65納米 文章 進入65納米技術(shù)社區(qū)
任重而道遠:中芯國際將力爭在今年實現(xiàn)45納米小批量試產(chǎn)
- 據(jù)中芯國際集成電路制造有限公司資深研發(fā)副總季明華撰文披露,2010年,中芯國際將加強65納米的嵌入式工藝平臺和32納米關(guān)鍵模塊的研發(fā);同時力爭實 現(xiàn)45納米和40納米技術(shù)的小批量試產(chǎn)。 在第四屆(2009年度)中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)評選中,中芯國際有兩項技術(shù)獲獎,其一是 “65納米邏輯集成電路制造工藝技術(shù)”,其二是“0.11微米CMOS圖像傳感器工藝技術(shù)”。 據(jù)介紹,目前,中芯國際已經(jīng)完成了65納米CMOS技術(shù)的認證,并于2009年第三季度
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泰景信息科技推出第三代模擬移動電視接收芯片
- 日前,移動電視接收芯片提供商泰景信息科技宣布,該公司研發(fā)出的第三代模擬移動電視接收CMOS單芯片TLG1121 是泰景第一款基于65納米工藝的產(chǎn)品,較其上一代產(chǎn)品功耗更低、體積更小。憑借該款產(chǎn)品,泰景信息科技將繼續(xù)把創(chuàng)新和領(lǐng)先技術(shù)源源不斷地注入移動電視市場。 泰景信息科技總裁兼首席執(zhí)行官盛偉表示:“在鞏固畫面和移動性能的同時,泰景信息科技的第三代模擬移動電視技術(shù)實現(xiàn)了體積及功耗方面的技術(shù)突破。TLG1121將賦予下一代移動電視設(shè)備更長的播放時間和更多的創(chuàng)新設(shè)計,能夠滿足消費者在靜止和
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晶圓雙雄再掀12寸廠投資潮 業(yè)界擔(dān)憂恐造成產(chǎn)能過剩
- 繼臺積電提高2010年資本支出達48億美元,晶圓專工大廠聯(lián)電3日亦宣布,提高2010年資本支出達12億~15億美元,其中約有94%將用于擴充12寸先進制程產(chǎn)能。聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示,聯(lián)電65納米成長會非常迅速,45/40納米世代占營收比重將增加,同時良率已很穩(wěn)健。值得注意的是,臺積電、聯(lián)電紛上看2010年晶圓代工產(chǎn)業(yè)將成長3成,樂觀預(yù)期公司可望同步跟著成長,并加碼資本支出,透露在兩大龍頭廠帶領(lǐng)下,將再度掀起12寸廠投資熱潮。 孫世偉表示,對于2010年展望非常樂觀,預(yù)估半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可望成長13~1
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晶圓代工廠:擴大資本支出 積極擴充產(chǎn)能
- 市場對65納米、40納米先進制程技術(shù)的需求不斷看漲,全球前三大晶圓代工廠臺積電、聯(lián)電、特許紛紛在2010年擴大資本支出,并在第一季度同步擴充產(chǎn)能。 三大代工積極擴充產(chǎn)能 臺積電2009年向設(shè)備商訂購的機器總額已超過30億美元,預(yù)計臺積電2010年資本支出最高將達40億美元,創(chuàng)5年來最高。事實上,臺積電2009年曾三度調(diào)高資本支出,從年初的13億美元一路調(diào)高到27億美元,調(diào)幅超過一倍。臺積電還將擴大新竹12英寸廠第五期、南科12英寸廠第三期產(chǎn)能,擴充后月產(chǎn)
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晶圓代工廠:擴大先進制程資本支出
- 隨著市場對65納米、40納米先進制程技術(shù)的需求不斷看漲,全球前三大晶圓代工廠臺積電、聯(lián)電、特許紛紛在2010年擴大資本支出,并在第一季度同步擴充產(chǎn)能。 三大代工積極擴充產(chǎn)能 臺積電2009年向設(shè)備商訂購的機器總額已超過30億美元,預(yù)計臺積電2010年資本支出最高將達40億美元,創(chuàng)5年來最高。事實上,臺積電2009年曾三度調(diào)高資本支出,從年初的13億美元一路調(diào)高到27億美元,調(diào)幅超過一倍。臺積電還將擴大新竹12英寸廠第五期、南科12英寸廠第三期產(chǎn)能,擴充后月產(chǎn)能將達20萬片。 聯(lián)電預(yù)計
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SEMI:中國半導(dǎo)體產(chǎn)出在未來十年內(nèi)將翻倍
- 按SEMI近期的研究報告指出,中國力圖收窄IC在消耗及產(chǎn)出之間的鴻溝,預(yù)計在未來的十年內(nèi)中國的半導(dǎo)體設(shè)備與材料市場將增加一倍。 由假設(shè)的鴻溝數(shù)字出發(fā),由于中央與地方政府都相應(yīng)出臺了鼓勵政策,促進在未來十年中設(shè)備及材料的采購會大幅增加。 除此之外,隨著中國的芯片制造與封裝測試設(shè)備的大量進口也大大促進了中國研發(fā)和工藝技術(shù)人材的需求迅速增加。 自1997年中國半導(dǎo)體市場超過美國與日本之后,中國的政策制訂者開始極力強調(diào)要縮小供需之間的鴻溝。在2008年中國消費了全球芯片的1/4,但是國內(nèi)產(chǎn)出
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臺積電協(xié)助巨積降低下一世代產(chǎn)品25%的漏電功耗
