影響未能成行。 　　目前韓國三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存芯片，而到40nm制程技術(shù)成熟時，三星還將推出4F2技術(shù)。 　　美國鎂光公司則已經(jīng)
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  DRAM  40nm  50nm  60nm  
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