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F-RAM與BBSRAM功能和系統(tǒng)設(shè)計(jì)之比較

• 　　引言 　　高性能和環(huán)保是當(dāng)前技術(shù)創(chuàng)新的兩大要求。二者共同推動(dòng)半導(dǎo)體元器件的發(fā)展，同時(shí)也為全球眾多企業(yè)和消費(fèi)者所耳熟能詳。 　　若系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)，工程師有(但不限于)以下選擇：電池備份靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM);以及其它noVRAM技術(shù)。在從工廠自動(dòng)化和電信到計(jì)量和醫(yī)療技術(shù)的每一種應(yīng)用中，要確定最適合的存儲(chǔ)器選擇，是一項(xiàng)重要的設(shè)計(jì)考慮事項(xiàng)。
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