- TSMC6日宣布,客戶美商巨積公司(LSI Corporation)使用TSMC65納米低功耗工藝的降低功耗(PowerTrim)技術(shù),有效減少下一世代產(chǎn)品的總漏電耗能達百分之二十五以上。 TSMC這項降低功耗的技術(shù)與服務(wù)獲得Tela Innovations公司獨家專利授權(quán),是將設(shè)計技術(shù)與先進半導(dǎo)體工藝巧妙整和的創(chuàng)新技術(shù),能有效降低每個產(chǎn)品的漏電耗能。 降低功耗軟件(PowerTrim Software)分析巨積公司的設(shè)計,并些微增加對時序較不敏感的路徑上的閘極長度,以代替本來的元件。而閘
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臺積電與清華大學(xué)合作65/90納米制程晶圓共乘
- 臺積電繼宣布明年調(diào)薪15%,強化人才誘因, 23日又宣布與北京清華大學(xué)合作,共同邀請在半導(dǎo)體領(lǐng)域表現(xiàn)杰出的清大校友,在2010年舉辦一系列半導(dǎo)體創(chuàng)新人才演講及座談會,并提供清大先進65納米與90納米制程晶圓共乘服務(wù),協(xié)助系統(tǒng)單芯片等技術(shù)的創(chuàng)新開發(fā)。 臺積電表示,將與清大共同邀請在半導(dǎo)體領(lǐng)域占有一席之地的重要領(lǐng)導(dǎo)人物,每季 2位返校分享全球及中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展趨勢、前瞻技術(shù)概況、當(dāng)前市場競爭樣貌及個人創(chuàng)業(yè)歷程,為學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界搭起雙向溝通橋梁,以承先啟后,同時對學(xué)校研究項目提出產(chǎn)業(yè)界建議。 這項
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中國龍芯3處理器首次采用65nm技術(shù)
- 龍芯3在新思科技(EDA集團美國新思科技公司)的幫助下,已經(jīng)將設(shè)計移植到65納米制程。龍芯科技有限公司是中國中科院投資組建,該公司的龍芯3多核心處理器是與新思科技合作設(shè)計,首次采用65納米技術(shù)。 新思科技提供了重要的設(shè)計工具幫助,但是并沒有涉及到流片的相關(guān)信息,龍芯3可能會選擇四核心或八核心65納米工藝進行流片實施。 龍芯3的單核心運行頻率計劃為 1G到1.2G左右,四核心龍芯3的功耗計劃控制在10W以下。 龍芯采用 MIPS指令,已經(jīng)于2009年取得MIPS授權(quán),可以將采用MIPS
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英飛凌攜手臺積電開發(fā)65納米嵌入式閃存工藝
- 英飛凌科技股份公司與臺灣積體電路制造股份有限公司今日共同宣布,雙方將在研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域擴大合作,攜手開發(fā)面向下一代汽車、芯片卡和安全應(yīng)用的65納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制造工藝。根據(jù)該項協(xié)議,英飛凌與臺積電將攜手開發(fā)65納米工藝技術(shù),用于生產(chǎn)符合汽車行業(yè)嚴格的質(zhì)量要求及芯片卡和安全行業(yè)苛刻的安全要求的嵌入式閃存微控制器(MCU)。 與TSMC擴大合作符合英飛凌制造外包及通過合作大力開發(fā)65納米以下工藝的戰(zhàn)略。對于汽車應(yīng)用而言,65納米嵌入式閃存工藝可確保最高的功能集成度,實現(xiàn)即將出臺的
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中芯國際與Cadence共推65納米低功耗解決方案
- 電子設(shè)計企業(yè)Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司今天宣布推出一款全面的低功耗設(shè)計流程,面向基于中芯國際65納米工藝的設(shè)計工程師。該流程以Cadence低功耗解決方案為基礎(chǔ),通過使用一個單一、全面的設(shè)計平臺,可以更加快速地實現(xiàn)尖端、低功耗半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計。 “目前,功耗已成為一個關(guān)鍵的設(shè)計制約因素,從技術(shù)和成本的角度來說,它同時序和面積一樣重要”,SMIC設(shè)計服務(wù)中心副總裁劉明剛表示,“SMIC-Cadence Reference Flow 4.0具有先進的自動化低功耗設(shè)
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賽普拉斯推出業(yè)界首款65納米144-Mbit SRAM
- SRAM行業(yè)的領(lǐng)先者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM,該產(chǎn)品成為其65納米SRAM產(chǎn)品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存儲器采用65納米工藝技術(shù),由臺灣聯(lián)華電子(UMC)的芯片工廠代工生產(chǎn)。該產(chǎn)品擁有市場上最快的時鐘,速率可達550MHz,在36-bit I/O寬度的QDRII+器件中,整體數(shù)據(jù)率達到80 Gbps,并且其功耗只有采用90納米工藝的SRAM器件的一半。這些產(chǎn)品是諸如互聯(lián)網(wǎng)核心與邊
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