晶圓雙雄再掀12寸廠投資潮 業(yè)界擔(dān)憂恐造成產(chǎn)能過剩
繼臺積電提高2010年資本支出達48億美元,晶圓專工大廠聯(lián)電3日亦宣布,提高2010年資本支出達12億~15億美元,其中約有94%將用于擴充12寸先進制程產(chǎn)能。聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示,聯(lián)電65納米成長會非常迅速,45/40納米世代占營收比重將增加,同時良率已很穩(wěn)健。值得注意的是,臺積電、聯(lián)電紛上看2010年晶圓代工產(chǎn)業(yè)將成長3成,樂觀預(yù)期公司可望同步跟著成長,并加碼資本支出,透露在兩大龍頭廠帶領(lǐng)下,將再度掀起12寸廠投資熱潮。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/105891.htm孫世偉表示,對于2010年展望非常樂觀,預(yù)估半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可望成長13~15%,晶圓專工產(chǎn)業(yè)成長率可達25~28%,對于聯(lián)電2010年營運將有非常樂觀預(yù)期,為因應(yīng)客戶對于產(chǎn)能及高階技術(shù)強勁需求,將提高2010年資本支出至12億~15億美元。半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為,聯(lián)電 2010年可望跟著晶圓代工產(chǎn)業(yè)成長腳步,同步成長3成,與臺積電預(yù)估2010年成長幅度相當(dāng)。
事實上,臺積電日前公布2010年資本支出達48億美元,較2009年約暴增7成,聯(lián)電3日預(yù)估2010年資本支出12億~15億美元,亦較業(yè)界所估10億美元為高,半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為,臺積電、聯(lián)電紛積極擴產(chǎn),借以搶攻市占率。聯(lián)電則表示,將會在市占率與股東權(quán)益報酬率之間,取得最佳平衡。
針對2010年資本支出,孫世偉強調(diào),主要用于建置高階制程產(chǎn)能,包括南科Fab 12A廠45/40納米制程產(chǎn)能,以及持續(xù)導(dǎo)入28納米技術(shù)研發(fā)及試產(chǎn)設(shè)備,以及新加坡Fab 12i廠大幅擴充65/55納米制程產(chǎn)能等。此外,聯(lián)電Fab 12A廠第3期無塵室相關(guān)設(shè)施與機臺裝置時程,將同步加速就緒,并進行彈性擴充。
不過,業(yè)界擔(dān)憂晶圓雙雄紛加大投資力道,恐造成產(chǎn)能過剩,孫世偉對此表示,聯(lián)電經(jīng)過整體評估,投資12億~15億美元風(fēng)險已相對較低,由于先進制程投資甚鉅,摩爾定律可能演進趨緩,因此,針對投資力道與時機點,聯(lián)電確實已相當(dāng)謹(jǐn)慎。此外,全球經(jīng)濟復(fù)蘇步調(diào)的持續(xù)性,以及美國、大陸相繼考慮調(diào)控措施,對后續(xù)景氣造成效應(yīng),仍有待觀察。
此外,聯(lián)電表示,2009年第4季65納米制程比重已占整體營收約17%,2010年比重將持續(xù)成長,同時 45/40納米世代在上半年將可見到約達個位數(shù)營收比重貢獻。聯(lián)電自行研發(fā)的高效能40納米邏輯制程,目前已有超過10家客戶,涵蓋高階消費性電子、通訊、手機與硬碟各應(yīng)用領(lǐng)域,較65納米還提前1季通過全生產(chǎn)驗證,且良率已穩(wěn)定到可晶圓計價出貨。
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