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apd 文章 進(jìn)入apd技術(shù)社區(qū)
巧用數(shù)字電位計(jì)調(diào)節(jié) APD 偏置電壓
- APD 是光學(xué)應(yīng)用中經(jīng)常使用的光敏元件,在以硅或者鍺為材料制成的光電二極管的 P-N 結(jié)上加反偏電壓后,射入的光被 P-N 結(jié)吸收后會(huì)形成光電流。增大反向偏置電壓的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生 “雪崩” (即光電流成倍的激增) 現(xiàn)象,因此這種二極管被稱為 “雪崩光電二極管”。APD 工作時(shí),如果兩個(gè)電極之間的電壓差為零,此時(shí) APD 處于零偏模式;如果兩個(gè)電極之間存在反向偏置電壓,則 APD 處于反偏模式。當(dāng)反偏電壓增加到一定程度,反相飽和電流 IR 會(huì)突然急劇增加,這時(shí) P-N 結(jié)被反向擊穿。我們把反向飽和電流增大到某一
- 關(guān)鍵字: ADI APD 數(shù)字電位計(jì)
MACOM宣布推出旨在實(shí)現(xiàn)下一代5G和數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)的25G APD光電二極管和25G法布里-珀羅激光器
- — APD28A、25G雪崩光電二極管為25G NRZ和50G PAM-4應(yīng)用提供高帶寬、高靈敏度和寬波長(zhǎng)工作范圍 — 直接調(diào)制的25G 1310nm法布里-珀羅激光器MAOD-131F25,工作溫度范圍在-40 o C至+95 o C之間半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案有限公司(MACOM)近日宣布,推出適用于5G無(wú)線和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的25G雪崩光電二極管(APD)和25G法布里-珀羅(FP)激光光學(xué)組件。APD28A是一款背照式25G
- 關(guān)鍵字: APD FP
一種高精度、寬動(dòng)態(tài)范圍的APD偏壓控制/光功率監(jiān)測(cè)電路設(shè)計(jì)
- 1 引言 本文針對(duì)該要求。采用ADL5317器件。給出了一種具有高精度、寬動(dòng)態(tài)范圍的APD偏壓控制/光功率監(jiān) ...
- 關(guān)鍵字: 高精度 APD 偏壓控制 光功率監(jiān)測(cè)
2×8低噪聲InGaAs/InP APD讀出電路設(shè)計(jì)
- 對(duì)In0.53Ga0.47As/InP雪崩光電二極管(APD)探測(cè)器進(jìn)行了特性分析。以大陣列研究為基礎(chǔ),結(jié)合器件特性設(shè)計(jì)了一個(gè)2×8低噪聲讀出電路(ROIC),電路主要由電容反饋互阻放大器(CTIA)和相關(guān)雙采樣(CDS)電路單元構(gòu)成,并對(duì)讀出電路的時(shí)序、積分電容等進(jìn)行了設(shè)計(jì)。電路采用0.6 μm CMOS工藝流片,芯片面積為2 mm×2 mm,電荷存儲(chǔ)能力為5×107個(gè),功耗小,噪聲低,設(shè)計(jì)達(dá)到預(yù)期要求。
- 關(guān)鍵字: InGaAs APD InP 低噪聲
apd介紹
APD-介紹 英文縮寫(xiě): APD (Avalanche Photo Diode)
中文譯名: 雪崩光電二極管
分 類(lèi): 電信設(shè)備
APD-解 釋 激光通信中使用的光敏元件。在以硅或鍺為材料制成的光電二極管的P-N結(jié)上加上反向偏壓后,射入的光被P-N結(jié)吸收后會(huì)形成光電流。加大反向偏壓會(huì)產(chǎn)生“雪崩”(即光電流成倍地激增)的現(xiàn)象,因此這種二極管被稱為“雪崩光電二極管”。
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